В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Статьи > Силовая электроника

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Транзисторы NXP для мощных радиопередающих систем

Компания NXP Semiconductors, известная ранее как Philips Semiconductors, выделенная в самостоятельную компанию в 2006 году, является одним из лидеров на рынке производства полупроводниковых элементов.

NXP - одна из ведущих компаний в области производства высокочастотных полупроводниковых элементов. Конструкция высокочастотных устройств становится все более сложной. Тем не менее, продукция компании NXP позволяет добиться высокой производительности и, при этом, имеет простую конструкцию. Номенклатура высокочастотных компонентов NXP подходит для большинства систем коммуникации и передачи данных, таким образом легко найти решение, которое соответствует специфическим требованиям. В портфолио высокочастотных компонентов NXP вы можете найти: РЧ-синхронизаторы, трансиверы (GSM/GPRS/EDGE), продукты промежуточной частоты (смесители, преобразователи, переключатели, усилители), микшеры/осцилляторы, высокочастотные диоды, высокочастотные операционные усилители, высокочастотные транзисторы высокой мощности, полевые транзисторы для слабых сигналов, передатчики, высокочастотные широкополосные транзисторы, микросхемы с низким уровнем шума, кремниевые ТВ-приемники, коммутаторы, и другие приемники, например для автомобильных стерео радиоприемников. В этом обзоре мы рассмотрим высокочастотные транзисторы большой мощности.

Транзисторы выпускаются по различным технологиям: биполярной, VDMOS и LDMOS. Биполярная технология широко применялась в 70-х годах 20 века и на данный момент хорошо изучена и описана во многих литературных статьях. Технология VDMOS так же широко распространена, транзисторы, изготовленные по этой технологии имеют ряд преимуществ над биполярными транзисторами, но б?льший интерес вызывает LDMOS технология нового поколения.

VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) - двухдиффузионная технология с вертикальной МОП-структурой. Эта технология обладает улучшенной термостабильностью и плотностью мощности транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами.

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) - смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния. Технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками по сравнению с биполярной технологией, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Это достаточно молодая технология, которая основное развитие получила в конце 80-х - начале 90-х годов 20 века и стала одной из ключевых технологий на рынке высокочастотных устройств.

На LDMOS технологии в настоящее время выпускается большинство мощных высокочастотных транзисторов. Существует два основных класса конструкции LDMOS-транзисторов. Первый основывается на использовании заземленного экрана (grounded Faraday shield) для обеспечения изоляции стока (drain) от затвора (gate) и уменьшения емкости обратной связи CDG. Как правило, такая конструкция используется при длине затвора более 0,5 мкм (рис.1).

Второй класс конструкции (использующийся преимущественно при длине затвора менее 0,5 мкм) основывается на применении заземленной металлизированной области (grounded field plate) и позволяет не только уменьшить емкость обратной связи CDG, но и понизить значение дрейфа тока между стоком и затвором IDG.

Вертикальный срез структуры ячейки типового LDMOS-транзистора, использующего заземленный экран
Рис. 1. Вертикальный срез структуры ячейки типового LDMOS-транзистора, использующего заземленный экран

Вертикальный разрез структуры ячейки типового LDMOS-транзистора, использующего заземленную металлизированную область
Рис. 2. Вертикальный разрез структуры ячейки типового LDMOS-транзистора, использующего заземленную металлизированную область

В портфолио продукции NXP мощных транзисторов насчитывается более 100 модификаций для четырех направлений применения, для базовых станций сотовой связи, широковещательные транзисторы, транзисторы СВЧ, микроволновые транзисторы. Транзисторы выпущены по различным технологиям: биполярной и LDMOS. Области применения высокочастотных транзисторов имеют достаточно широкий диапазон: СВЧ-связь (транзисторы для базовых станций сотовой и WiMAX, радиорелейной связи, космической связи), индустриальные применения (возбудительные каскады лазеров, телевизионные радиопередатчики, радары гражданского и военного назначения), научной деятельности и медицине.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи и WiMAX

Высокочастотные транзисторы NXP для базовых станций выполнены по LDMOS технологии и имеют следующие параметры:

P/N Корпус Категория Режимы Частота f, МГц Мощность PL, Вт Усиление по мощности GP Напряжение питания VDS, В
BLF6G22LS-75 SOT502B LDMOS WCDMA 2000-2200 17 18,7 28
BLF7G22L-130 SOT502 LDMOS - 2110-2170 44,8 18,5 28
BLF7G22LS-130 SOT502 LDMOS - 2110-2170 44,8 18,5 28
BLF6G22-45 SOT608A LDMOS WCDMA 2000-2200 2,5 18,5 28
BLF3G22-30 SOT608A UHF LDMOS 2-TONE 2000-2200 30 14 28
BLF6G38-25 SOT608A WiMAX LDMOS   3400-3800 4,5 15 28
BLF6G38S-25 SOT608B WiMAX LDMOS   3400-3800 4,5 15 28
BLF4G10-160 SOT502A UHF LDMOS CDMA 2-TONE EDGE; CW 800-1000 160 19,7 28
BLD6G22L-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2110-2170 8 12,7 28
BLD6G22LS-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2110-2170 8 12,7 28
BLF6G27-45 SOT608A WiMAX LDMOS - 2500-2700 7 18 28
BLF6G27S-45 SOT608B WiMAX LDMOS - 2500-2700 7 18 28
BLF6G38-100 SOT502A   - 3400-3600 18,5 13 28
BLF6G38LS-100 SOT502B   - 3400-3600 18,5 13 28
BLF6G20-40 SOT608A LDMOS - 1800-2000 2,5 18,8 28
BLF6G27-75 SOT502A WiMAX LDMOS - 2500-2700 9 17 28
BLF6G27LS-75 SOT502B WiMAX LDMOS - 2500-2700 9 17 28
BLM6G22-30 SOT834-1 W-CDMA 2100 МГц to 2200 МГц power MMIC WCDMA 2100-2200 2 30 28
BLM6G22-30G SOT822-1 W-CDMA 2100 МГц to 2200 МГц power MMIC WCDMA 2100-2200 2 30 28
BLF4G20-110B SOT502A UHF LDMOS   1800-2000 100 13,5 28
BLF2045 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE 1800-2000 26/td> 10 26
BLF3G21-30 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE 2200 30 13,5 26
BLF6G10-135RN SOT502A LDMOS - 800-1000 26,5 21 28
BLF6G10LS-135RN SOT502B LDMOS - 800-1000 26,5 21 28
BLF3G21-6 SOT538A UHF LDMOS 2-TONE 1800-2200 30 15,5 26
BLF6G20-180RN SOT502A LDMOS - 1800-2000 40 17,2 30
BLF6G20LS-180RN SOT502B LDMOS - 1800-2000 40 17,2 30
BLF6G22-180RN SOT502A LDMOS - 2000-2200 40 16 30
BLF6G22LS-180RN SOT502B LDMOS - 2000-2200 40 16 30
BLF6G20-75 SOT502A LDMOS EDGE 1800-2000 29,5 19 28
BLF6G20LS-75 SOT502B LDMOS EDGE 1800-2000 29,5 19 28
BLF1822-10 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE 2200 10 13,5 26
BLF4G20LS-130 SOT502B UHF LDMOS - 1800-2000 130 14,7 28
BGF802-20 SOT365C CDMA800 power module - 869-894 30 30 30
BLF6G10-200RN SOT502A LDMOS - 688-1000 40 20 28
BLF6G10LS-200RN SOT502B LDMOS - 688-1000 40 20 28
BLF6G38-10G SOT975C   - 3400-3600 2 14 28
BGF844 SOT365C GSM800 EDGE power module - 869-894 27 30 30
BLF6G20-230PRN SOT539 LDMOS - 1805-1880 50 16,5 30
BLF1043 SOT538A UHF LDMOS 1-TONE
2-TONE
800-1000 10 16,5 26
BLF6G20-110 SOT502A LDMOS WCDMA 1800-2000 25 19 28
BLF6G20LS-110 SOT502B LDMOS WCDMA 1800-2000 225 19 28
BLF6G10-160RN SOT502A LDMOS - 800-1000 32 22,5 32
BLF6G10LS-160RN SOT502B - - - - - -
BLF6G38-50 SOT502A WiMAX LDMOS - 3400-3800 9 14 28
BLF6G38LS-50 SOT502B WiMAX LDMOS - 3400-3800 9 14 28
BLF6G20LS-140 SOT502B LDMOS - 1800-2000 35,5 16,5 28
BLF6G22-180PN SOT539A LDMOS WCDMA 2000-2200 50 17,5 32
BGF944 SOT365C GSM900 EDGE power module   920-960 24 29 30
BLF2043 SOT538A UHF LDMOS CW 2200 10 11,8 26
BLF1820-90 SOT502A UHF LDMOS   1800-2000 90 11 26
BLF6G22S-45 SOT608B LDMOS WCDMA 2000-2200 2,5 18,5 28
BLF4G10S-120 SOT502B UHF LDMOS 2-TONE CW; EDGE 800-1000 120 19 28
BLF4G20LS-110B SOT502B UHF LDMOS   1800-2000 48 13,8 28
BLF6G10-45 SOT608A - - 800-1000 1 7,8 -
BLF2043F SOT467C UHF LDMOS CW 2200 10 11 26
BLF6G27-10 SOT975B WiMAX LDMOS - 2500-2700 2 19 28
BLF6G27-10G SOT975C WiMAX LDMOS - 2500-2700 2 19 28
BLF6G20-180PN SOT539A LDMOS - 1800-2000 50 18 32
BLF6G27-135 SOT502A WiMAX LDMOS - 2500-2700 20 16 32
BLF6G27LS-135 SOT502B WiMAX LDMOS - 2500-2700 20 16 32
BLF6G22LS-100 SOT502B LDMOS WCDMA 2000-2200 25 18,5 28
BLF4G22-130 SOT502A UHF LDMOS   2000-2200 33 13,5 28
BLF6G10S-45 SOT608B LDMOS WCDMA 800-1000 1 23 28
BLF1046 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE
1-TONE
860-1000 45 14 26
BLD6G21L-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2010-2025 8 12,6 28
BLD6G21LS-50 SOT1130 LDMOS Doherty - 2010-2025 8 12,6 28
BLF6G20-45 SOT608A LDMOS WCDMA 1800-2000 2,5 19,2 28
BLF6G20S-45 SOT608B LDMOS WCDMA 1800-2000 2,5 19,2 28
BLF6G21-10G SOT538A LDMOS - HF-2200 2 19,3 28
BLF6G22LS-130 SOT502B LDMOS WCDMA 2000-2200 30 17 28

Широковещательные транзисторы

Более 25 лет компания Philips сохраняла свое лидерство в области производства широковещательных транзисторов, это наследие перешло компании NXP, и на данный момент компания NXP поддерживая традиции предшественника, продолжает сохранять одно из лидирующих мест в этой области, пополняя свое портфолио все новыми и новыми высококачественными продуктами. Используя технологию LDMOS, компания NXP все больше укрепляет свои позиции в области производства широковещательных транзисторов, и на данный момент выпускает более 30 видов высокочастотных транзисторов для вещательных станций, которые представлены следующими элементами:

P/N Корпус Категория Режимы Частота f, МГц Мощность PL, Вт Усиление по мощности GP Напряжение питания VDS, В
BLF244 SOT123A VHF MOS - 175-230 15 65 17
BLF404 SOT409A UHF LDMOS CW; 1-TONE 500 4 55 15
BLF544 SOT171A UHF MOS 1-TONE 500 20 50 7
BLF369 SOT800-2 Multi-use VHF LDMOS - 10-500 500 55 19
BLF574 SOT539A HF/VHF LDMOS 1-TONE 10-500 500 70 26,5
BLF245 SOT123A VHF MOS - 175-230 30 67 15,5
BLF878 SOT979A UHF LDMOS 2-TONE 470-860 300 46 21
BLF246B SOT161A RF amplifier - 175-230 60 65 19
BLF542 SOT171A UHF MOS 1-TONE; CW 500 5 59 16,5
BLF571 SOT467C HF/VHF LDMOS 1-TONE 10-500 20 70 27,5
BLF578 SOT539A LDMOS - 10-500 1200 70 24
BLF202 SOT409A HF/VHF MOS - 175-230   55 13
BLF147 SOT121B VHF MOS - 28-108 20 40 19
BLF368 SOT262A1 RF amplifier - 175-230 300 62 13,5
BLF546 SOT268A RF amplifier 1-TONE 0-500 80 60 13
BLF548 SOT262A2 UHF push-pull MOS 1-TONE 0-500 150 55 11
BLF145 SOT123A - - - - - 27
BLF177 SOT121B - - - - 40 -
BLF521 SOT172D UHF MOS 1-TONE; CW 500 2 60 13
BLF645 SOT540 UHF LDMOS - HF-1400 100 63 18
BLF245B SOT279A RF amplifier - 175-230 30 65 18
BLF647 SOT540A RF amplifier 2-TONE 0-800 120 45 13
BLF246 SOT121B VHF MOS - 108 80 55 16
BLF278 SOT262A1 RF amplifier - 175-230 300 70 22
BLF871 SOT467C UHF LDMOS 2-TONE HF-1000 100 47 21
BLF175 SOT123A - - - - - 28
BLF861A SOT540A UHF LDMOS 2-TONE 470-860 150 60 14
BLF242 SOT123A HF-VHF MOS - 175-230 - 60 16
BLF248 SOT262A1 RF amplifier - 175-230 300 65 11,5
BLF573S SOT502B HF/VHF LDMOS - 10-500 300 70 27,2
BLF888 SOT979A UHF LDMOS - 470-860 110 40 18
BLF346 SOT119A VHF MOS - 175-230 24 - 14

Транзисторы СВЧ

В портфолио СВЧ транзисторов NXP насчитывается более десятка биполярных транзисторов, и около двух десятков высококачественных элементов выполненных по продвинутой технологии LDMOS, которые постепенно вытесняют биполярные транзисторы:

P/N Корпус Категория Частота f, МГц Мощность PL, Вт КПД % Усиление по мощности GP Напряжение питания VDS, В
Транзисторы LDMOS
BLA1011-10 SOT467C Avionics LDMOS 1030-1090 10 40 16 36
BLS6G3135-20 SOT608A S-Band LDMOS 3100-3500 20 45 15,5 32
BLS6G3135S-20 SOT608B S-Band LDMOS 3100-3500 20 45 15,5 32
BLS6G2731-120 SOT502A S-Band LDMOS 2700-3100 120 48 13,5 32
BLS6G2731S-120 SOT502B S-Band LDMOS 2700-3100 120 48 13,5 32
BLA1011-200 SOT502A Avionics LDMOS 1030-1090 200 45 13 36
BLA1011S-200 SOT502B Avionics LDMOS 1030-1090 200 45 13 36
BLL1214-250R SOT502 L-Band LDMOS 1200-1400 250 42 12 36
BLA6H0912-500 SOT539 Avionics LDMOS 960-1215 500 50 17 50
BLA0912-250 SOT502A Avionics LDMOS 960-1215 250 50 13 36
BLS6G2933S-130 SOT922-1 S-Band LDMOS 2900-3300 130 47 12,5 32
BLA1011-200R SOT502 Avionics LDMOS 1030-1090 200 45 13 36
BLA1011S-200R SOT502 Avionics LDMOS 1030-1090 200 45 13 36
BLA6G1011-200R SOT502 Avionics LDMOS 1030-1090 200 65 20 28
BLA1011-2 SOT538A Avionics LDMOS 1030-1090 10 40 16 36
BLS2933-100 SOT502A S-Band LDMOS 2900-3300 100 40 8 32
BLS6G3135-120 SOT502A S-Band LDMOS 3100-3500 120 43 11 32
BLS6G3135S-120 SOT502B S-Band LDMOS 3100-3500 120 43 11 32
BLL6H0514-25 SOT467 L-Band LDMOS 500-1400 25 58 21 50
BLS6G2731-6G SOT975C S-Band LDMOS 2700-3100 6 33 15 32
BLL6H1214-500 SOT539 L-Band LDMOS 1200-1400 500 50 17 50
BLA0912-250R SOT502 Avionics LDMOS 960-1215 250 50 13,5 36
BLL1214-35 SOT467C L-Band LDMOS 1200-1400 35 43 13 36
BLL1214-250 SOT502A L-Band LDMOS 1200-1400 250 42 12 36
BLA6H1011-600 SOT539 Avionics LDMOS 1030-1090 600 52 19 50
BLA1011-300 SOT957A Avionics LDMOS 1030-1090 300 57 16,5 32
Транзисторы Биполярные
MX0912B251Y SOT439A Avionics bipolar 960-1215 275 47 7,4 50
BLS2731-20 SOT445C S-Band bipolar 2700-3100 25 40 10 40
BLS2731-50 SOT422A S-Band bipolar 2700-3100 60 40 9 40
BLS2731-110 SOT423A S-Band bipolar 2700-3100 110 35 7 40
RX1214B300Y SOT439A L-Band bipolar 1200-1400 320 40 8 50
MZ0912B100Y SOT443A Avionics bipolar 960-1215 115 44 7,6 50
MX0912B351Y SOT439A Avionics bipolar 960-1215 375 47 7,6 50
MZ0912B50Y SOT443A Avionics bipolar 960-1215 50 52 8 50

Развитие линейки мощных высокочастотных транзисторов NXP

В заключение рассмотрим планы развития мощных высокочастотных транзисторов NXP. В ближайшее время компания NXP планирует выпустить на рынок высокочастотных продуктов два новых транзистора UHF и HF диапазона, BLF888 и BLF578.

BLF888 - 50-вольтовый транзистор UHF диапазона (470-860 МГц), выполненный по передовой LDMOS технологии, с выходной мощностью 110 Вт (пиковая мощность 500 Вт), что еще больше чем у транзистора BLF878 (75 Вт/300 Вт), коэффициентом усиления по мощности 20 дБ, КПД не менее 30%, интегрированной защитой от статического электричества, в корпусе SOT979.

BLF578 - LDMOS-транзистор, диапазона HF (до 500 МГц), с выходной мощностью до 600 Вт и до 1200 Вт в импульсном режиме, коэффициент усиления транзистора не менее 24 дБ, КПД до 70%, транзистор имеет встроенную защиту от статического электричества, выполнен в корпусе SOT539A.

BLA6H1011-600 - LDMOS-транзистор, диапазона (1030-1090 МГц), с выходной мощностью до 600 Вт, коэффициент усиления транзистора не менее 19 дБ, КПД до 52%, транзистор имеет встроенную защиту от статического электричества, выполнен в корпусе SOT539A.

Заключение

Подводя итоги можно с уверенностью сказать, что компания NXP на протяжении долгих лет занимала лидирующие позиции в производстве высокочастотных элементов и по-прежнему остается одним из лидеров в этой области, уступая лишь компании Freescale. Внедряя все новые технологии, компания NXP планирует и в будущем развивать высокочастотное направление своих продуктов и тем самым удерживать лидирующие позиции на рынке этой продукции.

Дополнительную информацию по высокочастотным транзисторам NXP, вы можете посмотреть на сайте производителя или запросить в ООО "Гамма-Санкт-Петербург".

Егоров Алексей,
Компания Гамма Санкт-Петербург






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники