В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Единичные и общие потери мощности

Предварительный комментарий

Все пояснения в п.3.2 относятся к IGBT модулям. Весь анализ и расчеты аналогично применимы к MOSFET модулям, соответственно при изменении всех указанных индексов для MOSFET. Разъяснения приведены для преобразователей с жесткой коммутацией, работающих с постоянным напряжением.

В силовой электронике IGBT а также диоды работают в основном как ключи, периодически изменяя статическое и динамическое состояние. В любом из этих состояний происходит рассеивание мощности или энергии, которое нагревает полупроводник и суммируется с общими потерями мощности ключа. Поэтому, максимальная температура перехода Tj = 150°С (для кремниевых компонентов), данная производителем, не должна превышаться при любых условиях работы преобразователя при использовании силовых полупроводниковых приборов.

На рис.3.3 представлен обзор отдельных рассеиваемых мощностей в ключевом режиме работы.


Рис. 3.3

IGBT

Потерями в закрытом состоянии и потерями драйвера обычно можно пренебречь, так как они составляют только малую часть общих потерь мощности.

Потери мощности в открытом состоянии (Pfw/T) зависят от:

  • тока нагрузки (превышение выходной характеристики vCEsat = f (iC, vGE)),
  • температуры перехода,
  • рабочих циклов.

Для данных параметров драйвера потери мощности при включении и выключении (Pon/T, Poff/T) зависят от:

  • тока нагрузки,
  • постоянного питающего напряжения,
  • температуры перехода,
  • частоты коммутации.

Общие потери мощности в IGBT: Ptot/T = Pfw/T + Pon/T + Poff/T

Обратный диод:

Так как они составляют только малую часть общих потерь мощности, потерями при обратном закрытом состоянии обычно можно пренебречь. Диоды Шоттки можно исключить из-за их обратных токов при большой температуре.

Потери мощности при включении вызваны процессом прямого восстановления. Что касается быстрых диодов, то этой частью потерь также часто можно пренебречь.

Потери мощности в открытом состоянии (Pfw/D) зависят от:

  • тока нагрузки (превышение выходной характеристики vF = f (iF)),
  • температуры перехода,
  • рабочих циклов.

Для данных параметров драйвера при коммутации IGBT с диодом потери мощности при выключении (Poff/D) зависят от:

  • тока нагрузки,
  • постоянного питающего напряжения,
  • температуры перехода,
  • частоты коммутации.

Общие потери мощности в диоде: Ptot/D = Pfw/D + Poff/D

Гибридный силовой модуль с n IGBT и m диодами

Общие потери мощности в модуле: Ptot/M = (n·Ptot/T) + (m·Ptot/D)



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники