В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Статьи > Промышленные контроллеры

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Одноканальный контроллер ключевого стабилизатора напряжения

Микросхема BD9300 является основой для построения ключевых стабилизаторов напряжения. В отличие от функционально завершенных модулей стабилизаторов BP5220…BP5222 с фиксированными выходными напряжениями и ограниченными токами нагрузки, позволяет создавать источники питания с любыми выходными напряжениями и токами.

Отличительные особенности

  • Широкий диапазон входных напряжений 3,6 …35 В.
  • Встроенная схема защиты от коротких замыканий и от пониженного входного напряжения.
  • Нулевой ток потребления в выключенном состоянии.
  • Широкий диапазон регулирования частоты ШИМ 20…800 кГц.

Области применения

  • Источники питания общего назначения
  • Стабилизаторы напряжения, в том числе с выходным напряжением выше 35 В.

Структурная схема BD9300
Рис. 1. Структурная схема BD9300

Таблица 1. Назначение выводов ИС BD9300

Номер вывода Обозначение Функциональное назначение
1 DTC Вход управления ШИМ
2 RT Внешний резистор, задающий частоту преобразования
3 CT Внешний резистор, задающий частоту преобразования
4 FB Выход усилителя ошибки
5 OUT Выход ШИМ
6 NC Не используется
7 GND Общий
8 Vcc Напряжение питания (входное напряжение)
9 SCP Внешний конденсатор, задающий задержку срабатывания Защиты от короткого замыкания (соединяетя с GND, если не Используется)
10 CTL Вход управления (ВКЛ/ВЫКЛ)
11 Vref Выход внутреннего источника опорного напряжения
12 INV Инвертирующий вход усилителя ошибки
13 1/2 Vref опорного напряжения с внутреннего делителя
14 NON Неинвертирующий вход усилителя ошибки

Схема включения BD9300 в источнике питания
Рис. 2. Схема включения BD9300 в источнике питания

R1 = R9 =30 kW, R2= R7=20 kW, R3= 33 kW, R4 = 56 kW, R5 = R6 =500 W, R8 = 90 kW,
C1=C3=C5=0,1 mF, C4=C8= 10 mF,C7= 200pF, C5=100 pF, C6= 1000 pF, C2=0,033 mF,
VT1 – любой силовой p-n-p транзистор в зависимости от тока нагрузки, величина L1 выбирается из условий баланса энергии в контуре L1-нагрузка – C8 – VD1, и для тока нагрузки 0,5 А и частоты ШИМ 200 кГц составляет 150 мкГн.





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники