В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Падение при прямом и обратном напряжении

Обратное напряжение VR показывает, что утечка тока при определенном напряжении не должна превышать предельного тока IR. Технические данные в справочниках приводятся для рабочей температуры 25°С. При меньших температурах запирающая способность будет падать, например, приблизительно 1.5 В/К для 1200 В диода.

Обратное и прямое напряжение диода
Рис. 1.17. Обратное и прямое напряжение диода

При температурах выше температуры окружающей среды, обратное напряжение будет соответственно возрастать с одновременным ростом утечки. Следовательно, ток утечки определен также и для высоких температур (125 °С и 150°С). Если диод содержит золото, ток утечки может расти очень резко, что может привести к температурной нестабильности в цепях, где вся схема работает при высоких температурах из-за потерь в силовых приборах.

Режим включения силового диода
Рис. 1.18. Режим включения силового диода

Длительное прямое напряжение VF показывает, что при определенном токе прямое падение напряжения на диоде не должно превышать определенного значения. Обычно это значение устанавливается при определенной температуре. Решающий фактор в балансе потерь энергии - это прямое напряжение при высоких температурах. Все технические справочники по обратным диодам должны содержать данные об этой температурной зависимости.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники