В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Потери мощности в понижающем преобразователе

На рис.3.2 представлена схема понижающего преобразователя с диаграммами работы на активно-индуктивную нагрузку.


Рис. 3.4

В установившемся режиме работы схемы рассеиваемую мощность в определенной рабочей точке можно рассчитать:

IGBT

Рассеиваемая мощность при включении: Pon/T = fs · Eon/T(vD, iLL, Tj/T)

Рассеиваемая мощность при выключении: Poff/T = fs · Eoff/T(vD, iLH, Tj/T)

Рассеиваемая мощность в открытом состоянии:

Пренебрежение выбросом тока нагрузки приведет к:
Pfw/T = iLavg · vCEsat(iLavg, Tj/T) · (t1/T) = iLavg · vCEsat(iLavg, Tj/T) · DT

DT - рабочий цикл транзистора
iLavg - средний ток нагрузки

Обратный диод

Рассеиваемая мощность при выключении: Poff/D = fs · Eoff/D(vD, iLH, Tj/D)

Рассеиваемая мощность в открытом состоянии:

Пренебрежение выбросом тока нагрузки приведет к:
Pfw/T = iLavg · vF(iLavg, Tj/D) · (1 - DT) = iLavg · vF(iLavg, Tj/D) · DD

DD - рабочий цикл диода

Расчет рассеиваемой мощности для IGBT и диода в открытом состоянии основан на идеальном рабочем цикле (пренебрегая временем коммутации в общей продолжительности цикла). Выбранные соотношения для рассеиваемой энергии при коммутации также для падения напряжения на IGBT и диоде приведены в технических данных (см. п.2)



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники