В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Режим включения

Когда диод включатся, он должен преодолеть сопротивление низкопримесной основы. Поэтому импульс напряжения включения будет расти пропорционально wB. Импульс напряжения включения становится предельным только в случае, если выбрана значительная ширина основы wB из-за значительного обратного напряжения более 1200 В. Поэтому PT-диоды будут работать с оптимальным режимом включения.

Обратные диоды всегда содержат области рекомбинаций. Для обратных диодов, рассчитанных на напряжения 1200 В и более, необходимо избегать областей рекомбинаций, которые вызывают возрастание сопротивления основы. Область рекомбинации может быть одна, что создается диффузией золота. Области рекомбинаций, созданные диффузией платины, потоком электронов или ионами света вызовут только небольшое возрастание перенапряжения при открывании, в отличие от диодов без областей рекомбинации.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники