В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Специальные параметры для MiniSKiiP

Кроме IGBT и диодов для инверторов и диодных ключей (или тиристоров) для входных выпрямителей, эти устройства также интегрированы в MiniSKiiP. Дополнительно к прямым и обратным характеристикам (максимальные значения, характеристики), следующие параметры определены для MiniSKiiP:

Выброс тока выпрямительных диодов IFSM

Импульсное значение синусоиды 50 Гц, которую способны выдержать диоды без пробоя, если это происходит не так часто.

Интеграл выброса тока выпрямительных диодов на нагрузке i2dt

Номинальное значение для выбранных предохранителей, которое можно вычислить как:

i2dt IFSM 2 · T/4 = 5 · 10-3s · IFSM 2 (@ f = 50 Гц)

Коэффициент сопротивления/температуры датчика температуры

Особенности датчиков тока



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники