В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Статьи > Силовая электроника

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Преимущества применения биполярных транзисторов BISS

В статье рассмотрены современные биполярные транзисторы BISS с уменьшенным напряжением насыщения и меньшей мощностью рассеяния. Оценены преимущества и проанализированы особенности применения BISS транзисторов в различных схемах взамен традиционных биполярных транзисторов. Приведены типы, характеристики и система маркировки BISS транзисторов.

Транзисторы BISS (Breakthrough in Small Signal, дословно - "прорыв в малом сигнале") - биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счет изменения конструкции зоны эмиттера, изображенной на рис. 1.

Зона эмиттера транзистора BISS в разрезе
Рис. 1. Зона эмиттера транзистора BISS в разрезе

Здесь показано, что, по сравнению с традиционными биполярными транзисторами (ТБТ), в транзисторах BISS зона эмиттера максимально увеличена и максимально (даже двухслойно) металлизирована. Благодаря этому, ток эмиттера распределен более равномерно по всей зоне и уменьшено омическое сопротивление. В результате, в транзисторах BISS обеспечено значительное уменьшение напряжения VCEsat насыщения коллектор-эмиттер. На рис. 2 приведена зависимость напряжения VCEsat от тока IC коллектора для трех поколений транзисторов BISS компании NXP Semiconductors.


Рис. 2. Зависимость VCEsat = f(IC) у транзисторов ТБТ и BISS

По кривым на рис. 2 легко определить, что, например, при токе 1000 мА напряжение насыщения транзистора BISS типа PBSS302ND почти в 8 раз меньше аналогичного напряжения транзистора ТБТ ВС817-40. Вследствие этого в транзисторах BISS существенно уменьшается мощность рассеяния и, соответственно, температура кристалла, то есть появляется возможность либо уменьшить габариты (корпус), либо при тех же габаритах увеличить мощность, передаваемую транзистором в нагрузку, либо увеличить максимально допустимую температуру транзистора.

Кроме того, благодаря особому выполнению зоны эмиттера, у транзисторов BISS не только понижается температура, но и существенно уменьшается градиент ее распределения по корпусу. Это обстоятельство наглядно продемонстрировано на рис. 3, где приведены результаты измерений теплового состояния тех же сравниваемых транзисторов.

Распределение тепла на поверхности корпуса транзистора ТБТ и BISS
Рис. 3. Распределение тепла на поверхности корпуса транзистора ТБТ и BISS

Отсюда следует, что в транзисторах BISS устранены зоны локального перегрева, то есть существенно улучшен тепловой режим, в результате чего значительно повышена надежность.

Транзисторы BISS применяются в диапазоне коллекторных токов до 10 А при напряжении коллектор - эмиттер до 100 В и отличаются от транзисторов ТБТ более низким напряжением насыщения, значительно меньшими габаритами, расширенным температурным диапазоном и более высокой степенью надежности.

Обобщим преимущества применения транзисторов BISS по сравнению с транзисторами ТБТ:

  • уменьшение напряжения насыщения - в 8 раз;
  • уменьшение мощности рассеяния;
  • увеличение допустимой нагрузки по току коллектора;
  • увеличение коэффициента передачи по току;
  • увеличение надежности;
  • повышение допустимой температуры окружающей среды;
  • снижение энергопотребления, отсюда - увеличение времени функционирования автономных устройств на аккумуляторных батареях;
  • снижение затрат на изготовление и эксплуатацию устройств;
  • уменьшение площади печатных плат и габаритов устройств.

Рассмотрим преимущества использования транзисторов BISS взамен ТБТ в наиболее распространенных схемах.

Инвертор и эмиттерный повторитель

Основные каскады транзисторов: а, б) инверторы; в) эмиттерный повторитель
Рис, 4. Основные каскады транзисторов: а, б) инверторы; в) эмиттерный повторитель

На рис. 4 изображены основные каскады транзисторов: инверторы и эмиттерный повторитель.

В зависимости от уровня входного напряжения транзистор в схеме инвертора (рис. 4a или рис. 4б) может находиться в режиме усиления или в режиме насыщения. В режиме усиления транзисторы BISS отличаются б?льшим, чем в ТБТ, коэффициентом усиления по току, поэтому режим насыщения в транзисторах BISS наступает при меньшем базовом токе, а напряжение насыщения коллектор - эмиттер имеет меньшее, чем в ТБТ, значение. Инверторы, построенные на транзисторах BISS, обладают всеми перечисленными выше преимуществами.

В схеме с эмиттерным повторителем (рис. 4в) выходное (то есть эмиттерное) напряжение примерно равно напряжению на базе. Поскольку коэффициент усиления по напряжению схемы примерно равен 1, то характеристики эмиттерного повторителя могут быть улучшены только за счет высокого коэффициента усиления по току и высокого значения выходного тока коллектора транзистора BISS.

Управление электропитанием

Конвертор постоянного тока

Конверторы постоянного тока предназначены для преобразования значений постоянного напряжения на входе и выходе (DC/DC конверторы). Они широко используются для обеспечения питанием электронных устройств различной мощности: от милливатт (мобильные телефоны и PDA) до многих киловатт.

На рис. 5 показаны три типичные схемы конверторов: повышающий или понижающий напряжение (рис. 5а), понижающий напряжение (рис. 5б) и повышающий напряжение (рис. 5в). Преобразование напряжения основано на том, что по командам от контроллера изменяется интервал времени, в течение которого основной (проходной) транзистор находится в состоянии "открыт/закрыт", в результате чего изменяется среднее значение напряжения на выходе конвертора.

Схемы конверторов постоянного тока
Рис. 5. Схемы конверторов постоянного тока

Эффективность конверторов постоянного тока зависит от статических и динамических параметров проходного транзистора, функционирующего в режиме переключения. По своим характеристикам транзисторы BISS наилучшим образом подходят для применения в качестве проходных транзисторов конверторов, в которых они обеспечивают увеличение КПД преобразования, уменьшение мощности рассеяния тепла, увеличение срока службы и, в конечном счете, защиту окружающей среды.

Кроме рассмотренных схем конверторов, транзисторы BISS применяются в низковольтных конверторах обратного хода и в двухтактных конверторах.

Комплементарный драйвер

Комплементарный драйвер (табл. 1, рис. 6) представляет собой эмиттерный повторитель, построенный на комплементарной (взаимодополняющей) паре транзисторов разного типа проводимости. Этот драйвер используется в различных устройствах, в том числе в конверторах постоянного тока для управления КМОП-ключами. Главная задача такого драйвера: заряжать и разряжать емкость управляющего электрода с максимальным быстродействием (при допустимых токах), чтобы минимизировать потери на переключение. Кроме того, комплементарный драйвер снимает часть нагрузки со схемы управления. Высокий коэффициент усиления по постоянному току при максимальном токе коллектора и высокая нагрузочная (пиковая) способность коллектора - это важные критерии при выборе типа транзисторов. Именно в таком драйвере транзисторы BISS обладают существенными преимуществами перед другими транзисторами.

Комплементарный драйвер
Рис. 6. Комплементарный драйвер

Таблица 1. Транзисторы BISS для комплементарных драйверов

Тип Упаковка Описание
PBSS4140T / PBSS5140T SOT23 одиночный, 1 A
PBSS4140DPN SOT457 (SC-74) сдвоенный, 1 A
PBSS2515YPN SOT363 (SC-88) сдвоенный, 0,5 A
PBSS2515VPN SOT666 сдвоенный, 0,5 A
PBSS4140S / PBSS5140S SOT54 (TO-92) одиночный, 1 A
PMBT2222A / PMBT2907A* SOT23 одиночный, 0,6 A

* - не BISS транзисторы, только ссылка

Если кросс-проводимость является проблемой, то между эмиттером NPN-транзистора и затвором КМОП-транзистора устанавливается низкоомный резистор. Он не влияет на закрывание транзистора, но задерживает открывание.

Выключатель цепи питания

В автономных, а также в мобильных устройствах, питание которых осуществляется от аккумуляторной батареи (например, в ноутбуках), необходимы выключатели цепей питания секций, не участвующих в информационном процессе. В результате удается значительно увеличить ресурс батареи.

Для того чтобы уменьшить потери энергии при переключении, необходимо, чтобы падение напряжения на переключателе, то есть напряжение насыщения транзистора, было минимальным.

На рис. 7 показано экономичное и компактное решение этой задачи с использованием сдвоенного BISS-транзистора PBSS3515VS и сдвоенного транзистора со встроенным резистором (RET) PEMHx. Оба транзистора размещены в ультракомпактном корпусе типа SOT666. По сравнению с транзисторами ТБТ, транзисторы BISS занимают значительно меньшую площадь печатной платы и имеют более высокую надежность и эффективность.

Сдвоенный выключатель цепи питания
Рис. 7. Сдвоенный выключатель цепи питания

Таблица 2. Транзисторы BISS для выключателя цепи питания

Тип Корпус Описание
PBSS3515VS SOT666 сдвоенный, 0,5 A
PBSS5140V SOT666 одиночный, 1 A
PBSS5140T SOT23 одиночный, 1 A
PEMH-серии SOT666 сдвоенный, RET*
PDTC-серии разные одиночный RET*

* - транзистор со встроенным резистором

Интегральный регулятор напряжения

При использовании транзисторов BISS в линейном регуляторе напряжения (рис. 8) с интегральными микросхемами (например, типа MAX687, LT1123 или ADM666A) удается увеличить допустимую нагрузку по выходному току, увеличить коэффициент усиления по току управления и значительно уменьшить падение напряжения между входом и выходом.

Обычно, при токе 0,1 A падение напряжения на транзисторе составляет 55 мВ, а при токе 1 A - 140 мВ. Благодаря тому, что вертикальный транзистор обладает большим коэффициентом усиления по току, требуется меньший управляющий (базовый) ток. Так, например, для транзистора PBSS5240T при IC = 1 А, IB = 3,45 мА.

Линейный регулятор напряжения
Рис. 8. Линейный регулятор напряжения

Таким образом, как показано в таблице 3, эффективность регулятора с транзисторами BISS возрастает с 80 до 95%.

Таблица 3. Эффективность регуляторов напряжения

  Стандартный С низким напряжением
Vout, В 3,3
Iout, А 1,0
Pout, Вт 3,3
Vdrop, В 1,0 0,1
Pin, Вт 4,3 3,4
% 77 97

Следует заметить, что регуляторы с низким падением напряжения более чувствительны к емкости нагрузки. Эта зависимость возникает из-за операции инвертирования, которую выполняет проходной PNP транзистор.

Регулятор с низким падением напряжения можно построить по схеме рис. 9 с таким же улучшением параметров проходного транзистора, как и указано ранее.

Регулятор  с низким падением напряжения
Рис. 9. Регулятор с низким падением напряжения

Рекомендуемые типы указаны в таблице 4.

Таблица 4. Транзисторы BISS для регуляторов напряжения

Тип Корпус Описание
PBSS5540Z SOT223 (SC-73) одиночный, 5 A, 2 Вт
PBSS5350Z SOT223 (SC-73) одиночный, 3 A, 2 Вт
PBSS5340D SOT457 (SC-74) одиночный, 3 A, 0,75 Вт
PBSS5350S SOT54 (TO-92) выводной, 3 A, 0,83 Вт

Зарядное устройство батареи

В современных зарядных устройствах батарей применяются прогрессивные технические решения: непрерывное измерение напряжения батареи, измерение тока зарядки, а также температуры. Эти решения можно выполнить с помощью контроллеров и интегральных схем.

Для многих интегральных схем необходим внешний дискретный выходной каскад, обеспечивающий управление токами порядка 10 А. Транзисторы BISS (табл. 5, 6), обладающие низким напряжением насыщения, высоким коэффициентом усиления и высокой нагрузочной способностью по току, наилучшим образом подходят для таких устройств.

Таблица 5. Транзисторы BISS для зарядного устройства

Тип Корпус Описание
PBSS5540Z SOT223 (SC-73) одиночный, 5 A, 2 Вт
PBSS5350Z SOT223 (SC-73) одиночный, 3 A, 2 Вт
PBSS5340D SOT457 (SC-74) одиночный, 3 A, 0,75 Вт
PBSS5350S SOT54 (TO-92) выводной, 3 A, 0,83 Вт

Таблица 6. Параметры транзисторов ТБТ и BISS для зарядного устройства

Транзистор ТБТ BISS
Тип транзистора (корпус) BD434 (TO-126) PBSS5350S (TO-92)
Umax коллектор-эмиттер, В 22 50
IC max, А 4 3
Мин. коэфф. усиления по току при IC=2 A 50 100
Umax насыщения при IC=2 A, В 0,5 0,3

На рис. 10 показано подключение транзистора BISS к микросхеме мониторинга состояния и быстрой зарядки NiCd и NiMn батарей TEA1104 фирмы NXP (www.nxp.com). Если в выходном каскаде использовать транзистор BISS вместо рекомендованного в спецификации TEA1104 транзистора BD434, то можно существенно уменьшить габариты зарядного устройства.


Рис. 10. Выходной каскад зарядного устройства

Устройство питания экономичных люминесцентных ламп

Для питания люминесцентной лампы с холодным катодом (CCFL) необходим источник высокого напряжения. Альтернативой балластному драйверу UBA2070 компании NXP является двухтактный конвертор, показанный на рис. 11. Схема содержит микросхему управления (например, UCC3973, LT1172, MAX1610), резонансный двухтактный каскад и высоковольтный каскад. Для повышения эффективности схемы в качестве транзисторов двухтактного каскада целесообразно применять транзисторы BISS (табл. 7).

Резонансная двухтактная схема питания экономичной люминесцентной лампы
Рис. 11. Резонансная двухтактная схема питания экономичной люминесцентной лампы

Таблица 7. Транзисторы BISS для экономичных люминесцентных ламп

Тип Корпус Описание
PBSS4140U SOT323 одиночный, 1 A
PBSS4140T SOT23 одиночный, 1 A
PBSS4240T SOT23 одиночный, 2 A
PBSS4140S SOT54 (TO-92) выводной, 1 A

Периферийный драйвер

Простой драйвер нагрузки

Для переключения больших токов в реле, лампах и двигателях используются транзисторы в схемах инвертора или эмиттерного повторителя (рис. 4). Благодаря высокой нагрузочной способности по току коллектора и высокому коэффициенту усиления по току, в таких устройствах целесообразно применять транзисторы BISS. Кроме того, в низковольтных схемах для обеспечения эффективной передачи энергии в нагрузку необходимо использовать транзисторы BISS, имеющие пониженное напряжение насыщения коллектор - эмиттер.

Так, например, при использовании транзистора BISS типа PBSS4350T в схеме с напряжением питания 3 В, напряжение на нагрузке составляет 2,9 В. При использовании в этой же схеме транзистора ТБТ типа BC817 напряжение составляет 2,3 В.

Известно, что входное сопротивление эмиттерного повторителя высоко, то есть является пренебрежимо малой нагрузкой для источника. Выходное сопротивление эмиттерного повторителя - низкое, что облегчает согласование с нагрузкой. Если нагрузка индуктивна, то для защиты транзистора от избыточного напряжения применяется шунтирующий диод.

Драйвер матрицы светодиодов

На рис. 12 показана выходная часть светодиодного дисплея, которая используется в больших графических дисплеях и в дисплеях типа "бегущая строка". Выходная часть может содержать сотни светодиодов, для которых требуется множество линий управления, если каждым светодиодом управлять по отдельности. Современное решение состоит в том, что светодиоды объединены в матрицу, при управлении которой удается значительно сократить число требуемых драйверов и проводов.

Транзисторы BISS в схеме управления матрицей светодиодов
Рис. 12. Транзисторы BISS в схеме управления матрицей светодиодов

Каждый светодиод матрицы питается импульсным током. Для обеспечения того же среднего значения, которое было бы при питании постоянным током, значение тока в импульсе должно быть увеличено с учетом скважности: Ipulse = Icont/цикл. Например, если постоянный ток в столбце из 25 светодиодов должен составлять 20 мА, то при рабочем цикле 4% ток в импульсе должен составлять 500 мА.

Для использования преимуществ матричной конфигурации требуются транзисторы с высокой нагрузочной способностью по току. Каждый транзистор драйвера столбца должен выдерживать импульсный ток, равный 500 мА, и каждый драйвер строки должен выдерживать импульсный ток, равный n х 500 мА, где n - число рядов.

Кроме того, поскольку транзисторы управляются стандартной логической схемой с ограниченной нагрузочной способностью по току, важно, чтобы транзистор имел высокий коэффициент усиления по току, как в транзисторах BISS. Например, при токе базы 1,7 мА обеспечивается насыщение транзистора BISS типа PBSS4350T при токе коллектора IC = 500 мА.

В связи с тем, что логические элементы не могут обеспечить управление базовым током 100 мА, для драйвера строки требуется дополнительный буфер на транзисторах ТБТ, на парах транзисторов (например, BC847BS), на транзисторах с дополнительным резистором (например, RET) или на парах транзисторов с дополнительными резисторами.

В том случае, когда напряжение питания составляет 5 В, большое значение имеет величина напряжения насыщения транзистора, так как напряжения насыщения транзисторов драйверов столбца и строки суммируются.

В таблице 8 для сравнения приведены характеристики транзисторов ТБТ и BISS, которые используются в таких схемах.

Таблица 8. Характеристики транзисторов ТБТ и BISS для матрицы светодиодов

Функции Транзисторы ТБТ Транзисторы BISS
Драйвер столбца Драйвер строки Драйвер столбца Драйвер строки
Транзисторы (корпус) BC817-40 (SOT23) BDP32 (SOT223) PBSS4350T (SOT23) PBSS5540Z (SOT223)
Umax коллектор-эмиттер, В 45 45 50 40
Импульсный ток коллектора IC, А 0,5 5 0,5 5
Минимальный коэффициент усиления по току 40 20 (тип.) 300 50
Ток базы, необходимый для насыщения, мА <12,5 250 <1,7 <100
Umax насыщения, В
0,7 +
>1
0,09 +
0,375
Результирующее падение напряжения, В 1,7 <0,435

Драйверы двигателей

На рис. 13 показана схема управления 4-фазным шаговым двигателем, который используется, например, в сканерах, копирах и в некоторых устройствах автомобилей. На рис. 14 показана мостовая схема управления реверсивным двигателем. В таких схемах с помощью дискретных биполярных транзисторов осуществляется согласование стандартных интегральных микросхем (контроллеров) с цепями управления двигателей.

Драйвер управления 4-фазного шагового двигателя
Рис. 13. Драйвер управления 4-фазного шагового двигателя

При использовании транзисторов BISS, обладающих низким напряжением насыщения, повышается эффективность драйвера двигателя, особенно при низком напряжении питания. Это важно, поскольку значения напряжения насыщения транзисторов (рис. 14) суммируются.

Мостовой драйвер двигателя
Рис. 14. Мостовой драйвер двигателя

Кроме того, в связи с уменьшенной мощностью рассеяния можно использовать транзисторы BISS в маленьких и дешевых корпусах, например SOT457/SC-74 вместо SOT223/SC-73.

Таблица 10. Транзисторы ТБТ и BISS для мостовых схем

  Транзисторы ТБТ Транзисторы BISS
Полярность NPN PNP NPN PNP
Транзистор (корпус) BC817-40 (SOT23) BC807-25 (SOT23) PBSS4350T (SOT23) PBSS5350T (SOT23)
Umax коллектор-эмиттер, В 45 50
Импульсный ток коллектора IC, А 0,5 0,5
Минимальный коэффициент усиления по току 40 40 300 200
Ток базы, необходимый для насыщения, мА <12,5 <12,5 <1,7 <2,5
Umax насыщения, В
0,7 +
0,7
0,09 +
0,09
Падение напряжения, В <1,4 <0,18

Выводы

При использовании транзисторов BISS (табл. 11, 12, 13, 14, 15 рис. 15) взамен традиционных биполярных транзисторов удается реализовать следующие преимущества:

  1. Повышается эффективность схемы, благодаря уменьшению напряжения насыщения коллектор - эмиттер.
  2. Уменьшается мощность рассеяния, увеличивается допустимая окружающая температура.
  3. Увеличивается коэффициент усиления по току, увеличивается допустимый ток коллектора.
  4. Уменьшаются габариты, снижается стоимость изделий.

Маркировка транзисторов BIS
Рис. 15. Маркировка транзисторов BISS

Таблица 11. Двойные транзисторы BISS

VCEO (V) IC (A) Полярность Hfe min @ IC (A) @ VCE (V) VCEsat tip (mV) @ IC=0.5(A) IB=0.05(A) VCEsat max (mV) @ IC (A) @ VB (V) Тип Корпус Вид
15 0.5 2xPNP 200 0.01 2 170* 250 0.5 0.05 PBSS351VS SOT666
NPN/PNP PBSS251VPN
2xNPN PBSS251VS
15 0.5 NPN/PNP 200 0.01 2 170* 250 0.5 0.05 PBSS251YPN SOT363 (SC-88)
40 1 NPN/PNP 300/250 0.5 5 130/150 500 1 0.1 PBSS4140DPN SOT457 (SC-74)
2 NPN/PNP 300/250 80/100 400/530 2 0.2 PBSS4240DPN
60 1 2xNPN 200 0.5 5 115 250 1 0.1 PBSS4160DS
2xPNP 150 120 330 PBSS5160DS
NPN/PNP 200/150 115/120 250/330 PBSS4160DPN
50   2xNPN 300 0.5 2 50 340 2.7 0.27 PBSS4350SS SOT96 (SO8)
2xPNP 200 60 370 PBSS5350SS
NPN/PNP 300/200 50/60 340/370 PBSS4350SPN

* IC= 0.5(A); IB=0.025(A)

Таблица 12. Ключевые транзисторы BISS

Вид
Корпус SOT96 (SO8) SOT457 (SC-74) SOT363 (SC-88) SOT666
PTOT (mW) 1500 600 300 300
VCEO (V) IC (A) VCEsat max (mV) @ IC= 0.5(A) R1, R2 (кОм)  
15 0.5 250 2.2     PBLS1501Y PBLS1501V
4.7     PBLS1502Y PBLS1502V
10     PBLS1503Y PBLS1503V
22     PBLS1504Y PBLS1504V
40 0.5 350 2.2     PBLS4001Y PBLS4001V
4.7     PBLS4002Y PBLS4002V
10     PBLS4003Y PBLS4003V
22     PBLS4004Y PBLS4004V
47     PBLS4005Y PBLS4005V
20 1 150 2.2   PBLS2001D    
4.7   PBLS2002D    
10   PBLS2003D    
22   PBLS2004D    
40 1 170 2.2   PBLS4001D    
4.7   PBLS4002D    
10   PBLS4003D    
22   PBLS4004D    
47   PBLS4005D    
60 1 180 2.2   PBLS6001D    
4.7   PBLS6002D    
10   PBLS6003D    
22   PBLS6004D    
47   PBLS6005D    
20 3 75 2.2 PBLS2001S      
4.7 PBLS2002S      
10 PBLS2003S      

Таблица 13. Высоковольтные транзисторы BISS

Вид
Корпус SOT23 SOT89 (SC-62) SOT223 (SC-73)
PTOT (mW) 250 1300 1700
  VCESM (V) VCEO (V) IC (A)      
NPN - 150 1 PBHV8115T PBHV8115X PBHV8115Z
- 400 0.3 PMBTA44    
500 400 0.5 PBHV8540T PBHV8540X PBHV8540Z
PNP - 150 1 PBHV9115T PBHV9115X PBHV9115Z
500 400 0.25 PBHV9040T PBHV9040X PBHV9040Z

Таблица 14. Транзисторы BISS с низким напряжением насыщения (NPN)

VCEO (V) IC (A) ICM (A) Тип Hfe min/tip @ IC (A) @ VCEO (V) RCEsat tip (mOm) @ IC=max IC/IB=10 VCEsat tip (mV) @ IC=0.5(A) IB=0.05(A) VCEsat max (mV) @ IC max (A) @ IB (A) PTOT (mW) Корпус Вид
40 1 2 PBSS4140S 300/- 0.5 5 230 120 500 1 0.1 830 SOT54 (TO-92)
50 3 5 PBSS4350S 200/- 0.5 2 100 - 290 2 0.2
100 1 3 PBSS8110S/AS 150/- 0.25 10 165 <110 200 1 0.1
15 0.5 1 PBSS2515M 200/- 0.01 2 360 - 250 0.5 0.05 250 SOT883 (SC-101)
40 0.5 1 PBSS2540M 200/- 0.01 2 380 - 250 0.5 0.05
20 2 4 PBSS4220V 220/- 0.5 2 150 70 400 2 0.2 500 SOT666
40 1 3 PBSS4140V 300/- 0.5 5 150 70 190 1 0.1
40 2 3 PBSS4240V 300/- 0.5 5 150 70 400 2 0.2
60 1 2 PBSS4160V 200/- 0.5 5 200 110 250 1 0.1
15 0.5 1 PBSS2515E 150/- 0.1 2 300 205 250 0.5 0.05 250 SOT416 (SC-75)
40 0.5 1 PBSS2540E 100/- 0.1 2 380 305 250 0.5 0.05
40 2 3 PBSS4240Y 300/- 0.5 2 120 70 320 2 0.2 430 SOT363 (SC-88)
100 1 3 PBSS8110Y 150/- 0.25 10 160 300 200 1 0.1
40 1 2 PBSS4140U 300/- 0.5 5 240 120 500 1 0.1 350 SOT323 (SC-70)
60 1 2 PBSS4160U 200/420 0.5 5 230 120 280 1 0.1
60 1 2 PBSS4160K 200/420 0.5 5 230 120 280 1 0.1 350 SOT346 (SC-59)
20 1 3 PBSS4120T 350/470 0.1 2 - - 250 1 0.05 480 SOT23
20 2 5 PBSS4320T 220/- 0.5 2 80 45 310 3 0.3
30 1 3 PBSS4130T 300/450 0.5 2 - - 270 1 0.05
30 2 3 PBSS4230T 300/450 0.5 2 120 70 320 2 0.2
40 1 2 PMMT491A 300/- 0.5 5 230 120 500 1 0.1
40 1 2 PBSS4140T 300/- 0.5 5 240 130 500 1 0.1
40 2 3 PBSS4240T 300/450 0.5 2 120 70 320 2 0.2
50 2 5 PBSS4350T 300/- 0.5 2 100 60 260 2 0.2
60 1 2 PBSS4160T 200/350 0.5 5 200 110 250 1 0.1
100 1 3 PBSS8110T 150/- 0.25 10 165 - 200 1 0.1
20 4 15 PBSS301ND 300/- 0.5 2 50 30 280 4 0.4 750 SOT457 (SC-74)
40 4 15 PBSS302ND 300/- 0.5 2 55 35 300 4 0.4
50 3 5 PBSS4350D 200/- 0.5 2 110 65 290 2 0.2
60 3 6 PBSS303ND 345/- 0.5 2 65 40 260 3 0.3
80 3 6 PBSS304ND 240/- 0.5 2 67 40 255 3 0.3
100 1 3 PBSS8110D 150/- 0.25 10 160 70 200 1 0.1
100 3 4 PBSS305ND 170/- 0.5 2 72 45 360 4 0.4
12 5.3 10.6 PBSS301NX 300/- 0.5 2 27* 18 200 5.3 0.265 1650 SOT89 (SC-62)
20 3 5 PBSS4320X 220/- 0.5 2 85 45 310 3 0.3
20 5 10 PBSS4520X 300/- 0.5 2 32 35 220 5 0.5
20 5.3 10.6 PBSS302NX 300/570 0.5 2 27* 20 200 5.3 0.265
30 3 5 PBSS4330X 300/- 0.5 2 80 45 300 3 0.3
30 5.1 10.2 PBSS303NX 300/480 0.5 2 30* 20 220 5.1 0.255
40 4 10 PBSS4540X 300/- 0.5 2 40 21 355 5 0.5
50 2 5 PBSS4250X 300/- 0.5 2 - <90 320 2 0.2
50 3 5 PBSS4350X 300/- 0.5 2 75 50 370 3 0.3
60 4.7 9.4 PBSS304NX 300/- 0.5 2 37* 25 245 4.7 0.235
80 4 10 PBSS4480X 250/- 0.5 2 43* 25 230 4 0.2
80 4.6 9.2 PBSS305NX 300/- 0.5 2 37* 25 240 4.6 0.23
100 1 3 PBSS8110X 150/- 0.25 10 165 40 200 1 0.1
100 4.5 9 PBSS306NX 200/- 0.5 2 38* 27 245 4.5 0.225
12 5.8 11.6 PBSS301NZ 300/530 0.5 2 29* 18 235 5.8 0.29 1700 SOT223 (SC-73)
20 5.8 10.2 PBSS302NZ 300/570 0.5 2 30* 20 250 5.8 0.29
30 5.5 11 PBSS303NZ 300/480 0.5 2 31* 275 240 5.5 0.275
40 5 10 PBSS4540Z 300/500 0.5 2 42 50 355 5 0.5
50 3 5 PBSS4350Z 200/- 0.5 2 110 - 290 2 0.2
60 5.2 10.4 PBSS304NZ 300/520 0.5 2 39* 200 280 5.2 0.26
80 5.1 10.2 PBSS305NZ 300/470 0.5 2 38* 190 270 5.1 0.255
100 1 3 PBSS8110Z 150/- 0.25 1 160 73 200 1 0.1
100 5.1 10.2 PBSS306NZ 220/330 0.5 2 43* 215 300 5.1 0.255

* IC/IB=20

Таблица 15. Транзисторы BISS с низким напряжением насыщения (PNP)

VCEO (V) IC (A) ICM (A) Тип Hfe min/tip @ IC (A) @ VCEO (V) RCEsat tip (mOm) @ IC max IC/IB=10 VCEsat tip (mV) @ IC=0.5(A) IB=0.05(A) VCEsat max (mV) @ IC max (A) @ IB (A) PTOT (mW) Корпус Вид
40 1 2 PBSS5140S 250/- 0.5 5 150 150 500 1 0.1 830 SOT54 (TO-92)
50 3 5 PBSS5350S 200/- 0.5 2 120 80 300 2 0.2
100 1 3 PBSS9110S/AS 150/- 0.25 5 170 100 320 1 0.1
15 0.5 1 PBSS3515M 200/- 0.01 2 300 150 250 0.5 0.05 250 SOT883 (SC-101)
40 0.5 1 PBSS3540M 200/- 0.01 2 440 220 350 0.5 0.05
20 2 4 PBSS5220V 220/440 0.1 2 135 75 390 2 0.2 500 SOT666
40 1 2 PBSS5140V 300/- 0.1 5 200 120 310 1 0.1
40 1.8 3 PBSS5240V 300/- 0.1 5 185 100 530 2 0.2
60 1 2 PBSS5160V 150/250 0.5 5 220 120 330 1 0.1
15 0.5 1 PBSS3515E 200/- 0.01 2 300 130 250 0.5 0.05 250 SOT416 (SC-75)
40 0.5 1 PBSS3540E 200/- 0.01 2 440 230 350 0.5 0.05
40 2 3 PBSS5240Y 300/- 0.1 2 - - 350 2 0.2 430 SOT363 (SC-88)
100 1 3 PBSS9110Y 150/- 0.25 5 170 93 320 1 0.1
40 1 2 PBSS5140U 300/- 0.1 5 230 130 500 1 0.1 350 SOT323 (SC-70)
60 1 2 PBSS5160U 150/250 0.5 5 255 135 340 1 0.1
60 1 2 PBSS5160K 150/250 0.5 5 255 135 340 1 0.1 350 SOT346 (SC-59)
20 1 2 PBSS5120T 300/450 0.1 2 - <125 250 1 0.05 480 SOT23
20 2 3 PBSS5220T 225/- 0.5 2 - <80 225 2 0.2
20 2 3 PBSS5320T 220/- 0.5 2 75 50 210 2 0.2
30 1 3 PBSS5130T 260/350 0.5 2 - <110 225 1 0.05
30 2 3 PBSS5230T 300/450 0.1 2 - 80 350 2 0.2
40 1 2 PMMT591A 300/800 0.1 5 250 130 500 1 0.1
40 1 2 PBSS5140T 300/- 0.1 5 230 150 500 1 0.1
40 2 3 PBSS5240T 300/450 0.1 2 150 80 350 2 0.2
50 2 3 PBSS5250T 200/- 0.5 2 - <90 300 2 0.1
50 2 5 PBSS5350T 200/- 0.5 2 90 55 270 2 0.2
60 1 2 PBSS5160T 150/250 0.5 5 220 120 330 1 0.1
100 1 3 PBSS9110T 150/- 0.5 5 170 95 320 1 0.1
20 4 15 PBSS301PD 250/400 0.5 2 50 35 280 4 0.4 750 SOT457 (SC-74)
20 3 5 PBSS5320D 200/- 0.5 2 85 <80 400 3 0.3
40 4 15 PBSS302PD 200/- 0.5 2 55 46 300 4 0.4
50 3 5 PBSS5350D 200/- 0.5 2 120 70 300 2 0.2
60 3 6 PBSS303PD 480/265 0.5 2 70 55 290 3 0.3
80 3 5 PBSS304PD 155/225 0.5 2 71 55 29 3 0.3
100 1 3 PBSS9110D 150/- 0.5 5 170 100 320 1 0.1
100 2 3 PBSS305PD 175/275 0.5 2 88 6 250 2 0.2
12 5.3 10.6 PBSS301PX 250/400 0.5 2 28* 20 210 5.3 0.265 1650 SOT89 (SC-62)
20 3 5 PBSS5320X 220/- 0.5 2 90 50 300 3 0.3
20 5 10 PBSS5520X 300/430 0.5 2 34 45 270 5 0.5
20 5.1 10.2 PBSS302PX 250/370 0.5 2 32* 25 230 5.1 0.255
30 3 5 PBSS5330X 200/- 0.5 2 80 40 320 3 0.3
30 5.1 10.2 PBSS303PX 250/400 0.5 2 32* 25 230 5.1 0.255
40 4 10 PBSS5540X 250/- 0.5 2 45 33 375 5 0.5
50 2 5 PBSS5250X 200/- 0.5 2 - <90 320 2 0.2
50 3 5 PBSS5350X 200/- 0.5 2 120 60 390 3 0.3
60 4.2 7.4 PBSS304PX 200/295 0.5 2 53* 35 310 4.2 0.21
80 4 10 PBSS5480X 200/300 0.5 2 50 35 380 5 0.5
80 4 8 PBSS305PX 200/280 0.5 2 43 36 240 4 0.4
100 1 3 PBSS9110X 150/- 0.5 5 170 90 320 1 0.1
100 3.7 7.4 PBSS306PX 200/300 0.5 2 52 45 300 4 0.4
12 5.7 11.4 PBSS301PZ 250/400 0.5 2 30* 20 245 5.7 0.285 1700 SOT223 (SC-73)
20 5.5 11 PBSS302PZ 250/370 0.5 2 34* 25 265 5.5 0.275
30 5.3 10.6 PBSS303PZ 250/400 0.5 2 35* 25 365 5.3 0.265
40 5 10 PBSS5540Z 250/350 0.5 2 55 80 160 2 0.2
50 3 5 PBSS5350Z 200/- 0.5 2 120 70 300 2 0.2
60 4.5 9 PBSS304PZ 200/295 0.5 2 59* 35 375 4.5 0.225
80 4.5 9 PBSS305PZ 200/280 0.5 2 69* 36 450 4.5 0.225
100 1 3 PBSS9110Z 150/- 0.5 5 170 90 320 1 0.1
100 4.1 8.2 PBSS306PZ 200/300 0.5 5 57 45 325 4.1 0.41

* IC/IB=20

Область применения транзисторов BISS

Портативная электроника, компьютеры, MP3 плееры, игровые приставки, гарнитуры, мобильные телефоны, цифровые видеокамеры, (управление вентилятором, питанием LAN, ADSL, конвертор DC/DC, переключатели нагрузки), автомобильная электроника (радионавигационные приборы, управление подушкой безопасности, управление топливной системой), промышленность (выключатели питания, выключатели подсветки LCD (ЖКИ), инверторы для TFT, блоки питания, схемы управления двигателем, драйвер светодиода, микросхемы балластов, дополнение к MOSFET драйверу).

Егоров Алексей,
Компания Гамма Санкт-Петербург






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники