В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Режим включения

Когда диод переходит в проводящее состояние, напряжение в первый момент будет возрастать до значения VFRM. Рис.1.18 показывает VFRM и время включения tft. Но эта кривая не дает достаточно информации о режиме работы обратных диодов, так как:

  • рост тока в открытом состоянии di/dt настолько высокий, что, например, VFRM может возрасти до 200 В или 300 В для 1700 В диодов, что более чем в 100 раз превышает VF,
  • диод обычно включается из закрытого состояния, при этом возникает VFRM, которое намного больше, чем, если бы диод включался из нейтрального состояния.

Низкое VFRM . одно из наиболее важных требований к обратным диодам, так как снабберные цепи становятся эффективны только после включения диода. Выброс напряжения также важен для обратных диодов, которые работают при обратных напряжениях > 1200 В. При выключении IGBT, возникает импульс напряжения из-за паразитной индуктивности, который суммируется с VFRM обратного диода, что может привести к перенапряжениям. Однако эти измерения нетривиальны, поскольку индуктивная составляющую и VFRM нельзя разделить специальными схемами. Измерения можно сделать при открытой конструкции непосредственно на выводах диода.

С другой стороны, режим включения диода не важен при балансе потерь мощности, так как потери на включение намного меньше, чем при выключении и при прохождении прямого тока, так что ими можно пренебречь.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники