В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Стабилизаторы напряжения

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



ИОН на полевых транзисторах

Сравнительно недавно на рынке электронных компонентов появилось новое поколение источников опорного напряжения - XFET-источники (eXtra Field Effect Transistor). Новая схемотехника обеспечивает источнику опорного напряжения низкий шум, малый ток потребления, низкий ТКН и очень высокую долговременную стабильность.

Ядро XFET-источника состоит из двух полевых транзисторов с управляющим pn-переходом (рис. 17), один из которых (VT2) имеет дополнительный встроенный канал, за счет чего его напряжение отсечки увеличено по сравнению с напряжением отсечки транзистора VT1.

ИОН на полевых транзисторах

Рис. 17. ИОН на полевых транзисторах

Токи стоков транзисторов одинаковы (J1=J2); за счет действия операционного усилителя разность потенциалов истоков транзисторов равна нулю. Поэтому образуется разность потенциалов между затворами транзисторов Uоп, которая может быть усилена и использована для формирования весьма стабильного опорного напряжения.

Для этих источников опорного напряжения характерна величина Uоп примерно 0,5 В с отрицательным ТКН около -60 мкВ/К, что примерно в 30 раз меньше, чем у ИОН на ширине запрещенной зоны. Такая малая температурная нестабильность может быть легко скомпенсирована практически таким же способом, что и у источника опорного напряжения на ширине запрещенной зоны. В схеме на рис. 17 эта компенсация осуществляется источником тока JТК с положительным ТКН.

Меньшая величина ТКН опорного элемента на полевых транзисторах и, как следствие, меньший компенсационный ток JТК, обуславливают значительно меньший, чем у источников опорного напряжения на ширине запрещенной зоны, шум выходного напряжения, так как большая часть шума ИОН на ширине запрещенной зоны приходит из схемы температурной компенсации. Уравнение электрического равновесия схемы на рис. 17 имеет вид

Характерными представителями источников опорного напряжения на полевых транзисторах является семейство ADR29х, из которого, например, ИОН ADR291Е на 2,5 В имеет типичное значение ТКН=3·10-6 1/К, уровень шума 8 мкВ от пика к пику в полосе 0,1...10 Гц, типовой ток потребления 9 мкА и прекрасную долговременную стабильность.

В таблице 2 представлены основные параметры некоторых моделей источников опорного напряжения.

Таблица 2

Наимено- вание Выходное напряжение, В ТКН *10-6 Ток холо- стого хода, мА Ток нагрузки, мА Коэффи- циент стабили- зации Выходное сопротивление, Ом Долговреме- нная неста- бильность мкВ/1000 ч Примечания
Источники опорного напряжения на стабилитронах
AD688 +/-10+/-0,0025 3,6 12 10 5000 0,05 15 Два симметричных выхода
LM399 6,95+/-0,35 3 17 10 - 0,7 140  
AD587L 10+/-0,005 5 4 10 10000 0,1 150 Подстройка выходного напряжения
Источники опорного напряжения на ширине запрещенной зоны
ТL431 2,5+/-0,05 10 1 100 - 1,2 - Отечественный аналог - 142ЕН19
AD1582B 2,5+/-0,002 50 0,065 5 40000 0,25 250 Последовательный
AD1586B 2,5+/-0,002 50 0,05 10 - 0,5 250 Параллельный
AD589M 1,225 +/-0,025 10 0,05 10 - 0,6 - Параллельный
REF195Е 5+/-0,002 5 0,045 30 40000 0,02 1200 Последовательный
MAX676A 4,096 +/-0,001 1 10 10 8000 0,04 80 Есть выход датчика температуры
ADR291E 2,5+/-0,002 3 0,012 5 1300 0,075 0,5 XFET-источник


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники