В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Данные управления и обратная связь

Следующая таблица содержит наиболее часто используемые единицы передачи с и без изоляции потенциалов и их возможности.

Изоляция потенциалов Трансформаторная Оптическая Оптическая Без изоляции
Система Импульсный трансформатор Оптопара Волоконно-оптическая связь Со сдвигом уровня
Для силовых модулей до > 1700 В 1700 В > 1700 В > 1200 В
Направление передачи двунаправленное однонаправленное одно- двунаправленное Однонаправленное
Ограничение рабочего цикла есть нет нет нет
Взаимная емкость 5.20 пФ 1...5 пФ < 1 пФ > 20 пФ
Невосприимчивость к dv/dt высокая низкая высокая низкая
Стоимость средняя низкая высокая низкая

При помощи дополнительных цепей импульсный трансформатор способен передавать сигналы обратной связи как постоянную информацию во время разрывов в работе драйвера (напр. мертвая зона в полумостовых схемах); волоконно-оптическая связь, оснащенная двойными передатчиками / приемниками может работать так же само.

Аналоговые выходные сигналы могут поступать назад с драйвера в основные цепи управления, например при импульсной модуляции с помощью импульсных трансформаторов, оптопар или волоконно-оптической связи.

Изоляция потенциалов уже имеется в датчиках тока на основе датчиков Холла или компенсационных магнитных датчиков.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники