|
|
![]() |
| Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов | |||||||||
|
|
|
||||||||||
Требования к обратным и снабберным диодамДля современные быстрых коммутационных устройств требуются быстрые обратные диоды. При каждом включении ключа обратный диод коммутируется от проводящего к запертому состоянию. При этом диод должен обеспечить мягкое переключение. Долгое время важность быстрых диодов недооценивали. Выполнение ключа было ухудшено обратными диодами. За последние несколько лет значительный прогресс стал возможен благодаря внедрению обратно - восстановительного режима.
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|||||||||||
ПОИСК ПО СЕРВЕРУ |
Навигация |
СПИСКИ РАССЫЛКИ |
||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел: +7 (495) 514 4110. e-mail:admin@eust.ru © ООО Рынок Микроэлектроники |
||