В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Предельные значения IGBT-модулей

Структура IGBT модулей

Напряжение коллектор-эмиттер VCE или VCES

Максимальное напряжение между выводами коллектора и эмиттера при закороченной цепи затвор-эмиттер (VGE = 0).

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Напряжение коллектор-затвор VCGR

Максимальное напряжение между коллектором и затвором,

Параметры: внешнее сопротивление RGE между затвором и эмиттером, температура корпуса Tcase = 25°С

Продолжительный постоянный ток коллектора IC

Максимальный постоянный ток коллектора

Параметр: температура корпуса, например Tcase = 25°С, 80°С: ID@25°С, ID@80°С

Повторяющееся импульсное значение тока коллектора ICM или импульсный ток стока ICpuls

Импульсное значение тока коллектора при работе в импульсном режиме,

Параметры: длительность импульса tp, температура корпуса, например Tcase = 25°С, 80°С и отношение длительности импульса к паузе.

Напряжение затвор-эмиттер VGES или VGE

Максимальное напряжение между затвором и эмиттером

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Общая рассеиваемая мощность Ptot или PD

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора/диода или внутри всего силового модуля Ptot = (Tjmax-Tcase)/Rthjc.

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Диапазон рабочих температур Tvj или Tj; Tj(min)- Tj(max)

Допустимый диапазон температур кристалла, в котором модуль может работать

Диапазон температур хранения Tstg; Tstg(min)- Tstg(max)

Диапазон температур, в котором модуль может храниться или транспортироваться, без электрической нагрузки

Напряжение изоляции Visol или Vis

Эффективное допустимое значение напряжения между входными/управляющими выводами (закорочеными, все выводы соединены друг с другом) и основной пластиной модуля.

Параметры: продолжительность теста (1 мин, 1 с), скорость нарастания напряжения, если требуется; в соответствии с IEC 146-1-1 (1991), EN 60146-1-1 (1993), часть 4.2.1 (совпадает с VDE 0558, часть 1-1: 1993-4) и DIN VDE 0160 (1988-05), часть 7.6 (соответствует EN 50178 (1994)/ E VDE 0160 (1994-11)) испытательное напряжение должно нарастать постепенно до максимального значения.

Степень влажности

Описывает допустимые внешние условия (атмосферную влажность) в соответствии с DIN 40 040

Климатические условия

Описывает допустимые внешние условия испытаний (климат) в соответствии с DIN IEC 68-1

Обратные диоды

Прямой ток IF

Максимальное значение прямого тока обратных диодов.

Параметр: температура корпуса Tcase = 25°С

Импульс прямого тока IFM или прямой импульсный ток IFpulse

Импульсное значение тока диода при импульсной работе

Параметры: длительность импульса tp, температура корпуса, например Tcase = 25°С, 80°С



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники