В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Статьи > Транзисторы

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



RET транзисторы NXP

История транзисторов

Рождение твердотельной электроники можно отнести к тридцатым годам 19 века, когда Майкл Фарадей экспериментируя с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость данного вещества растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается. В то время такое явление не было достаточно изучено из-за отсутствия технических возможностей и Фарадей не смог его объяснить. Следующим этапом в развитии твердотельной электроники стал 1874 год, когда немецкий физик Фердинанд Браун опубликовал свою статью в одном из журналов, где он описал важнейшее свойство полупроводников (на примере серных металлов) - возможность проводить ток только в одном направлении. Браун тщетно пытается объяснить, противоречащее закону Ома, выпрямляющее свойство контакта полупроводника с металлом, проводя все новые и новые исследования. Браун не сумел объяснить такое свойство полупроводников и его современники не уделили должного внимания этому явлению.

Появление транзистора в XX веке стало переворотным моментом в развитии электроники. Это изобретение связано со многими именами великих ученых.

В 1906 году американский инженер Гринлиф Виттер Пикард получил патент на кристаллический детектор. Такой детектор представлял собой тонкий металлический проводник, с помощью которого осуществлялся контакт с поверхностью металла. Появление множества конструкций такого детектора, не принесло желаемых результатов, а появление в это время электронных ламп сводит на нет все усилия создать полупроводниковое устройство отвечающее требованиям того времени.

Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году на имя Юлия Эдгара Лилиенфельда. Немецкий физик Оскар Хейл в 1934 году запатентовал полевой транзистор.

Полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физическим процессам они проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы, задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу микроэлектроники, был изготовлен позже биполярного транзистора в 1960 году. И только в 90-х годах XX века во времена лавинного развития компьютерной техники, МОП-технология получила массовое распространение и стала доминировать над биполярной.

Так только в 1947 году Уильям Шокли, Джон Барди и Уолтер Браттейн в лабораториях компании Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, который был продемонстрирован 16 декабря того же года. 23 декабря состоялась официальная церемония демонстрации транзистора в действии, и эта дата считается днем изобретения транзистора.

Транзистор получил свое настоящее наименование не сразу, предлагались различные варианты его наименования "полупроводниковый триод" (semiconductor triode), "твердый триод" (solid triode), "триод поверхностного состояния" (surface states triode), "кристаллический триод" (crystal triode) и "lotatron", но в итоге было принято название предложенное Джоном Пирсом транзистор (transistor от анг. transfer - переносить и resistance - сопротивление).

Первоначально название "транзистор" относилось к резисторам, управляемым напряжением, схематически транзистор можно представить именно в таком виде, как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах - напряжение между затвором и истоком, в биполярных - напряжение между базой и эмиттером).

Транзистор структура, основные понятия и принципы работы

Транзистор - полупроводниковый электронный элемент, как правило, с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор построен на основе трехслойного кристалла с двумя близко расположенными pn-переходами (рис.1).

Структура NPN биполярного транзистора
Рисунок 1. Структура NPN биполярного транзистора

В транзисторе имеются три области: эмиттер, база, коллектор. В соответствии с расположением pn - переходы называются эмиттер-база - эмиттерным, база коллектор - коллекторным. В зависимости от типа проводимости слоев различают два типа транзисторов: pnp и npn. Принцип работы обоих типов транзисторов одинаковый, разница только в проводимости. В зависимости от полярности напряжений приложенных к электродам транзистора, различают следующие режимы работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.

В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном. В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, а в режиме отсечки - в обратном. В инверсном же режиме коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный в обратном.

Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимости от приложенных к его переходам напряжений. В линейном режиме управление токов в выходной цепи осуществляется за счет изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Такое свойство усиливать сигналы широко используется в аналоговой технике. Принцип усиления сигнала в транзисторе, основан на вольтамперной характеристике (ВАХ) транзистора, и чем круче ВАХ, тем больше коэффициент усиления. Отсюда следует, что в линейном режиме транзистор для малых приращений тока базы можно заменить источником тока коллектора, управляемого током базы. При этом если пренебречь падением напряжения между базой и эмиттером, то можно считать этот переход коротким замыканием.

Для перехода транзистора из линейного режима в режим насыщения необходимо увеличивать ток базы до тех пор, пока напряжение на коллекторе не понизится до такого значения, при котором произойдет отпирание коллекторного перехода. При переходе в режим насыщения в базе протекает избыточный ток, т.е. ток базы превышает значение, необходимое для получения данного тока коллектора при работе транзистора в линейном режиме.

Другим ключевым режимом биполярного транзистора является режим отсечки. Перевести транзистор в режим отсечки можно приложением между базой и эмиттером обратного напряжения.

Исходя из условий описанных выше, два ключевых режима транзистора - насыщения и отсечки - позволяют использовать транзистор как замкнутый или разомкнутый ключ S.

Транзисторные ключи находят широкое применение в различных электронных устройствах: измерительных усилителях для коммутации сигналов, в силовых преобразователях частоты и др. Во всех этих применениях транзистор попеременно переводится из режима насыщения в режим отсечки и обратно. В связи с этим очень важным является скорость переключения такого ключа, которая обычно характеризуется временем переключения или максимальной частотой коммутации.

Последним режимом работы транзистора является инверсный режим, при котором коллекторный переход смещается в прямом направлении, а эмиттерный в обратном. По сути дела, в этом режиме коллектор и эмиттер меняются местами, и роль коллектора теперь выполняет эмиттер. Если транзистор несимметричный, то обычно в инверсном режиме падает усиление транзистора.

Наиболее часто инверсный режим транзистора используется в двунаправленных ключах. В этом случае транзистор делается симметричным и его усиление практически не изменяется при замене коллектора и эмиттера. В таких транзисторах области коллектора и эмиттера имеют одинаковые свойства и геометрические размеры, поэтому любая из них может работать как эмиттер или коллектор. Для симметричных транзисторов характеристики в инверсном режиме подобны характеристикам в линейном режиме.

Динамические характеристики транзистора по-разному описывают его поведение в линейном или ключевом режимах. Для ключевых режимов очень важным является время пере-ключения транзистора из одного состояния в другое. В то же время для усилительного режима транзистора более важными являются его свойства, которые показывают возможность транзистора усиливать сигналы различных частот.

Параметры предельных режимов. Предельно допустимые режимы работы транзисторов определяются максимально допустимыми напряжениями и токами, максимальной рассеиваемой мощностью и допустимой температурой корпуса прибора. Основными причинами, вызывающими выход транзистора из строя или нарушение нормальной работы схемы в результате изменения основных параметров транзисторов, могут быть: слишком высокое обратное напряжение на одном из переходов и перегрев прибора при увеличении тока через переходы.

RET-транзистор

На рынке аналоговой техники в настоящее время доминируют биполярные транзисторы (международный термин биполярного транзистора - bipolar junction transistor (BJT)). Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной - сплавление, диффузия и т.д. это в значительной мере определяет характеристики прибора. По составам основного полупроводникового материала (иногда применяются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности, например "кремний на сапфире") различают германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые транзисторы.

Что представляет собой RET-транзистор?

Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) - биполярные транзисторы со встроенными в единый корпус резисторами, иногда их так же называют цифровыми транзисторами (digital transistors) (рис.2).

Строение RET транзисторов
Рисунок 2. Строение RET транзисторов

Экономические аспекты применения RET транзисторов

Проведем экскурс в теорию экономической эффективности производства.

Эффективность производства - это сложная экономическая категория, в ней отражается действие многих экономических законов и показывается одна из важнейших сторон общественного производства - его результативность. Формы проявления эффективности можно сгруппировать следующим образом:

  • по функциональным подсистемам, то есть оценка эффективности базируется на каком-либо показателе (технологическая, экономическая, социальная и прочие подсистемы);
  • по уровню структуры народного хозяйства, здесь речь идет о масштабе оцениваемого объекта, например, можно оценивать эффективность производства в целой отрасли, а можно оценивать эффективность производства на маленьком подразделении предприятия;
  • по отражению затрат, например, подвергаются оценке эффективность затрат труда или производственная эффективность;
  • по форме идентификации, эффективность может быть как абсолютной, так и относительной (по сравнению с чем-либо).

Повышение эффективности производства обуславливается совокупностью постоянно действующих факторов и рядом особенностей современного этапа экономического развития общества. С одной стороны, повышение экономической эффективности необходимо в связи с ограниченностью приращения некоторых видов ресурсов, изменениями в стоимости факторов производства, возрастанием потребностей рынка в продукции, усилением требований к качеству продукции. С другой стороны, на современном этапе развития общества расширяются возможности повышения экономической эффективности общества.

Экономическая эффективность производства означает результативность производства, то есть достижения максимальных результатов при минимальных затратах и минимальных ресурсах.

При рассмотрении вопроса экономической эффективности производства необходимо иметь в виду, что понятия "эффект" и "эффективность" неоднозначны.

В наиболее общем виде в форме эффекта любого производства выступает его функция - это конечный результат, который получает свое воплощение непосредственно в объеме произведенных материальных ценностей. Однако, как бы не был важен эффект, сам по себе он не достаточно характеризует деятельность предприятия, так как не показывает ценой каких затрат он был получен. То есть один и тот же эффект может быть получен разными способами и при разном уровне задействованных ресурсов. И наоборот, одинаковые затраты могут дать разный эффект. Поэтому возникает необходимость сравнения эффекта и затрат, необходимых для его достижения.

Показатели экономической эффективности

Эффект производства на уровне предприятия за определенный промежуток времени выражается объемом продукции. Объем продукции может оцениваться при помощи натуральных, условно-натуральных показателей и в стоимостном выражении. Объем продукции характеризуется валовой, товарной и реализованной продукцией. Валовая продукция представляет собой исчисленный в денежном выражении суммарный объем продукции. Она охватывает как конечную, завершенную, так и незавершенную продукцию и включает в себя комплектующие изделия, полуфабрикаты и продукцию, изготовление которой уже начато.

Товарная продукция - это объем всей произведенной предприятием конечной продукции.

Реализованная продукция - это часть товарной продукции, которая уже продана. Результат (эффект) производственной деятельности предприятия характеризуют такие показатели, как валовой доход, чистый доход и прибыль предприятия. Валовой доход определяется путем исключения из стоимости валовой (товарной) продукции материальных затрат и амортизации.

Чистый доход - это разница между стоимостью валовой продукции и полной себестоимостью. Одним из основных показателей характеризующих результат деятельности предприятия является прибыль. Прибыль образуется в результате реализации продукции. Ее величина определяется разницей между выручкой, полученной от реализации продукции, и затратами на производство и реализацию.

Второй составляющий показатель экономической эффективности являются затраты. Все затраты на производство продукции подразделяются: на текущие и единовременные.

Текущие затраты - это затраты непосредственно связанные с производством и реализацией продукции, образуют ее себестоимость. Величина текущих затрат зависит от множества факторов. Так каждый вид продукции может быть произведен из различных видов сырья и материалов. Основным показателем, характеризующим эффективность текущих затрат, является рентабельность продукции. Она определяется как отношение прибыли от реализации продукции к ее себестоимости.

Единовременные затраты - это затраты связанные с расширением и обновлением производства. Как правило, это крупные единовременные вложения средств капитального характера. Эффективность единовременных затрат рассчитывается как отношение прироста валового дохода, чистого дохода и прибыли к капитальным вложениям.

Основные направления повышения эффективности производства

Сущность проблемы повышения экономической эффективности производства состоит в увеличении экономических результатов на каждую единицу затрат в процессе использования имеющихся ресурсов.

Повышение эффективности производства может достигаться как за счет экономии текущих затрат, так как и путем лучшего использования действующего капитала.

Важнейшим фактором повышения эффективности был и остается научно-технический прогресс. Автоматизация производства, широкое внедрение прогрессивных технологий, создание и использование новых материалов способствует снижению трудовых и материальных затрат, а также увеличению производимой продукции.

Эффективность производства зависит напрямую от режима экономии. Ресурсосбережение должно превратиться в решающий источник удовлетворения растущих потребностей в топливе, энергии, сырье и материалах.

Повышение эффективности производства в значительной степени зависит от лучшего использования основных фондов. Необходимо интенсивнее использовать созданный производственный потенциал, добиваться ритмичности производства, максимальной загрузки оборудования, повышать сложность его работы.

Важное место в повышении эффективности производства занимают организационно-экономические факторы. Прежде всего, это развитие и совершенствование форм организации производства - концентрации, специализации, кооперирования и комбинирования. На повышение эффективности оказывает влияние совершенствование форм и методов управления, планирования, экономического стимулирования - всего хозяйственного механизма. Большую роль в решении задач эффективного хозяйствования призвана сыграть наука. Фундаментальные и прикладные исследования по актуальным проблемам ускорения научно-технического прогресса позволяет повысить эффективность производства.

Пути снижения себестоимости продукции

Величина себестоимости не только характеризует затраты, которые несет предприятие на создание и реализацию продукции и услуг, она оказывает непосредственное влияние на конечные результаты его деятельности. Снижение себестоимости услуг, лежащих в основе формирования тарифов, является предпосылкой для их уменьшения, что делает услуги более доступным для широкого круга потребителей.

Для предприятий всех отраслей резервом снижения себестоимости является:

  • экономия затрат на оплату труда (зависит от средней заработной платы одного работника и среднегодовой численности производственного персонала). Зарплата не должна снижаться т. к. ухудшится материальное положение работника. Сокращение затрат - за счет сокращения численности штата или за счет увеличения объема продукции;
  • оптимизация использования средств труда, при этом снижаются амортизационные отчисления;
  • выбор наиболее экономичных видов транспорта;
  • сокращение общехозяйственных и административных расходов за счет совершенствования структуры управления.

Также факторами, влияющими на снижение себестоимости продукции являются:

  • повышение производительности труда;
  • ресурсосбережение;
  • уменьшение доли затрат живого труда за счет повышения производительности труда;
  • разработка мероприятий по экономии эксплуатации материалов, запчастей, электроэнергии.

Снижение себестоимости - это не самоцель, а средство достижения максимальных конечных результатов деятельности, повышение эффективности работы предприятий и их конкурентоспособности в условиях становления рыночных.

В современном мире экономика требует постоянного совершенствования и оптимизации финансовых расходов при создании любого предмета или устройства. С целью такой оптимизации многие производители ведут новые разработки и внедряют все новые технологии, при этом несут большие финансовые затраты на оплату разработчикам, закупку оборудования, комплектующих, плат и др.

Один из методов снижения затрат

Один из вариантов увеличения экономической эффективности предприятия по производству электроники, является снижение затрат на комплектующие. Затраты на комплектующие включают в себя:

  1. Цена комплектующих;
  2. Доставка комплектующих до предприятия (транспортные расходы);
  3. Изготовление плат (число отверстий, площадь платы, трассировка);
  4. Подготовка компонентов к монтажу (установка на автомат, для выводных формовка и обрезка, выход бракованных комплектующих);
  5. Установка и пайка, очистка и пр. (затраты на электроэнергию, флюсы, припой, количество точек пайки, временные затраты и др.);
  6. Тестирование (затраты на отбраковку);

Казалось бы транзистор и пара резисторов, в чем экономия?

Но давайте рассмотрим, какая экономия получается в итоге.

Сравнивая стоимость отдельных элементов транзистора плюс двух резисторов, и RET транзистора получим примерно одинаковую стоимость, которая на рынке электронных компонентов не превышает 40 копеек. Такое сравнение не корректно, т.к. здесь не учтены затраты на доставку, работы по их установке и пайке на плату. При раздельном заказе элементов необходимо оплачивать доставку 3-х коробок, при заказе RET транзистора 1 коробку. Экономия на изготовление печатной платы, меньше площадь платы, числа отверстий, экономия времени на изготовление платы (требуется меньшее число шагов и времени укладки элементов на плате, меньшее количество точек пайки), меньший расход припоя. К тому же RET транзисторы, как правило, изготавливаются в удобных SMD корпусах SOT23, SC-75, SC-101, SOT323 и др., что не требует дополнительной подготовки печатной платы и изготовления отверстий. Одним и важных факторов является надежность RET транзисторов, т.к. меньше количество элементов уменьшает количество их выхода из строя, параметры элементов подбираются при производстве транзисторов, что дает меньший разброс параметров и больший коэффициент выхода бракованных элементов. Все эти факторы сокращают стоимость электронного устройства до 80%.

NXP Semiconductors на рынке электронных компонентов

RET транзисторы, на ряду с диодами и транзисторами общего применения, являются одними из самых востребованных элементов в современной электронике. В условиях жесткой конкуренции и существующих требований к высокой энергоэффективности оборудования разработчики стремятся уменьшить габариты, энергопотребление и себестоимость конечной продукции. Очевидные преимущества применения RET транзисторов подтолкнули производителей микроэлектроники уделить им особое внимание. В настоящее время многие компании по производству микроэлектроники выпускают RET транзисторы, например: ROHM, ON-Semiconductors, Infineon, Fairchild и др.

Компания NXP, смогла занять одну из лидирующих позиций в области производства RET транзисторов, благодаря передовым технологиям и широкому портфолио транзисторов. Номенклатура RET транзисторов насчитывает более 32 вариантов транзисторов и комбинаций резисторов, с общим числом наименований (около 300), большой выбор корпусов, что позволяет разработчикам электроники подобрать для своих потребностей максимально удовлетворяющий их задачам элемент. Особый интерес представляют RET транзисторы с низким напряжением насыщения VCEsat и высоким выходным током до 600 мА серии PBRN (NPN), PBRP (PNP). Краткий перечень и характеристики RET транзисторов NXP приведены в таблице.

Таблица RET транзисторов NXP

P/N
PBRN113ET SOT23 BISS PBRP113ET 600 1 NPN 570 1 40 - 250
PBRN123ET SOT23 BISS PBRP123ET 600 2.2 NPN 570 1 40 - 350
PBRP113ZT SOT23 BISS PBRN113ZT 600 1 PNP 570 10 40 - 190
PBRP123YT SOT23 BISS PBRN123YT 600 2.2 PNP 570 4.55 40 - 270
PDTA114EE SC-75 одинарный PDTC114EE 100 10 PNP 150 1 50 >30 30
PDTA114EM SC-101 одинарный - 100 10 PNP 150 1 50 >30 30
PDTA114ET SOT23 одинарный PDTC114ET 100 10 PNP 250 1 50 >30 30
PDTA114EU SOT323 одинарный PDTC114EU 100 10 PNP 200 1 50 >30 30
PDTA123EE SC-75 одинарный - 100 2.2 PNP 250 2.2 50 >30 30
PDTA123ET SOT23 одинарный PDTC123ET 100 2.2 PNP 250 2.2 50 >30 30
PDTA123EU SOT323 одинарный - 100 2.2 PNP 250 2.2 50 >30 30
PDTA123JM SC-101 одинарный - 100 2.2 PNP 150 21 50 >100 100
PDTA124EE SC-75 одинарный PDTC124EE 100 22 PNP 150 1 50 >56 56
PDTA124ET SOT23 одинарный PDTC124ET 100 22 PNP 250 1 50 >56 56
PDTA124EU SOT323 одинарный PDTC124EU 100 22 PNP 200 1 50 >56 56
PDTA143EE SC-75 одинарный PDTC143EE 100 4.7 PNP 150 1 50 >20 20
PDTA143EM SC-101 одинарный - 100 4.7 PNP 150 1 50 >20 20
PDTA143ET SOT23 одинарный PDTC143ET 100 4.7 PNP 250 1 50 >20 20
PDTA143EU SOT323 одинарный PDTC143EU 100 4.7 PNP 200 1 50 >20 20
PDTA144EE SC-75 одинарный PDTC144EE 100 47 PNP 150 1 50 >68 68
PDTA144EM SC-101 одинарный - 100 47 PNP 150 1 50 >68 68
PDTA144ET SOT23 одинарный PDTC144ET 100 47 PNP 250 1 50 >68 68
PDTA144EU SOT323 одинарный PDTC144EU 100 47 PNP 200 1 50 >68 68
PDTB113ET SOT23 одинарный PDTD113ET 500 1 PNP 250 1 50 - 33
PDTC114EE SC-75 одинарный PDTA114EE 100 10 NPN 150 1 50 >30 30
PDTC114EM SC-101 одинарный - 100 10 NPN 150 1 50 >30 30
PDTC114ET SOT23 одинарный PDTA114ET 100 10 NPN 250 1 50 >30 30
PDTC114EU SOT323 одинарный PDTA114EU 100 10 NPN 200 1 50 >30 30
PDTC115EE SC-75 одинарный - 20 100 NPN 150 1 50 >80 80
PDTC115EM SC-101 одинарный - 20 100 NPN 150 1 50 >80 80
PDTC115ET SOT23 одинарный - 20 100 NPN 250 1 50 >80 80
PDTC115EU SOT323 одинарный - 20 100 NPN 200 1 50 >80 80
PDTC123EE SC-75 одинарный - 100 2.2 NPN 250 1 50 >30 30
PDTC123EM SC-101 одинарный - 100 2.2 NPN 250 1 50 >30 30
PDTC123ET SOT23 одинарный PDTA123ET 100 2.2 NPN 250 1 50 >30 30
PDTC123EU SOT323 одинарный - 100 2.2 NPN 250 1 50 >30 30
PDTC124EE SC-75 одинарный PDTA124EE 100 22 NPN 150 1 50 >56 56
PDTC124EM SC-101 одинарный - 100 22 NPN 150 1 50 >56 56
PDTC124ET SOT23 одинарный PDTA124ET 100 22 NPN 250 1 50 >56 56
PDTC124EU SOT323 одинарный PDTA124EU 100 22 NPN 200 1 50 >56 56
PDTC143EE SC-75 одинарный PDTA143EE 100 4.7 NPN 150 1 50 >20 20
PDTC143EM SC-101 одинарный - 20 100 NPN 150 1 50 >80 80
PDTC143ET SOT23 одинарный PDTA143ET 100 4.7 NPN 250 1 50 >20 20
PDTC143ET SOT23 одинарный PDTA143ET 100 4.7 NPN 250 1 50 >20 20
PDTC143XM SC-101 одинарный - 100 4.7 NPN 250 2.1 50 >50 50
PDTC143XT SOT23 одинарный PDTA143XT 100 4.7 NPN 250 2.1 50 >50 50
PDTC143XU SOT323 одинарный - 100 4.7 NPN 250 2.1 50 >50 50
PDTC144EE SC-75 одинарный PDTA144EE 100 47 NPN 150 1 50 >68 68
PDTC144EM SC-101 одинарный - 100 47 NPN 150 1 50 >68 68
PDTC144ET SOT23 одинарный PDTA144ET 100 47 NPN 250 1 50 >68 68
PDTC144EU SOT323 одинарный PDTA144EU 100 47 NPN 200 1 50 >68 68
PDTD113ET SOT23 одинарный PDTB113ET 500 1 NPN 250 1 50 - 35
PDTD123ET SOT23 одинарный PDTB123ET 500 2.2 NPN 250 1 50 - 40
PEMB1 SOT666 сдвоенный - 100 22 2xPNP 200 1 50 >56 56
PEMD10 SOT666 комплиментарный - 100 2.2 NPN / PNP 200 21 50 >100 100
PEMD3 SOT666 комплиментарный - 100 10 NPN / PNP 200 1 50 >30 30
PEMH1 SOT666 сдвоенный - 100 22 2x NPN 200 1 50 >60 60
PIMC31 SC-74 комплиментарный - 500 1 NPN / PNP 420 10 50 - 70
PIMD2 SC-74 комплиментарный - 100 22 NPN / PNP 200 1 50 >56 56
PIMH9 SC-74 сдвоенный - 100 10 2x NPN 600 4.7 50 >100 100
PIMN31 SC-74 комплиментарный - 500 1 NPN/PNP 420 10 50 - 70
PUMB1 SC-88 сдвоенный - 100 22 2x PNP 200 1 50 >56 56
PUMD10 SC-88 комплиментарный - 100 2.2 NPN / PNP 200 21 50 - 100
PUMH1 SC-88 сдвоенный - 100 22 2x NPN 200 1 50 - 60
PUML1 SC-88 сдвоенный - 200/100 10 GP/NPN 200 1 50 - 90

Область применения RET транзисторов

RET транзистор универсальный прибор и области его применения практически не ограничены:

  • конверторы, блоки управления электродвигателями, блоки управления подачей топлива для автозаправочных станций, системы безопасности железнодорожного транспорта, электронные балласты для люминесцентных и компактных люминесцентных ламп, зарядные устройства;
  • бытовая и портативная электроника - мобильные и бытовые телефоны, ноутбуки и блоки питания к ним, MP3-плееры и мобильные плееры, цифровые видеокамеры и фотоаппараты, схемы защиты Li-ion батарей, set-top-box (цифровые приемники ТВ сигнала), схемы управления вращением кулеров, кондиционеры, модули управления лазерными приводами, блоки управления холодильниками, стиральными машинами, пылесосами;
  • автомобильной электронике - бортовые компьютеры, регуляторы напряжения, электронные модули рулевого управления, электронасосы топлива и воды, турбокомпрессоры, модули управления стеклоподъемниками, стеклоочистителями, зеркалами, систем ABS, ESP, EBD, автоматизированных коробок передач, модули DC/DC преобразователей, регуляторы положения сидений, системы отопления, вентиляции, кондиционирования, системы активной подвески;

Выводы

На основании рассмотренных преимуществ RET транзисторов производства компании NXP Semiconductors можно сделать выводы, что, их легко можно применять в электронике, где ранее применялись транзисторы серий BC846, BC856, BC847, BC857, BC807, BC817 и другие, а так же электронные компоненты других известных производителей, таких ROHM, ON-Semiconductors, Infineon, Fairchild и др., а зачастую превосходить качественные и ценовые показатели этих производителей.

Егоров Алексей,
Компания Гамма Санкт-Петербург






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники