В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Надежность

    Надежность, или соответствие характеристик определенный период времени, одно из наиболее важных параметров качества силовых модулей.

    С одной стороны, у силовых модулей высокая электрическая и температурная отдача; с другой стороны, преждевременный выход из строя может вызвать опасную поломку.

    Надежность очень сложно выразить при относительно малой партии, чаще встречается срок службы (10.30 а) и технические требования при сложных тестах, но ее можно найти из

    • точного управления всеми воздействиями в процессе производства (надежность при изготовлении),
    • тест на надежность в условиях, приближенным к реальным для получения причин отказов;
    • испытания компонентов внутри системы и управление большинством важных параметров. [231]

    Далее приведены некоторые из выбранных тестов силовых модулей без излишних подробностей по обширной системе обеспечения качества EN ISO 9001, по которой SEMIKRON дает 2-х летнюю TQM гарантию на все свои силовые полупроводники.

    Были проведены следующие стандартные тесты для выпуска и оценки качества MOSFET и IGBT модулей, а также отдельные, специфичные тесты на надежность:

    Тест Стандарт Условия теста
    Закрывающее напряжение при высокой температуре (HTRB) DIN 41749, IEC 147-4 1000 ч. VDSmax, VCEmax, Tjmax
    Воздействие на нагретый затвор DIN 45930, CECC 50000-4, 5.2 1000 ч. VDSmax, VCEmax, Tjmax
    Хранение при высокой температуре DIN 45930, CECC 50000-4, 4.3 1000 ч. Tstgmax
    Хранение при низкой температуре   1000 ч. Tstgmin
    Запирание при высокой влажности и температуре DIN 45930, CECC 50000-4, 4.3 1000 ч. 85°C, 85% относит. влажн. VDS, VCE = 0.8VCEmax, VDsmax80 B
    Циклическое изменение температуры DIN IEC 68-2-14-test Na 100 темп. циклов Tstgmax / Tstgmin
    Циклическое изменение мощности DIN 41749, IEC 147-4 20000 циклов, Tj= 100 K
    Температура пайки DIN IEC 68-2-20-test Tb 260±5°C, 10±1 c
    Припаиваемость DIN IEC 68-2-20-test Ta 235±5°C, старение 3
    Вибрации / ускорение в соотв. с DIN IEC 68-2-6-test Fc 5 g

    Действительные следующие критерии неисправностей в соответствии со стандартом MIL-STD-19500:

    Ток утечки затвор-сток- / затвор-эмиттер IGSS, IGES: > ±20 нА или >100 % от первоначального значения
    Ток стока при нулевом напряжении на затворе или ток отсечки коллектор-эмиттер IDSS, ICES: > ±100 мкА или >100 % от первоначального значения
    Сопротивление / падение напряжения в открытом состоянии RDson, VCEsat: >120 % от первоначального значения
    Максимальное изменение порогового напряжения VGS(th), VGE(th): >±20 % от первоначального значения
    Температурное сопротивление переход-корпус Rthjc: >120 % от первоначального значения
    Напряжение изоляции Visol: < установленного макс. значения

    На рис.2.26 и рис.2.27 показаны примеры измерительных процессов: измерительные схемы и процессы циркуляции температуры и мощности.

    Циркуляция температуры: измерительная схема и процесс измерения
    Рис. 2.26. Циркуляция температуры: измерительная схема и процесс измерения

    Основные характеристики надежности силовых модулей могут быть проверены с помощью тестов на циркуляцию мощности и температуры, см. также п. 1.4.2.4 следовательно, эти тесты играют важную роль при оценке качества модулей.

    Циркуляция мощности: измерительная схема и процесс измерения
    Рис. 2.27. Циркуляция мощности: измерительная схема и процесс измерения



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->