В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Предельные значения

Структура MOSFET модулей

Напряжение сток-исток VDS

Максимальное напряжение между выводами стока и истока MOSFET кристалла для открытой или закрытой цепи затвор-исток.

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Напряжение сток-затвор VDGR

Максимальное напряжение между стоком и затвором.

Параметры: внешнее сопротивление RGS между затвором и истоком, температура корпуса Tcase = 25°С

Продолжительный постоянный ток стока ID

Максимальный постоянный ток стока

Параметр: температура корпуса, например Tcase = 25°С, 80°С: ID@25°С, ID@80°С

Повторяющееся импульсное значение тока стока ID или импульсный ток стока IDpuls

Импульсное значение тока стока при работе в импульсном режиме,

Параметры: длительность импульса tp, температура корпуса, например Tcase = 25°С, 80°С и отношение длительности импульса к паузе (диаграммы «максимальная безопасная область работы»)

Одиночный импульсный рассеиваемый поток энергии EAS

Максимальный рассеиваемый поток энергии от стока к истоку одного кристалла при выключении индуктивной нагрузки (нагрузка одного импульса).

Параметры: мгновенный ток стока iD, напряжение питания сток-исток VDD, внешнее сопротивление RGS между затвором и истоком, внешняя индуктивность стока L, температура кристалла Тj = 2°С

Напряжение затвор-исток VGSS или VGS

Максимальное напряжение между затвором и истоком

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Общая рассеиваемая мощность Ptot или PD

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора/диода или внутри всего силового модуля Ptot = (Tjmax-Tcase)/Rthjc,

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Диапазон рабочих температур Tvj или Tj; Tj(min)... Tj(max)

Допустимый диапазон температур кристалла, в котором модуль может работать

Диапазон температур хранения Tstg; Tstg(min)... Tstg(max)

Диапазон температур, в котором модуль может храниться или транспортироваться, без электрической нагрузки

Напряжение изоляции Visol или Vis

Эффективное допустимое значение напряжения между входными/управляющими выводами (закорочеными, все выводы соединены друг с другом) и основной пластиной модуля.

Параметры: продолжительность теста (1 мин, 1 с), скорость нарастания напряжения, если требуется; в соответствии с IEC 146-1-1 (1991), EN 60146-1-1 (1993), часть 4.2.1 (совпадает с VDE 0558, часть 1-1: 1993-4) и DIN VDE 0160 (1988-05), часть 7.6 (соответствует EN 50178 (1994)/ E VDE 0160 (1994-11)) испытательное напряжение должно нарастать постепенно до максимального значения.

Степень влажности

Описывает допустимые внешние условия (атмосферную влажность) в соответствии с DIN 40 040

Климатические условия

Описывает допустимые внешние условия испытаний (климат) в соответствии с DIN IEC 68-1

Обратные диоды

Прямой ток IF

Максимальное значение прямого тока обратных диодов,

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Импульс прямого тока IFM или прямой импульсный ток IFpulse

Импульсное значение тока диода при импульсной работе

Параметры: длительность импульса tp, температура корпуса, например Tcase = 25°С, 80°С



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники