В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Диаграммы

С приведенными данными этот раздел даст некоторые рекомендации для рассмотрения диаграмм по MOSFET. В случае, если диаграмма детально рассмотрена в других разделах, на это будет ссылка.

Номинальная рассеиваемая мощность PD MOSFET модуля от температуры корпуса Tcase

Номинальная рассеиваемая мощность
Рис. 2.2. Номинальная рассеиваемая мощность

Основана на номинальной рассеиваемой мощности на MOSFET PD(25°С) = (Tjmax - 25°С)/Rthjc которое ограничено Tcase= 25°С по определению, функция описывает снижение номинального значения при высоких температурах корпуса.

Максимально безопасная область при импульсной работе (SOA)

Как показано в п. 1.2.3, MOSFET должен работать при почти прямоугольной характеристике i = f(u) между VDD и IL при жестком переключении.

SOA-диаграммы отображают ширину зоны, в которой можно безопасно работать:

  • максимальный ток стока (горизонтальный предел);
  • максимальное напряжение сток-исток (вертикальный предел);
  • максимальная рассеиваемая мощность или температура кристалла (диагональ, пересекающая линию предела на рис.2.3);
  • сопротивление в открытом состоянии (диагональ, продолжающая линию предела).

Рис.2.3 показывает максимум кривой ID = f(VD) при коммутации и в открытом состоянии для разных длительностей импульса tp с двойной логарифмической шкалой.

Важно, что максимальные значения справедливы при температуре корпуса Tcase= 25°С и для одиночных импульсов, которые не нагреют MOSFET выше максимальной температуры кристалла Tj = 150°С.

Хотя нижняя из приведенных диагоналей представляет преувеличение максимальных постоянных потерь тепла Ptot, MOSFET модули могут подойти к линейной характеристике площади при коммутации. Работа в аналоговом режиме длительный период времени не допустима из-за асимметрии при разбросе среди кристаллов, а также отрицательный температурный коэффициент пороговых напряжений может вызвать температурную нестабильность

Максимально безопасная область ID = f(VD) при импульсной работе (SOA)
Рис. 2.3. Максимально безопасная область ID = f(VD) при импульсной работе (SOA)

Выходная характеристика ID = f(VDS)

Рис.2.4 показывает выходную характеристику (типичное значение) с параметром VGS (также см. п.1.2.2.1)

Обычная выходная характеристика ID = f(VDS) MOSFET с параметром VGS
Рис. 2.4. Обычная выходная характеристика ID = f(VDS) MOSFET с параметром VGS

Переходная характеристика ID = f(VGS)

Переходная характеристика (рис.2.5) показывает поведение MOSFET на рабочем участке при VDS = 25 В (линейная работа). Ток стока связан с напряжением затвор-исток через ID = gfs · (VGS - VGS(th)).

Типичная переходная характеристика ID = f(VGS)
Рис. 2.5. Типичная переходная характеристика ID = f(VGS)

Сопротивление в открытом состоянии от температуры кристалла

См. п. 2.6

Зависимость тока стока от температуры кристалла

См. п. 2.6

Зависимость напряжения пробоя сток-исток от температуры

Как показано на рис.2.6 напряжения пробоя сток-исток MOSFET растет линейно от температуры. Так как максимальное значение приведено в справочных данных при Tj = 25°С, можно учесть его величину при более низких температурах.

Зависимость напряжения пробоя сток-исток V(BR)DSS от температуры Tj
Рис. 2.6. Зависимость напряжения пробоя сток-исток V(BR)DSS от температуры Tj

Изменение напряжения сток-исток от скорости снижения тока стока

См. п. 3.1.1

Внутренние емкости от напряжения сток-исток

См. п.1.2.3

Характеристика заряда затвора

См. п.1.2.3

Прямая характеристика диода

См. п.1.2.2.1

Зависимость прямого сопротивления от тока стока

Рис.2.7 разъясняет соотношение между прямым сопротивлением RDS(on) и током стока ID или напряжением затвор-исток VGS для полностью управляемого MOSFET

Типичная зависимость между прямым сопротивлением RDS(on) и током стока ID или напряжением затвор-исток VGS
Рис. 2.7. Типичная зависимость между прямым сопротивлением RDS(on) и током стока ID или напряжением затвор-исток VGS

Сопротивление растет с возрастанием напряжения затвор-исток. На любой точке кривой можно увидеть плавное увеличение RDS(on) вместе с током стока.

Зависимость порогового напряжения затвор исток от температуры

На рис.2.8 показаны три кривые с типичными и предельными значениями, характеризующими зависимость между пороговым напряжением VGS(th) и температурой кристалла MOSFET Tj.

Зависимость порогового напряжения затвор исток от температуры
Рис. 2.8. Зависимость порогового напряжения затвор исток от температуры

VGS(th) будет линейно падать с возрастанием Tj. Температурный коэффициент порогового напряжения составляет около -10 мВ/К в диапазоне температур -50...+150°С.

Переходные температурные импедансы для IGBT и обратных диодов

См. п. 3.2



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники