В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Энергия управления

Основные применяемые решения и их наиболее важные особенности приведены ниже:

Изоляция потенциалов Трансформаторная Без изоляции
Система 50 Гц источник питания Импульсный источник питания   схема с компенсир. обратной связью
Питание Доп. источник или сетевое напряжение Доп. источник От основного источника Рабочее напряжение на верхней стороне
Частота переменного напр. Низкая Очень высокая Средняя Средняя (имп.част.)
Фильтрация Высокая Очень низкая Низкая низкая
Для силовых модулей 1200 В > 1700 В 1700 В 1200 В
Выходное напряж. Положит. и отрицательное Положит. и отрицательное Только положительное
Ограничение рабочего цикла нет нет нет есть
Взаимная емкость высокая низкая средняя низкая
Излучение помех (ВЧ) нет высокое низкое нет
Стоимость низкая низкая высокая очень низкая


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники