В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Конструкция мощных быстрых диодов

Мы должны установить различие между двумя основными типами диодов: диоды Шоттки и pin-диоды. Вo-первых, контакт металл-полупроводник служит запирающим переходом. При этом нет диффузного напряжения на pn-переходе как у pin-диодов; это обеспечивает меньшее падение напряжения по сравнению с pin-диодами, с очень тонкой n-зоной. При запирании диода, идеально должна зарядиться только зона пространственного заряда. Благодаря этому диоды работают на очень высоких частотах ( > 100 кГц). Это преимущество, однако, ограничено напряжениями < ~ 100 В. В этом диапазоне диод Шоттки наиболее подходящий для обратных диодов для MOS-транзисторов. Но при больших напряжениях

  • будет соответственно расти падение напряжения, wB возрастет и работает только один тип носителей заряда (однополярный), и
  • будет соответственно расти ток утечки, что вызовет температурную нестабильность.

Структуры диода Шоттки, pin-эпитаксиального и pin-диффузного диодов
Рис. 1.28. Структуры диода Шоттки, pin-эпитаксиального и pin-диффузного диодов. Внизу: профиль примесей (схема)

Преимущества pin-диодов заметны при напряжениях выше 100 В. В выпускаемых сегодня диодах средняя зона не «i» (внутренняя), а n-типа с очень малой долей примеси (n-) по сравнению с граничными зонами. В pin-эпитаксиальных диодах (рис.1.28, посредине) n-зона отделена от высоко-примесной n+ подложки (эпитаксии). Тогда диффузной становиться р-зона. По этой технологии можно получить очень малую толщину wB, до нескольких мкм, кремниевая подложка остается достаточно тонкой для обеспечения хорошей работы. С диффузией рекомбинационных областей (в основном диффузией золота) очень быстрые диоды можно, тем не менее, производить с малым падением напряжения благодаря малому wB. Однако это напряжение будет всегда выше диффузного напряжения pn-перехода, 0,6-0,8 В. Основная область работы эпитаксиальных (эпи-) диодов лежит в диапазоне от 100 В до 600 В, некоторые производители выпускают эпи-диоды на 1200 В.

При напряжении более 600 В n- зона расширяется до таких размеров, что может возникнуть диффузный pin-диод (правый рисунок)- р- и n+ зоны диффундируют в n- -подложку. Аналогично, рекомбинационные области необходимы для установления динамической характеристики.

Как для основного применения в силовых модулях при напряжениях более 100 В, pin-диоды более детально рассмотрены далее.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники