Предельные значения

Структура MOSFET модулей

Напряжение сток-исток VDS

Максимальное напряжение между выводами стока и истока MOSFET кристалла для открытой или закрытой цепи затвор-исток.

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Напряжение сток-затвор V_DGR

Максимальное напряжение между стоком и затвором.

Параметры: внешнее сопротивление RGS между затвором и истоком, температура корпуса T_case = 25°С

Продолжительный постоянный ток стока I_D

Максимальный постоянный ток стока

Параметр: температура корпуса, например T_case = 25°С, 80°С: I_D@25°С, I_D@80°С

Повторяющееся импульсное значение тока стока I_D или импульсный ток стока I_Dpuls

Импульсное значение тока стока при работе в импульсном режиме,

Параметры: длительность импульса t_p, температура корпуса, например T_case = 25°С, 80°С и отношение длительности импульса к паузе (диаграммы «максимальная безопасная область работы»)

Одиночный импульсный рассеиваемый поток энергии E_AS

Максимальный рассеиваемый поток энергии от стока к истоку одного кристалла при выключении индуктивной нагрузки (нагрузка одного импульса).

Параметры: мгновенный ток стока i_D, напряжение питания сток-исток V_DD, внешнее сопротивление R_GS между затвором и истоком, внешняя индуктивность стока L, температура кристалла Т_j = 2°С

Напряжение затвор-исток V_GSS или V_GS

Максимальное напряжение между затвором и истоком

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Общая рассеиваемая мощность P_tot или P_D

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора/диода или внутри всего силового модуля P_tot = (T_jmax-T_case)/R_thjc,

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Диапазон рабочих температур T_vj или T_j; T_j(min)... T_j(max)

Допустимый диапазон температур кристалла, в котором модуль может работать

Диапазон температур хранения T_stg; T_stg(min)... T_stg(max)

Диапазон температур, в котором модуль может храниться или транспортироваться, без электрической нагрузки

Напряжение изоляции V_isol или V_is

Эффективное допустимое значение напряжения между входными/управляющими выводами (закорочеными, все выводы соединены друг с другом) и основной пластиной модуля.

Параметры: продолжительность теста (1 мин, 1 с), скорость нарастания напряжения, если требуется; в соответствии с IEC 146-1-1 (1991), EN 60146-1-1 (1993), часть 4.2.1 (совпадает с VDE 0558, часть 1-1: 1993-4) и DIN VDE 0160 (1988-05), часть 7.6 (соответствует EN 50178 (1994)/ E VDE 0160 (1994-11)) испытательное напряжение должно нарастать постепенно до максимального значения.

Степень влажности

Описывает допустимые внешние условия (атмосферную влажность) в соответствии с DIN 40 040

Климатические условия

Описывает допустимые внешние условия испытаний (климат) в соответствии с DIN IEC 68-1

Обратные диоды

Прямой ток I_F

Максимальное значение прямого тока обратных диодов,

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Импульс прямого тока I_FM или прямой импульсный ток I_Fpulse

Импульсное значение тока диода при импульсной работе

Параметры: длительность импульса t_p, температура корпуса, например T_case = 25°С, 80°С

<-- Предыдущая страница

Оглавление

Следующая страница -->