В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Прямой и обратный режимы

В прямом направлении напряжение падает на pn-переходе и сопротивлении смежной n- зоны, напряжение состоит из:

Диффузное напряжение на pn-переходе зависит от примесей в обеих сторонах перехода, и обычно составляет 0.6.0.8 В. Для быстрых диодов с обратным напряжением 600 В и более преобладает падение на сопротивлении. Время жизни носителей заряда в обратных диодах должно быть очень малым, так, чтобы падение напряжения зависело экспоненциально от ширины основы wB :

LA - неполярная длина диффузионной области.

, где константа диффузионной области

k: постоянная Больцмана, 1,38066 · 10-23

q: заряд, 1,60218 · 10-19

mn и mp - для подвижности электронов и дырок при заполнении n- зоны свободными электронами и дырками [284]. Благодаря такой экспоненциальной корреляции можно получить наименее возможное wB.

Несмотря на это, ширина основы wB определенно влияет на запирающее напряжение. Возможны два различных случая (рис.1.29):

Если wB определена так, что зона пространственного заряда не может простираться в n+ зону (треугольная характеристика), это называется non-punch-through структура [285]. Если wB определена так, что зона пространственного заряда простирается в n+ зону (трапецеидальная характеристика), это называется punch-through диодом. Но реальные punch-through, у которых зона пространственного заряда может достигать примеси другого типа, в этом случае не реализуемы. Такое обозначение общепринято.

Диод с треугольной (а) и трапецеидальной (b) характеристикой
Рис. 1.29. Диод с треугольной (а) и трапецеидальной (b) характеристикой

Для идеального NPT-диода wB определено так, что оно находится в конце треугольной характеристики. Если примесь оптимальна, будет минимально wB

где С = 1,8 · 10-35 см6V-7

Минимальную примесь, требуемую для PT-диодов, можно рассчитать таким же образом. В предельном случае характеристика может быть прямоугольной, Е1 = Е0 (см. рис.1.29). Соответственно,

По сравнению с wB, определенной для NPT (1.8):

Этот крайний случай, однако, можно и не получить, но с существующими технологиями это может быть приблизительно

Различия между РТ-структурой в соответствии с (1.11) и NPT-структурой в соответствии с (1.8) добавляют 0,8 В при открытом диоде, учитывая малое время жизни носителей заряда. Поэтому РТ-структура является предпочтительней.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники