Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 




Мероприятия:




Примеры новых технологий корпусов

Новые технологии для корпуса были разработаны специально для:

  • улучшенной отдачи тепла и лучшей тепловой циркуляции,
  • минимизации индуктивностей в модуле и в шинах питания при помощи соответствующей конструкции модуля,
  • высокая плотность интеграции (цепи конвертора)
  • встроенные функции контроля, защиты и драйвера,

Приведены четыре типа модулей, которые разработаны в соответствии с вышеперечисленными требованиями.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники