В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Ток в прямом направлении

Максимальные продолжительные токи коллектора или стока, IC или ID соответственно, приведенные в справочных данных как типичные токи для разработанного модуля, и максимальные значения могут быть вычислены для полностью управляемого транзистора при температуре корпуса, например, 25°С или 80°С по формуле

Для модулей без основной пластины вместо Th заменит Tcase и Rthjh заменит Rthjc.

Значения для RDS(on) и VCEsat должны браться при максимальной температуре кристалла Tj(max).

Эти данные предназначены только для ориентировочной оценки, так как при реальной работе возникнут потери при коммутации и в закрытом состоянии (малые) дополнительно к потерям в открытом состоянии, температура корпуса будет отличаться и максимальные постоянные значения RDS(on) и VCEsat не будут достигнуты при полном процессе включения.

При данной температуре корпуса (25°С, 80°С) импульсные значения тока IDM или ICM определены для одиночных импульсов продолжительностью 1 мс и, в то же время, определяют максимальные значения тока при периодическом включении и выключении (SOAR).

Поэтому, протекающий прямой ток определяется

  • прямо по общей рассеиваемой мощности транзисторов и обратных диодов силового модуля и температур кристалла транзисторов и диодов при определенных условиях охлаждения (Rthca), которые не должны превышать Tj(max) (п. 3.2.2),
  • границами максимально безопасной области работы , сп.п. 2.2 и 2.3. Во избежание превышения предельных значений при жестком включении и активно-индуктивной нагрузке, общий ток нагрузки и ток обратных диодов не должен превышать IDM или ICM, см. рис.3.2. По причине, упомянутой в п. 1.3.1.3, можно найти компромисс между скорость включения транзистора (возрастание потерь включения!) и протекающим током нагрузки в большинстве случаев.

Дополнительные ограничения можно применить на практике, при рассмотрении характеристик активной защиты при перегрузках по току в драйвере (см.п. 3.5).



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники