В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Выводы

Поведение IGBT при жесткой коммутации не применимо к мягкой коммутации. В принципе PT-IGBT с меньшим временем жизни носителей заряда более пригодны для устройств с мягкой коммутацией чем NPT-IGBT из-за динамических процессов, изложенных ранее. Это было проверено при испытаниях 1200 В PT-IGBT ключей со значительным уменьшением общей рассеиваемой мощности.

Такое сравнение может не подойти для других классов напряжения. Для новых 600 В приборов результат может быть в пользу NPT структур с тонкопленочной технологией (уменьшенное падение напряжения и время жизни) благодаря улучшенной температурной стабильности параметров приборов.

Для устройств с мягкой коммутацией предпочтительней MOSFET, особенно для ZVS, что обусловлено их униполярностью.

Так как потери в открытом состоянии больше по принципу работы, рекомендуется применение на высоких частотах коммутации (> 50 кГц), а также с низкими напряжениями / высокими токами. Более широкая область применения новых MOSFET-технологий с уменьшенным значением RDSon (напр. CoolMOS).

Поскольку имеется большое разнообразие преобразователей с малыми потерями и специфическими требованиями к ключам, нельзя ограничиваться стандартным заключением об ограниченных частотах IGBT и MOSFET ключей. В схеме на рис.3.79 были получены следующие максимальные частоты для 1000.1200 В / 20.50 А приборов:

NPT-IGBT: ZVS: 50 кГц ZCS: 70.80 кГц
PT-IGBT: ZVS: 70...80 кГц ZCS: 80...90 кГц
MOSFET: ZVS: > 200 кГц ZCS: > 200 кГц


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники