Статьи по силовой электронике

• Компания Элком, 16.12.2016 г.
  • Лавинные диоды Лавинные диоды (или по-другому диоды выпрямительные) способны эффективно генерировать процесс лавинно – образования. Это свойство позволяет нивелировать поле возникающего импульса мощности за небольшой временной интервал.
  
  
• Рынок микроэлектроники, 26.02.2016 г.
  • IGBT транзисторы История транзисторов IGBT берет начало в середине 80-х годов прошлого столетия, когда компания International Rectifier (США) запатентовала первый биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) промышленного образца.
  
  
• Сафронов Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург 20.01.2011 г.
  • Управление бесколлекторными двигателями
  
  
• Центр технических переводов «Алькор», 10.06.2010 г.
  • Обеспечение электромагнитной совместимости преобразователей частоты с помощью выходных фильтров фирмы SCHAFFNER
  
  
• Егоров Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург, 09.03.2010 г.
  • Регуляторы напряжения NXP
  
  
• Егоров Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург, 17.09.2009 г.
  • TVS-диоды - средство защиты электроники от перенапряжений
  
  
• Егоров Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург, 10.08.2009 г.
  • Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения
  
  
• Егоров Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург, 10.08.2009 г.
  • Транзисторы NXP для мощных радиопередающих систем
  
  
• Егоров Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург, 29.01.2009 г.
  • Преимущества применения биполярных транзисторов BISS
  
  
• Егоров Алексей, Компания Гамма Санкт-Петербург, 16.01.2009 г.
  • Симисторы (триаки) компании NXP Semiconductors - лучшее решение для управления нагрузкой
  
  
• Александр Стратиенко, 16.01.2007 г.
  • Современные магнитные материалы и индуктивные компоненты VACUUMSCHMELZE
  
  
• Фирма Компел перевод Курышевой Евгении 28.12.2005 г.
  • Общие сведения по модулям на основе IGBT-транзисторов и МОП-транзисторов компании SEMIKRON
  
  
• К. Д. Рогачёв - cтудент Московского Государственного Университета Путей Сообщения (МИИТ) 21.06.2000 г.
  • Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
  
  
• К.Д. Рогачёв - cтудент Московского Государственного Университета Путей Сообщения (МИИТ) 21.05.2000 г.
  • Современные силовые запираемые тиристоры
  
  
• А.И. Колпаков Фирма ООО “Мега-Электроника” 14.01.2000 г.
  • Обеспечение защиты от перегрузки в MOSFET драйверах
  
  
• А.И. Колпаков Фирма ООО “Мега-Электроника” 14.01.2000 г.
  • Схемотехнические способы борьбы с защелкиванием в каскадах с IGBT транзисторами
  
  
• А.И. Колпаков Фирма ООО “Мега-Электроника” 29.10.1999 г.
  • IGBT транзисторы в системе электронного зажигания