Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

XI Специализированная выставка-форум Передовые Технологии Автоматизации. ПТА - Санкт-Петербург 2018



текст еще



Режим включения

Когда диод включатся, он должен преодолеть сопротивление низкопримесной основы. Поэтому импульс напряжения включения будет расти пропорционально wB. Импульс напряжения включения становится предельным только в случае, если выбрана значительная ширина основы wB из-за значительного обратного напряжения более 1200 В. Поэтому PT-диоды будут работать с оптимальным режимом включения.

Обратные диоды всегда содержат области рекомбинаций. Для обратных диодов, рассчитанных на напряжения 1200 В и более, необходимо избегать областей рекомбинаций, которые вызывают возрастание сопротивления основы. Область рекомбинации может быть одна, что создается диффузией золота. Области рекомбинаций, созданные диффузией платины, потоком электронов или ионами света вызовут только небольшое возрастание перенапряжения при открывании, в отличие от диодов без областей рекомбинации.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2018 ООО Рынок Микроэлектроники