TS81102G0

8/10-разрядный демультиплексор 1:4/8 на 2 ГГц

Отличительные особенности:

• Программируемый коэффициент демультиплексирования:
      – 1:4: Макс. скорость преобразования - 1 млрд. преобр. в сек.
      – Рассеиваемая мощность (8/10 разрядов): не более 4.3/4.7 Вт (50-Омный ЭСЛ-выход)
      – 1:8: Макс. скорость преобразования - 2 млрд. преобр. в сек.
      – Рассеиваемая мощность (8/10 разрядов): не более 6/6.9 Вт (50-Омный ЭСЛ-выход)
      – 1:16 с одной TS8388B или один TS83102G0B + 2 демультиплексора
• Режим параллельного вывода данных
• 8/10 разрядов
• Дифференциальный ЭСЛ-совместимый ввод данных
• Вход синхронизации (готовность данных АЦП) с делением на два или без деления
• Регулировка задержки входа синхронизации преобразования
• Вывод данных на несимметричных транзисторных каскадах:
      – Регулируемые синфазный сигнал и размах
      – Опорный выход порогового логического уровня
      – (ЭСЛ, ПЭСЛ, ТТЛ)
• Асинхронный сброс
• Синхронный сброс
• Специальный узел для приложений с использованием АЦП вместе с демультиплексором:
      – Узел автономной регулировки задержки для выравнивания момента преобразования АЦП
• Дифференциальный выход готовности данных
• Встроенный блок самодиагностики (BIST)
• Двойное питание VEE = -5В, VCC = +5В
• Стойкость к радиации (более 100 кРад)
• Корпус TBGA 240

Структурная схема TS83102G0B:

Общее описание:

TS81102G0 – 10-разр. высокоскоростной (до 2 ГГц) демультиплексор, разработанный для совместной работы с высокопроизводительными АЦП, в т.ч. 8-разр. АЦП Atmel TS8388B с частотой преобразования 1 млрд. преобразований в секунду и 10-разр. АЦП TS83102G0B с частотой преобразования 1 млрд. преобразований в секунду.

TS81102G0 использует оригинальную архитектуру, которая позволяет подстраивать длительность задержки выборки и регулировать выходные уровни. Демультиплексор позволяет пользователю обрабатывать быстродействующий поток данных на процессорной скорости и использует сверхбыстродействующую биполярную технологию (предельная частота NPN-транзистора 25 ГГц).

Информация для заказа:

Документация:

325 Kb Engl Описание микросхемы