В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Буквенные обозначения, термины, стандарты

Буквенные обозначения и термины [264], [265]

Напряжение: первые две буквы индекса используются для обозначения выводов, между которыми бралось напряжение. Если потенциал обозначенного первой буквой вывода положительный по сравнению с потенциалом обозначенного второй буквой индекса (относительный потенциал), приложенное напряжение положительно, например VCE.

Для диодов "F" обозначает прямое напряжение (положительный потенциал анода по сравнению с потенциалом катода) и "R" - обратное запирающее напряжение (положительный потенциал катода по сравнению с потенциалом анода).

У транзисторов дополнительная третья буква индекса может показывать тип цепи между выводом 2 и необозначенным третьим выводом, например VCGR, где третья буква определяет:

S: короткое замыкание выводов 2 и 3,
R: заданный резистор между выводами 2 и 3,
V: заданное напряжение между выводами 2 и 3,
X: заданные резистор и напряжение между выводами 2 и 3.

Буквы индекса могут предшествовать или следовать за другими аббревиатурами параметров, с или без скобок, прописными или строчными буквами (например, V(BR)DS, или V(GE)th, или V(CE)sat), например:

(BR): напряжение пробоя,
sat: напряжение насыщения,
(th): пороговое напряжение,
clamp: фиксированное напряжение, ограниченное внешними цепями.

Питающие напряжения часто обозначаются двумя буквами индекса, например VGG (напряжение питания цепи затвор-эмиттер), VCC, VDD.

Токи: по крайней мере, одна буква индекса используется для обозначения тока.

Положительные значения определяют положительные токи, которые поступают на вывод компонента и обозначаются первой буквой индекса, например IGE. Если нет возможности перепутать, обычно используется первая буква индекса, например IC (ток коллектора), ID, IG.

Так же обозначаются и отрицательные токи.

Для диодов "F" обозначает прямые токи (анод-катод) и "R" - обратные токи (катод-анод).

Для транзисторов дополнительная третья буква индекса может показывать тип цепи между выводом 2 и необозначенным третьим выводом, например IGES, где третья буква определяет:

S: короткое замыкание выводов 2 и 3,
R: заданный резистор между выводами 2 и 3,
V: заданное напряжение между выводами 2 и 3,
X: заданные резистор и напряжение между выводами 2 и 3.

Буквы индекса могут предшествовать или следовать за другими аббревиатурами, с или без скобок, прописными или строчными буквами, например:

AV: среднее значение,
RMS: эффективное значение (среднеквадратическое),
M: импульсное (максимальное),
R: периодическое,
S: непериодическое (выброс)
puls: импульсное (прямой ток).

Другие символы: терминология, используемая для других символьных обозначений электрических, температурных и механических параметров, следует непосредственно за терминологией напряжений и токов; для дальнейших пояснений см. нижеследующую таблицу. Буквы индекса могут также определять включенное и выключенное состояния (чаще в скобках).

Стандартные обозначения терминов и определений

Подробные сведения об определениях, расшифровке терминов, справочных данных, и способов измерений можно найти, например, в следующих стандартах:

Стандартные термины и определения

DIN 40 900 Т5 Полупроводники, символы коммутации
DIN 41 781 Диоды: термины и определения
DIN 41 785 Т3 Силовые полупроводники: символы
DIN 41 858 Полевые транзисторы: термины и определения
IEC 191-1...4 Конструктивные стандарты (корпуса)
IEC 50 (521) 1984, (551) 1982 Международный словарь по инженерной электронике
IEC 617-5 Графические символы, коммутационные символы для диаграмм
IEC 971 Полупроводниковые преобразователи: система обозначений

Справочные данные и процесс измерений

DIN 41 791 Т1 Принцип обозначений для справочных данных
DIN 41 792 Т2
Т3
Процесс измерений: диод
Процесс измерений: тепловые сопротивления
IEC 747-1: 1983 Полупроводниковые комплектующие / Часть 1: Основные рекомендации со ссылками на максимальные значения и характеристики, процесс измерений
IEC 747-2: 1983, А1(1992), А2(1993) Выпрямительные диоды
IEC 747-8: 1984, А1(1991), А2(1993) Полевые транзисторы
IEC 60747-9: 1998 FDIS IGBT

Научно-исследовательские стандарты и надежность

IEC 664-1: 1992 Соглашения по изоляции электрических устройств < кВэф
Раздел 1: Принципы, процесс измерений
IEC 146-1-1: 1991/EN60146-1-1: 1993 Полупроводниковые преобразователи: основные требования
DIN EN50178 (VDE0160): 4/1998 Электронные приборы для силовых устройств: основной процесс измерения изоляции
IEC 947-4-2/EN60947-4-2: 1997 Система обозначений низковольтных устройств, часть 4
UL 1557: 5/1993 Возгораемость, безопасность изоляции
UL 94-V0: 9/1981 Возгораемость пластмасс
IEC 747-1, IX: 1983 Компоненты с риском ESD (электростатический разряд)
DIN IEC 68-2... Испытания на надежность
ISO 9001/EN29001: 1995 Система сертификации качества
DIN EN ISO 9001: 8/1994 Система переквалификации качества


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники