Предельные значения IGBT-модулей

Структура IGBT модулей

Напряжение коллектор-эмиттер V_CE или V_CES

Максимальное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при закороченной цепи затвор-эмиттер (V_GE = 0).

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Напряжение коллектор-затвор V_CGR

Максимальное напряжение между коллектором и затвором,

Параметры: внешнее сопротивление R_GE между затвором и эмиттером, температура корпуса T_case = 25°С

Продолжительный постоянный ток коллектора I_C

Максимальный постоянный ток коллектора

Параметр: температура корпуса, например T_case = 25°С, 80°С: I_D@25°С, I_D@80°С

Повторяющееся импульсное значение тока коллектора I_CM или импульсный ток стока I_Cpuls

Импульсное значение тока коллектора при работе в импульсном режиме,

Параметры: длительность импульса t_p, температура корпуса, например T_case = 25°С, 80°С и отношение длительности импульса к паузе.

Напряжение затвор-эмиттер V_GES или V_GE

Максимальное напряжение между затвором и эмиттером

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Общая рассеиваемая мощность P_tot или P_D

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора/диода или внутри всего силового модуля P_tot = (T_jmax-T_case)/R_thjc.

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Диапазон рабочих температур T_vj или T_j; T_j(min)- T_j(max)

Допустимый диапазон температур кристалла, в котором модуль может работать

Диапазон температур хранения T_stg; T_stg(min)- T_stg(max)

Диапазон температур, в котором модуль может храниться или транспортироваться, без электрической нагрузки

Напряжение изоляции V_isol или V_is

Эффективное допустимое значение напряжения между входными/управляющими выводами (закорочеными, все выводы соединены друг с другом) и основной пластиной модуля.

Параметры: продолжительность теста (1 мин, 1 с), скорость нарастания напряжения, если требуется; в соответствии с IEC 146-1-1 (1991), EN 60146-1-1 (1993), часть 4.2.1 (совпадает с VDE 0558, часть 1-1: 1993-4) и DIN VDE 0160 (1988-05), часть 7.6 (соответствует EN 50178 (1994)/ E VDE 0160 (1994-11)) испытательное напряжение должно нарастать постепенно до максимального значения.

Степень влажности

Описывает допустимые внешние условия (атмосферную влажность) в соответствии с DIN 40 040

Климатические условия

Описывает допустимые внешние условия испытаний (климат) в соответствии с DIN IEC 68-1

Обратные диоды

Прямой ток I_F

Максимальное значение прямого тока обратных диодов.

Параметр: температура корпуса T_case = 25°С

Импульс прямого тока I_FM или прямой импульсный ток I_Fpulse

Импульсное значение тока диода при импульсной работе

Параметры: длительность импульса t_p, температура корпуса, например T_case = 25°С, 80°С

<-- Предыдущая страница

Оглавление

Следующая страница -->