В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > AVR

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве




Arduino Uno R3 Atmega328
готовый модуль
Лучшая Цена 335 руб




Стартовый набор с большим набором аксесуаров
Arduino Uno R3 Atmega328
Лучшая Цена 2211 руб



24.6. Совместная работа со SRAM

Когда EBI используется совместно со SRAM, поддерживается несколько режимов мультиплексирования адреса, которые требуют установки внешнего регистра для фиксации адреса. Для управления таким регистром модуль EBI генерирует специальный сигнал ALE (от Address Latch Enable, разрешение фиксации адреса). Мультиплексирование выгодно использовать, когда для работы EBI доступно ограниченное число выводов МК. При необходимости, мультиплексирование адреса может быть отключено. Доступные варианты настроек описаны в подразделах 24.6.1…24.6.4. Описание сигналов интерфейса SRAM представлено в таблице 24.1.

Таблица 24.1. Сигналы интерфейса SRAM

Сигнал Описание
/CS Выбор микросхемы
/WE Разрешение записи
/RE Разрешение чтения
ALE[2:0] Разрешение фиксации адреса
A[23:0] Шина адреса
D[7:0] Шина данных
AD[7:0] Мультиплексированная шина адреса/данных

24.6.1. Работа без мультиплексирования

Когда мультиплексирование не используется, модуль EBI напрямую подключается к SRAM. Внешние регистры для фиксации адреса не используются.

Подключение к SRAM без мультиплексирования
Рисунок 24.2. Подключение к SRAM без мультиплексирования

24.6.2. Мультиплексирование байтов адреса 0 и 1

Когда используется мультиплексирование байтов адреса 0 (A[7:0]) и 1 (A[15:8]), оба этих байта выводятся через общий порт, а для их разделения внешним регистром генерируется сигнал ALE1.

Мультиплексированное подключение SRAM с использованием сигнала ALE1
Рисунок 24.3. Мультиплексированное подключение SRAM с использованием сигнала ALE1

24.6.3. Мультиплексирование байтов адреса 0 и 2

Когда используется мультиплексирование байтов адреса 0 (A[7:0]) и 2 (A[23:16]), оба этих байта выводятся через общий порт, а для их разделения внешним регистром генерируется сигнал ALE2.

Мультиплексированное подключение SRAM с использованием сигнала ALE2
Рисунок 24.4. Мультиплексированное подключение SRAM с использованием сигнала ALE2

24.6.4. Мультиплексирование байтов адреса 0, 1 и 2

Когда используется мультиплексирование байтов адреса 0 (A[7:0]), 1 (A[15:8]) и 2 (A[23:16]), все они выводятся через общий порт, а для их разделения во внешних регистрах генерируются сигналы ALE1 и ALE2.

Мультиплексированное подключение SRAM с использованием сигналов ALE1 и ALE2
Рисунок 24.5. Мультиплексированное подключение SRAM с использованием сигналов ALE1 и ALE2

24.6.5. Требования к регистрам фиксации адреса

Внешний регистр фиксации адреса должен отвечать требованиям к временной диаграмме интерфейса EBI, описанной в разделе 24.10 "Временная диаграмма интерфейса EBI".

24.6.6. Временная диаграмма

Микросхемы SRAM или другие внешние запоминающие устройства могут отличаться по временным характеристикам. В целях обеспечения возможности подстройки под эти требования предусмотрена генерация состояний ожидания на выходе выбора микросхемы с конфигурируемыми параметрами. Детальное описание временной диаграммы см. в разделе 24.10 "Временная диаграмма интерфейса EBI".

24.7. Совместная работа со SRAM LPC-типа

Когда EBI работает совместно со SRAM с сокращенным числом выводов (тип LPC), поддерживается несколько режимов мультиплексирования, в которых мультиплексирование применяется к линии адреса и данных. По сравнению с конфигурацией "Совместная работа со SRAM" данная конфигурация позволяет еще больше снизить количество выводов, задействованных для работы интерфейса EBI. Возможные варианты настроек описаны в подразделах 24.7.1 и 24.7.2. Требования к временной диаграмме и регистрам фиксации адреса идентичны предыдущей конфигурации.

24.7.1. Мультиплексирование данных с байтом адреса 0

Когда используется мультиплексирование байта данных и байта адреса 0 (AD[7:0]), они выводятся через общий порт, а для управления фиксацией адреса генерируется сигнал ALE1.

Мультиплексированное подключение к SRAM LPC с использованием сигнала ALE1
Рисунок 24.6. Мультиплексированное подключение к SRAM LPC с использованием сигнала ALE1

24.7.2. Мультиплексирование данных с байтами адреса 0 и 1

Когда используется мультиплексирование байта данных и байтов адреса 0 (AD[7:0]) и 1 (A[15:8]), они выводятся через общий порт, а для управления фиксацией адреса генерируются сигналы ALE1 и ALE2.

Мультиплексированное подключение SRAM LPC с использованием сигналов ALE1 и ALE2
Рисунок 24.7. Мультиплексированное подключение SRAM LPC с использованием сигналов ALE1 и ALE2

24.8. Совместная работа с SDRAM

Выход выбора микросхемы CS3 может быть настроен на совместную работу с SDRAM. В таком случае, модуль EBI должен быть настроен как 3-портовый или 4-портовый интерфейс. SDRAM может работать с 4-битной или 8-битной шиной данных. Если используется 8-битная шина данных, то EBI должен быть настроен как 4-портовый интерфейс. Описание сигналов, участвующих в подключении EBI к SDRAM представлено в таблице 24.2.

Таблице 24.2. Сигналы интерфейса SDRAM

Сигнал Описание
/CS Выбор микросхемы
/WE Разрешение записи
/RAS Строб адреса строки
/CAS Строб адреса столбца
/DQM Сигнал маски данных/разрешения вывода
CKE Разрешение синхронизации
CLK Синхронизация
BA[1:0] Адрес банка
A[12:0] Шина адреса
A[10] Предварительный заряд
D[7:0] Шина данных

24.8.1. Поддерживаемые команды

Поддерживаемые модулем EBI команды SDRAM представлены в таблице 24.3.

Таблица 24.3. Поддерживаемые команды SDRAM

Команда Описание
NOP Нет операции
ACTIVE Активация выбранного банка и выбор строки
READ Ввод стартового адреса столбца и запуск потокового чтения
WRITE Ввод стартового адреса столбца и запуск потоковой записи
PRECHARGE Деактивация открытой строки выбранного банка или всех банков
AUTO REFRESH Регенерация одной стройки каждого банка
LOAD MODE  
SELF REFRESH Активация режима саморегенерации

24.8.2. 3-портовая конфигурация интерфейса EBI

Когда для работы интерфейса EBI доступно только 3 порта, ИС SDRAM можно подключить с использованием 3-портовой конфигурации интерфейса EBI. В такой конфигурации шина данных может быть только 4-битной, а все линии выбора микросхемы должны управляться программно через линии ввода-вывода общего назначения (Pxn).

3-портовая конфигурация интерфейса SDRAM
Рисунок 24.8. 3-портовая конфигурация интерфейса SDRAM

24.8.3. 4-портовая конфигурация интерфейса EBI

Когда для работы интерфейса EBI доступно 4 порта, ИС SDRAM можно подключить с использованием 3-портовой или 4-портовой конфигурации интерфейса EBI. При использования 4-портовой конфигурации, шина данных является 8-битной и могут использоваться все четыре выхода выбора микросхемы.

4-портовая конфигурация SDRAM
Рисунок 24.9. 4-портовая конфигурация SDRAM

24.8.4. Временная диаграмма

Сигнал разрешения синхронизации (CKE) необходимо использовать при подключении к SDRAM, когда частота синхронизации EBI в 2 раза выше частоты синхронизации ЦПУ.

24.8.5. Инициализация

Настройка выхода выбора микросхемы CS3 на работу с SDRAM разрешает инициализацию SDRAM. По завершении инициализации автоматически вводится команда "Load Mode Register". Для загрузки корректной информации в SDRAM необходимо придерживаться следующей последовательности:

  1. Настройка регистров SDRAM, выполненная перед разрешением работы CS3 совместно с SDRAM.
  2. Ввод команды "Load Mode Register" и выполнение фиктивного доступа по завершении инициализации SDRAM.

Инициализация SDRAM не прерывается другими доступами к интерфейсу EBI.

24.8.6. Регенерация

Если настроить период регенерации, то EBI будет автоматически выполнять регенерацию SDRAM.

Регенерация выполняется сразу при появлении такой возможности после достижения счетчиком заданного регистром периода значения.

Модуль EBI способен накопить до 4 команд регенерации. Такая ситуация может возникнуть, когда при необходимости выполнения регенерации интерфейс EBI оказывается занятым выбором микросхемы или чтением/записью.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники