В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Чувствительность к ESD (электростатическому разряду) и способы защиты

Все MOSFET и IGBT модули чувствительны к ESD, так как толщина изоляции затвора составляет несколько десятков нанометров. Степень чувствительности зависит от значения входной емкости (MOSFET: емкость СGS затвор-исток / IGBT: емкость СGE затвор-эмиттер).

IGBT и силовые MOSFET с большими площадями кристаллов характеризуются большими входными емкостями и относятся к менее чувствительным, по сравнению с маломощными компонентами, в соответствии со стандартом MIL-STD 883С, 3015.6.

В отношении к обращению с IGBT и MOSFET, нужно также придерживаться упомянутого MIL стандарта, а также DIN VDE 0843 TS, который идентичен с IEC 801-2.

Исследование и дальнейшая обработка должны проводиться только в специально подготовленных рабочих местах с токопроводящими столами, заземлениями и т.п. персоналом в соответствующей одежде (антистатические халаты, заземление на запястье, если есть). Все оборудование для сборки и транспортировки а также печатные платы должны отвечать требованиям ESD.

Силовые модули поставляются с закороченными выводами затвора и истока (MOSFET) или затвора и эмиттера (IGBT) при помощи проводящего пенопласта или резины, в соответствующей токопроводящей упаковке. Такое короткое замыкание должно оставаться как можно дольше до подключения затвора.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники