В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > AVR

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве




Arduino Uno R3 Atmega328
готовый модуль
Лучшая Цена 335 руб




Стартовый набор с большим набором аксесуаров
Arduino Uno R3 Atmega328
Лучшая Цена 2211 руб



24.9. Комбинированное подключение к SRAM и SDRAM

Конфигурация комбинированного подключения SRAM и SDRAM делает возможным одновременное подключение к интерфейсу EBI как SDRAM, так и SRAM. Эта возможность может быть реализована только при использовании микросхем с четырехпортовым интерфейсом EBI. Конфигурация с указанием всех интерфейсных сигналов показана на рисунке 24.10.

Комбинированное подключение SRAM и SDRAM
Рисунок 24.10. Комбинированное подключение SRAM и SDRAM

24.10. Временная диаграмма интерфейса EBI

(См. раздел 33."Приложение А. Временные диаграммы интерфейса EBI")

24.10.1. SRAM

Таблица 24.4. Характеристики интерфейса EBI при подключении к SRAM

Обозн. Параметр Режим синхронизации 1х Режим синхронизации 2х Единица измерения
Мин. Макс. Мин. Макс.
1/tCLK Частота генератора          
tALH Удержание адреса после установки низкого уровня ALE         нс
tALS Установка адреса перед установкой низкого уровня ALE (чтение и запись)         нс
tALW Длительность импульса ALE         нс
tARH Удержание адреса после установки высокого уровня RE         нс
tAWH Удержание адреса после установки высокого уровня WE         нс
tARS Установка адреса перед установкой высокого уровня RE         нс
tAWS Установка адреса перед установкой низкого уровня WE         нс
tDRH Удержание данных после установки высокого уровня RE         нс
tDWH Удержание данных после установки высокого уровня WE         нс
tDRS Установка данных перед установкой высокого уровня RE         нс
tDWS Установка данных перед установкой высокого уровня WE         нс
tRDD Задержки от разрешения чтения до действительности данных         нс
tRW Длительность импульса разрешения чтения         нс
tWW Длительность импульса разрешения записи         нс
tCSH Удержание сигнала выбора микросхемы         нс
tCSS Установка сигнала выбора микросхемы         нс

24.10.1.1. Режим SRAM без мультиплексирования

Параметры на стадии уточнения…

24.10.1.2. Режим SRAM с мультиплексированием адреса и синхронизацией 1х

Параметры на стадии уточнения…

24.10.1.3. Режим SRAM с мультиплексированием адреса и синхронизацией 2х

Параметры на стадии уточнения…

24.10.1.4. Режим SRAM LPC с мультиплексированием адреса/данных и синхронизацией 1x

Параметры на стадии уточнения…

24.10.1.5. Режим SRAM LPC с мультиплексированием адреса/данных и синхронизацией 2x

Параметры на стадии уточнения…

24.10.2. SDRAM

Таблица 24.5. Характеристики интерфейса EBI при подключении SDRAM

Обозн. Параметр Режим синхронизации 1х Режим синхронизации 2х Единица измерения
Мин. Макс. Мин. Макс.
            нс
            нс
            нс
            нс
            нс
            нс
            нс
            нс
            нс
            нс

24.10.2.1. 4-битный режим SDRAM с синхронизацией 1х

Параметры на стадии уточнения…

24.10.2.2. 8-битный режим SDRAM с синхронизацией 2х

Параметры на стадии уточнения…



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники