В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Статьи > Силовая электроника

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



IGBT транзисторы

История транзисторов IGBT берет начало в середине 80-х годов прошлого столетия, когда компания International Rectifier (США) запатентовала первый биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) промышленного образца. Через два года был создан биполярный аналог с уплощенной структурой, выдерживающий более высокие нагрузки. Арсенал приборов нынешнего поколения, представленных на http://oao-sozvezdie.ru/catalog/1010206-igbt_tranzistor/, лишен недостатков, характерных для моделей-пионеров.

Как работает IGBT?

Данный вид транзисторов относят к управляемым полупроводниковым устройствам, с трехслойной структурой. Их включение/отключение происходит при появлении или снятии положительного напряжения между затвором и истоком. Биполярный транзистор оснащен тремя выводами наружной локации: эмиттером, коллектором и затвором. Устройство объединяет преимущества транзисторов двух видов: полевых и биполярных. Образовавшуюся в результате объединения модель отличает повышенное сопротивление на входе с повышенной токовой нагрузкой и небольшим уровнем сопротивления в рабочем состоянии.

IGBT транзисторМеханизм срабатывания IGBT сводится к выполнению нескольких задач: когда поступает положительное напряжение, открывается полевой транзистор в направлении затвор/исток, что сопровождается формированием n-канала исток-сток. Движущийся заряд провоцирует открытие биполярной части устройства и образование тока в направлении эмиттер-коллектор. В общем, биполярная часть прибора управляется полевым транзистором.

Использование биполярных транзисторов.

IGBT широко используются в инверторах, в источниках сварочных токов, импульсных регуляторах тока. Также они задействованы в схемах управления электроприводами высокой мощности в городском электротранспорте.

IGBT транзисторИспользование объединенных в модули IGBT в осуществлении управления тяговыми силовыми установками помимо высокого КПД обеспечивает плавный ход и разрешает задействовать рекуперативный тормоз при различных скоростях.

Этот вид транзисторов хорошо себя показал при работе с напряжением превышающим 1000 В, температурах более 100 С и выходной мощности свыше 5 кВт. Ему нашлось применение в ИБП и сварках с частотой тока менее 50 кГц.

Производители.

Российский рынок освоили ряд зарубежных производителей IGBT, один из которых мощнейшая европейская компания STMicroelectronics, IGBT-линейка которой включает приборы, предназначенные для инверторов, драйверов электродвигателей, модулей и систем управления двигателями электромобилей.

Широко на отечественном рынке представлены IGBT-модули компании International Rectifier и японских фирм Mitsubishi и Hitachi.

Разработкой IGBT-модулей в России занимаются АО «Электровыпрямитель», ИСЭ СО РАН, НПК «Микроэлектроника».




 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники