Строительство домов
и коттеджей
|
Главная страница > Компоненты > Semikron
Принципы работы мощных полупроводниковых приборов
I. Принципы работы мощных полупроводниковых приборов
- 1. Основы процесса переключения
- 2. Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов
- 3. Силовые электронные ключи
II. Основы
- 1. Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей
- 2. Силовые IGBT и MOSFET
- 2.1. Различие структур и функциональных принципов
- 2.2. Статический режим
- 2.2.1. Силовые MOSFET
- 2.2.2. IGBT
- 2.3. Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT
- 2.4. Улучшения в технологии MOSFET и IGBT
- 3. Обратные и снабберные диоды
- 3.1. Требования к обратным и снабберным диодам
- 3.1.1. Падение при прямом и обратном напряжении
- 3.1.2. Режим включения
- 3.1.3. Режим обратного восстановления
- 3.1.4. Требования к обратным диодам , которые работают в режиме выпрямления и инвертирования в преобразователях напряжения
- 3.2. Конструкция мощных быстрых диодов
- 3.3. Параметры мощных быстрых диодов
- 3.3.1. Прямой и обратный режимы
- 3.3.2. Режим включения
- 3.3.3. Режим выключения
- 3.3.4. Динамическая устойчивость
- 3.4. Modern diodes with optimized recovery behaviour
- 3.4.1. Эмиттерная концепция
- 3.4.2. Концепция управляемого аксиального времени жизни (CAL)
- 3.4.3. Концепция гибридных диодов
- 3.5. Соединение мощных быстрых диодов
- 3.5.1. Последовательное соединение
- 3.5.2. Параллельное включение
- 4. Силовые модули : специальные возможности многокристальных структур
- 4.1. Конструкция силовых модулей
- 4.2. Возможности силовых модулей
- 4.2.1. Степень сложности
- 4.2.2. Способность рассеивать тепло
- 4.2.3. Напряжение изоляции / устойчивость к отдельным разрядам
- 4.2.4. Способность периодически передавать мощность
- 4.2.5. Внутренняя низкоиндуктивная структура
- 4.2.6. Адаптация внутренней структуры к ЭМС
- 4.2.7. Заданный мягкий режим в случае отказа модуля
- 4.2.8. Не загрязняющая переработка
- 4.3. Сборка и технология подключения : типы корпусов
- 4.4. Система обозначений SEMIKRON для SEMITRANS и SEMITOP силовых модулей
- 5. Примеры новых технологий корпусов
- 5.1. SKiiPPACK
- 5.2. MiniSKiiP
- 5.3. SEMITOP
- 5.4. Новая низкоиндуктивная конструкция IGBT модуля для больших токов и напряжений
- 6. Встроенные датчики , функции защиты , драйвера и логика
III. Справочные данные по MOSFET, IGBT, MiniSKiiP и SKiiPPACK модулям
- 1. Общие сведения
- 1.1. Буквенные обозначения , термины, стандарты
- 1.2. Максимальные значения и характеристики
- 2. Силовые модули MOSFET
- 2.1. Предельные значения
- 2.2. Характеристики
- 2.3. Диаграммы
- 3. IGBT-
модули
[264], [265]
- 3.1. Предельные значения
- 3.2. Характеристики
- 3.3. Диаграммы
- 4. Специальные параметры для MiniSKiiP
- 5. Специальные параметры для SKiiPPACK
- 6. Температурная зависимость статических и динамических характеристик силовых модулей
- 7. Надежность
IV. Рекомендации к применению
- 1. Задание параметров и выбор MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулей
- 1.1. Прямое запирающее напряжение
- 1.2. Ток в прямом направлении
- 1.3. Частота коммутации
- 2. Температурные параметры
- 2.1. Температурные параметры
- 2.1.1. Единичные и общие потери мощности
- 2.1.2. Единичные и общие потери мощности
- 2.1.3. Потери мощности в импульсном источнике напряжения инверторов / при синусоидальных токах
- 2.2. Расчет температуры перехода
- 2.2.1. Основные сведения
- 2.2.2. Температура перехода при кратковременной работе
- 2.2.3. Температура перехода при импульсной работе
- 2.2.4. Температура перехода при гармонических основных частотах
- 2.3. Определение температурных характеристик по отношению к сроку службы модуля
- 3. Охлаждение силовых модулей
- 3.1. Устройства охлаждения , охладители и методы охлаждения
- 3.2. Температурная модель охлаждающего устройства
- 3.3. Естественное воздушное охлаждение ( конвекция )
- 3.4. Принудительное воздушное охлаждение
- 3.5. Водяное охлаждение
- 3.6. Данные на стандартные радиаторы для SKiiPPACK
- 3.6.1. Принудительное воздушное охлаждение
- 3.6.2. Охлаждение жидкостями
- 4. Конструкция силовой части
- 4.1. Паразитные индуктивности и емкости
- 4.2. Электромагнитные помехи / обратные связи по сети
- 4.2.1. Процессы в преобразователе
- 4.2.2. Причины интерференционных токов
- 4.2.3. Пути распространения
- 4.2.4. Способы подавления ЭМП
- 4.3. Готовые к установке силовые устройства
- 5. Драйвер
- 5.1. Характеристики напряжения и тока затвора
- 5.2. Влияние параметров драйвера на режим коммутации
- 5.3. Структура драйвера и основные требования к драйверам
- 5.4. Встроенные функции защиты и контроля в драйвере
- 5.5. Временные константы и функции блокировки
- 5.6. Передача управляющих сигналов и энергия управления
- 5.6.1. Данные управления и обратная связь
- 5.6.2. Энергия управления
- 5.7. Цепи драйвера для силовых MOSFET и IGBT
- 5.8. SEMIDRIVER
- 5.8.1. OEM драйверы
- 5.8.2. SKiiPPACK драйверы
- 6. Режимы неисправностей и защита
- 6.1. Типы неисправностей
- 6.2. Поведение IGBT и MOSFET при перегрузках и коротких замыканиях
- 6.3. Обнаружение перегрузок и защита
- 6.3.1. Обнаружение и снижение токов перегрузки
- 6.3.2. Ограничение перенапряжений
- 6.3.3. Определение перегрева
- 7. Включение MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулей
- 7.1. Параллельное включение
- 7.1.1. Сложности с разделением тока
- 7.1.2. Выбор модуля , схемы драйвера, компоновка
- 7.1.3. Параллельное подключение SKiiPPACK модулей
- 7.2. Последовательное подключение
- 7.2.1. Проблема разделения напряжения
- 7.2.2. Выбор модуля , схемы драйвера, конструкции
- 8. Мягкая коммутация в ZVS или ZCS режиме / схемы уменьшения потерь коммутации
- 8.1. Требования и области применения
- 8.2. Цепи уменьшения потерь коммутации
- 8.3. Мягкая коммутация
- 8.3.1. Типичные характеристики тока и напряжения / нагрузки силового полупроводника
- 8.3.2. Требования к полупроводниковым ключам и их драйверам
- 8.3.3. Особенности ключей
- 8.3.4. Выводы
- 9. Обращение с MOSFET, IGBT, MiniSKiiP и SKiiPPACK модулями
- 9.1. Чувствительность к ESD ( разряду ) и способы защиты
- 9.2. Инструкции по монтажу
- 9.3. SKiiPPACK: температурные испытания
- 10. Программное обеспечение для расчета схем
- 10.1. Уровни математических моделей для описания схемы
- 10.2. Программное обеспечение SEMIKRON
V. References
|
|
реклама |
|
|
|