В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Система обозначений SEMIKRON для SEMITRANS и SEMITOP силовых модулей

Различные функции, внутренние цепи, диапазон токов и напряжений, и другая информация закодирована изготовителями в их системе обозначений. Для SEMIKRON MOSFET и IGBT модулей ниже приведена система обозначений.

SEMITRANS силовые MOSFET модули

Приведена старая и новая система обозначений для SEMITRANS MOSFET модулей. Старая система обозначений была введена с первыми MOSFET модулями, некоторые из которых изготавливаются до сих пор, в конце восьмидесятых последовали рекомендации PRO-ELECTRON от SEMIKRON. Все новые разработанные модули маркируются в соответствии с новой системой, которая дает больше информации и в основном соответствует системе обозначений для SEMITRANS IGBT модулей.

Старая система обозначений, например Новая система обозначений, например
SK  M  1  5  1  A  F  R  C SK  M  120  B 020
Компонент SEMIKRON Компонент SEMIKRON
MOS-технология MOS-технология
Внутренняя схема
1: Одиночный ключ
2: Двойной (полумостовой)
3: Специальный тип
4: Счетверенный (Н-мост)
6: Шесть ключей (трехфазный мост)
Диапазон токов стока
(ID/A при Ткорп.= 25°С)


Внутренняя схема
А: Одиночный ключ
В: Двойной (полумостовой)
D: Шесть ключей (трехфазный мост)
М: 2 MOSFETа соединенных по центру
Диапазон напряжений
0: VDS = 50 В
1: VDS = 100 В
2: VDS = 200 В
4: VDS = 400 В

5: VDS = 500 В
8: VDS = 800 В
9: VDS = 1000 В
Диапазон напряжений сток-исток (VDS/V/10)
Внутренняя компоновка
0: 4...5 параллельных кристаллов
1: 6 параллельных кристаллов
2: 2 параллельных кристалла
3: Специальный тип
4: 4 + 4 кристалла
 
А: Лавинозащищенный одиночный кристалл
F: Встроенные быстрые обратные диоды
R: Встроенные резисторы параллельно затвору
С: Встроенный драйвер затвора (изгот. до 1996 г.)
 

SEMITRANS IGBT модули

Например, SK  M  100  G  B  12  3  D  L
Компонент SEMIKRON
M: MOS-технология
D: 7D-компоновка (B6-диодный входной мост с IGBT ключом)

Диапазон токов коллектора
(IС/A при Ткорп.= 25°С)

G: IGBT ключ

Внутренняя схема
А: Одиночный ключ
AL: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны коллектора)
AR: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны эмиттера)
AN: Асимметричный Н-мост
АХ: Одиночный IGBT + последовательный диод со стороны коллектора (обратное блокирование)
АY: Одиночный IGBT + последовательный диод со стороны эмиттера (обратное блокирование) В: Двойной модуль (полумостовой)
ВD: Двойной модуль (полумостовой) + 2 последовательных диода (обратное блокирование)
D: Шесть ключей (трехфазный мост)
DL: Семь ключей (трехфазный мост + AL ключ)
Н: Полный однофазный Н-мост
М: 2 IGBT, соединенных коллекторами

Диапазон напряжений коллектор-эмиттер (VCE/V/10)

Серийный номер IGBT
0: первое поколение 1988-1991 (диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 80°С)
1,2: первое поколение 1988-1991 (диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 25°С) (600 В: PT-IGBT, диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 80°С)
3: второе поколение (высокой плотности NPT-IGBT на 600 В и 1200 В), первое поколение NPT-IGBT кристаллов на 1700 В, CAL-диоды;
600 В: диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 80°С, 1200 В-/1700 В: диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 25°С; низкоиндуктивный корпус
4: высокой плотности, с малым VCEsat NPT-IGBT кристаллы (1200 В, 1700 В)
5: высокой плотности, высокоскоростные NPT-IGBT кристаллы (600 В, 1200 В)
6: Trench-NPT-IGBT кристаллы

Возможности
D: быстрый обратный диод
К: SEMITRANS 5 в корпусе с винтовыми выводами
L: 6 в корпусе с выводами для припаивания
S: Collector-Sense-Terminal
I: усиленный обратный диод (для больших мощностей)

SEMITRANS силовые модули

Диапазон SEMIKRON SEMITOP модулей включает припаиваемые силовые модули с тиристорами, диодами, силовыми MOSFET и IGBT; рассмотрены только SEMITOP с MOSFET и IGBT,

Например, SK  M  100  G  B  12  3  D  L
Компонент SEMIKRON
Номинальный ток в А при Тh= 25°С

G: IGBT ключ
M: MOSFET ключ

Внутренняя схема
А: Одиночный ключ
AL: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны коллектора)
AR: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны эмиттера)
AH: Асимметричный Н-мост
В: Двойной модуль (полумостовой)
D: Шесть ключей (трехфазный мост)
Н: Полный однофазный Н-мост

Диапазон напряжений (VCE/V/100 или VDS/V/100)

IGBT-серия
2: PT-IGBT-кристаллы (только на 600 В)
3: высокой плотности, NPT-IGBT кристаллы
4: высокой плотности, с малым VCEsat NPT-IGBT кристаллы
5: высокой плотности, высокоскоростные NPT-IGBT кристаллы
Возможности (еще не определены для SEMITOP с кристаллами IGBT и MOSFET)

Быстрые обратные диоды, встроенные в каждый IGBT-SEMITOP, в системе обозначений не отображаются.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники