В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Цепи драйвера для силовых MOSFET и IGBT

В большинстве случаев современные драйверы оснащены монолитными микросхемами, которые могут предназначаться для одинарных, полумостовых и мостовых драйверов разной конфигурации. Такие схемы часто выполняют следующие функции:

  • источник напряжений для затвора;
  • вход для контроля VCEsat или VDS(on), иногда также вход для шунта или датчика- эмиттера;
  • контроль превышения напряжения питания;
  • память ошибок или выход обратной связи ошибок;
  • подстраиваемое время мертвой зоны и отдельную фильтрацию питания для верхнего драйвера.

Эти стандартные драйверы не обеспечивают реальное разделение потенциалов. В некоторых вариантах управляющий вход можно сконфигурировать для связи через оптопару или импульсные трансформаторы.

Кроме того, наблюдался прогресс в разработке быстрых оптопар с силовыми драйверами, в которые интегрирован контроль источника питания и VCEsat или VDS(on). Для получения простых драйверов могут прибавляться преобразователи постоянного напряжения и несколько пассивных компонентов.

С возрастающим разнообразием функций и параметров в цепях драйвера, необходимые на первичной стороне конструкции также должны отвечать более сложным требованиям, включающим например, логический входной сигнал, подавление коротких импульсов, создание мертвых зон, память ошибок и оценка ошибок, управление преобразователями постоянного напряжения и импульсными трансформаторами.

Для производства драйверов с низкой стоимостью эти функции могут комбинироваться в управляющих специализированных ИС, разработанных SEMIKRON, SKIC 2001 [154].

SKIC 2001 применяется в SEMIKRON драйверах также доступна как отдельная ИС.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники