КП707В2
Мощный полевой транзистор
Типовые применения следующие:
импульсные источники питания,
совместно с ИМС КР1033ЕУ5А1
Основные характеристики
- Высокие динамические характеристики
- Рабочая температура кристалла 150°C
- Низкое сопротивление во включенном состоянии
- Низкая мощность управления
- Высокое коммутируемое напряжение
|
|
 |
|
Расположение выводов
|
Максимально допустимые значения
| |
Параметр |
Макс |
Единицы
измерения |
| ID@TС=25°C |
Постоянный ток стока |
3.5 |
А |
| ID@TС=70°C |
Постоянный ток стока |
2.5 |
А |
| IDМ |
Импульсный ток стока (1) |
6:-9 |
А |
| РD@TС=25°C |
Рассеиваемая мощность |
50 |
Вт |
| |
Линейное снижение мощности рассеивания от температуры |
2 |
Вт/°C |
| VGS |
Напряжение затвор-исток |
+-20 |
В |
| ЕAR |
Энергия пробоя одиночным импульсом (2) |
- |
мДж |
| IAR |
Ток лавинного пробоя (1) |
4 |
А |
| ЕАR |
Энергия пробоя повторяющимися
импульсами (1) |
- |
мДж |
| dv/dt |
Скорость нарастания напряжения
на закрытом диоде (3) |
2.5 |
В/нс |
ТJ
TSTG |
Диапазон температур функционирования
и хранения прибора |
-55 -+ 150 |
°C |
| |
Температура пайки при времени менее 10 сек. |
300 |
°C |
Тепловое сопротивление
| |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
RJC
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус |
-- |
-- |
2.5 |
°C/Вт |
|
| RCS |
Корпус-теплоотвод |
-- |
0.50 |
-- |
°C/Вт |
| RJA |
Тепловое сопротивление кристалл-окр.среда |
-- |
-- |
62 |
°C/Вт |
Электрические характеристики
TJ=25°C (если не указано другое)
| |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
Режим измерения |
| V(BR)DSS |
Максимальное напряжение сток-исток |
650:-800 |
-- |
-- |
В |
VGS=0B
ID=250mkA |
| V(BR)DSS/TJ |
Температурный коэффициент максимального
напряжения |
-- |
1.0 |
-- |
В/°C |
T=25°C,
ID=1mA |
| RDS(ON) |
Сопротивление сток-исток |
-- |
-- |
2.3:-2.8 |
Ом |
VGS=10B (4),
ID=2.0A |
| VGS(th) |
Пороговое напряжение на затворе |
2.0 |
3.5 |
4.5 |
B |
VDS=VGS
ID=10mA |
| gfs |
Крутизна характеристики |
1.5 |
-- |
-- |
А/В |
VDS=20B,
ID=3.0A (4) |
| IDSS |
Остаточный ток стока |
-- |
-- |
100 |
мкА |
VDS=(650:-800)B
VGS=0B |
| -- |
-- |
1000 |
VDS=(650:-800)B,
VGS-0B,
TJ=125°C |
| IGSS |
Ток утечки затвора (прямой) |
-- |
-- |
100 |
нА |
VGS=20B |
| Ток утечки затвора (обратный) |
-- |
-- |
-100 |
VGS=-20B |
| td(on) |
Время задержки вкл. |
-- |
25 |
-- |
нс |
VDD=500B
RG=50 Ом
RD=100 Ом (4) |
| tr |
Время нарастания |
-- |
55 |
-- |
| td(off) |
Время задержки выкл. |
-- |
80 |
-- |
| tf |
Время спада |
-- |
80 |
-- |
| LD |
Внутренняя индуктивность стока |
-- |
4.5 |
-- |
нГн |
Между выводами при 6мм от
корпуса до центра к.п. |
| LS |
Внутренняя индуктивность истока |
-- |
7.5 |
-- |
| Ciss |
Входная емкость |
-- |
-- |
1600 |
пФ |
VGS=0B
VDS=25B
f=1.0 МГц |
| Сoss |
Выходная емкость |
-- |
-- |
600 |
| Crss |
Проходная емкость |
-- |
-- |
95 |
Характеристики исток-стока
| |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед.изм. |
Режим измерения |
| IS |
Постоянный ток истока (через встроенный диод) |
-- |
-- |
3.5 |
А |
|
| ISM |
Импульсный ток истока (через встроенный диод) (1) |
-- |
-- |
(6:-9) |
| VSD |
Прямое напряжение на диоде |
-- |
-- |
2.5 |
В |
TJ=25°C
IS=3.5A
VGS=0B (4) |
Примечания
(1) - частота следования; длительность импульса ограничена максимальной температурой кристалла.
(2) - будет определена при доработке конструкции
(3) - ISD<3.5A, di/dt<90A/мкс, VDD<V(BR)DSS TJ<150°C
(4) - длительность импульса <300мкс, коэффициент заполнения <2%
Чертёж корпуса
|
