В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > ЖКИ > Драйвера > SED1520

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



5.0 Электрические характеристики.

5.1 Максимальные рабочие диапазоны.

Параметр Обозначение Диапазон Единица измерения
Напряжение питания (1) VSS -8.0 ~ +0.3 В
Напряжение питания (2) V5 -16.5 ~ +0.3 В
Напряжение питания (3) V1,V4,V2,V3 V5 ~ +0.3 В
Входное напряжение VIN VSS –0.3 ~ +0.3 В
Выходное напряжение V0 VSS –0.3 ~ +0.3 В
Допустимые потери PD 250 мВт
Рабочая температура TOPR -30 ~ +85 °C
Температура хранения TSTG -65 ~ +150 °C
Температура пайки/время TSOLDER 260 / 10 (на выводе) °C/сек

Примечания:

  1. Все напряжения базируются на VDD = 0В.
  2. Следующие условия должны всегда выполняться в отношении напряжений V1, V2, V3, V4 и V5:
        VDD > V1 > V2 > V3 > V4 > V5
  3. БИС может быть окончательно выведена из строя при использовании с каким-либо параметром выходящим за пределы максимального рабочего диапазона. В нормальном режиме предпочтительно, чтобы БИС использовалась с рекомендованными электрическими характеристиками. Отход от них может вызвать неисправность БИС или снижение её надёжности.
  4. Вообще, плоский корпус БИС может снизить влагоустойчивость при погружении в припой. При монтаже БИС на плату, рекомендуется использовать метод, при котором наименее вероятен тепловой удар по смоле корпуса.

5.2 Статические характеристики

VDD = 0В, Ta = от -20 до 75°C
Параметр Обозначение Условие Мин. Тип. Макс. Единица измерения Применимо к выводам
Рабочее напряжение Рекомендуемое VSS *1 –5.5 –5.0 –4.5 В VSS
Допустимое –7.0 –2.4
Рабочее напряжение Рекомендуемое V5   –13.0 –3.5 В V5 *10
Допустимое   –13.0
Допустимое V1, V2   0.6 x V5 VDD V1, V2
Допустимое V3, V4   V5 0.4 x V5 V3, V4
VIHT   VSS + 2.0 VDD В *2
*3
VIHC   0.2 x VSS  VDD
VILT   VSS VSS + 0.8 В *2
*3
VILC   VSS  0.8 x VSS
VOHT IOH = –3.0 мА VSS + 2.4 - В *4
*5
OSC2
VVOHC1 IOH = –2.0 мА VSS + 2.4
VVOHC2 IOH = –120 мкА 0.2 x VSS 
VOLT IOH = 3.0 мА VSS + 2.4 В *4
*5
OSC2
VOLC1 IOH = 3.0 мА VSS + 0.4
VOLC2 IOH = 120 мкА 0.8 x VSS 
Ток утечки на входе ILI –1.0 1.0 мкА *6
Ток утечки на выходе ILO –3.0 3.0 мкА *7
RON Ta = 25°C V5 = –5.0В 5.0 7.5 кОм SEG0 ~ 79
COM0 ~ 15
*11
V5 = –3.5В 10.0 50.0
Потери по постоянному току IDDQ CS = CL = VDD 0.05 1.0 мкА VDD
IDD (1) В процессе отображения V5 = –5.0В fCL = 2 кГц 2.0 5.0 мкА VDD
*12
*13
*14
RF = 1 МОм 9.5 15.0
fCL = 18 кГц 5.0 10.0
IDD (2) Во время доступа tCYC = 200 кГц 300 500 мкА *8
Ёмкость входного вывода CIN Ta = 25°C, f = 1 МГц 5.0 8.0 пФ Все входные выводы
Частота генератора fOSC Rf = 1.0 МОм ± 2%
VSS = –5.0 В
15 18 21 кГц *9
Rf = 1.0 МОм ± 2%
VSS = –3.0 В
11 16 21
Время сброса tR   1.0 1000 мкс RES

Примечания:

  1. Гарантируется работа в широком диапазоне напряжений, за исключением скачков напряжения во время доступа.
  2. Выводы A0, D0 – D7, E (RD), R/W (WR) и CS.
  3. Выводы CL, FR, M/S и RES.
  4. Выводы D0 – D7.
  5. Вывод FR.
  6. Выводы A0, E (RD), R/W (WR), CS, CL и RES.
  7. Применимо, когда выводы D0 – D7 и FR в высокоимпедансном состоянии.
  8. Эта величина является потреблением тока при записи изображения вертикальных полос в течение tCYC. Потребление тока во время доступа почти пропорционально частоте доступа (tCYC). Когда доступ не производится, потребляется только IDD (1).
  9. Соотношение между тактовой частотой, частотой кадров и Rf (см. Рисунки 5.1 – 5.3).
  10. Диапазоны рабочих напряжений VSS и V5 (см. Рисунок 5.4).
  11. Сопротивление при напряжении 0.1В, приложенным между выходным выводом (SEG, COM) и каждым выводом питания (V1,V2, V3, V4). Оно определено для рабочего диапазона напряжения.
  12. 13, 14. Ток, потребляемый каждой отдельной микросхемой, исключая панель ЖКИ и емкость монтажа.
  13. Применимо к SED1520FAA и SED1521FAA.
  14. Применимо к SED1520F0A.
  15. Применимо к SED1521F0A.


Рисунок 5.1 Соотношение между тактовой частотой и Rf


Рисунок 5.2 Соотношение между частотой кадров и Rf


Рисунок 5.3 Соотношение между частотой внешнего тактирования (fCL) и частотой кадров (SED1520FAA).


Рисунок 5.4 Диапазоны рабочих напряжений VSS и V5.

5.3 Временные характеристики

5.3.1 Чтение/Запись системной шины I (семейство микропроцессоров 80)

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Длительность удержания адреса tAH8 A0, CS   10 нс
Длительность выставки адреса tAW8 20 нс
Длительность системного цикла tCYC8 WR, RD 1000 нс
Ширина импульса управления tCC 200 нс
Длительность выставки данных tDS8 D0 – D7 80 нс
Длительность удержания данных tDH8 10 нс
Длительность доступа RD tACC8 CL = 100 пФ 90 нс
Длительность запрета выхода tOH8 10 60 нс

  1. Каждое из значений при VSS = –3.0В составляет около 200% от этих значений при VSS = –5.0В (т.е. приведённых выше).
  2. Длительность фронта или спада входных сигналов должна быть менее 15 нс.


Рисунок 5.5 Чтение/Запись системной шины I (семейство микропроцессоров 80).

5.3.2 Чтение/Запись системной шины II (семейство микропроцессоров 68)

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Длительность системного цикла tCYC6*1 A0, CS   1000 нс
Длительность выставки адреса tAW6 R/W 20 нс
Длительность удержания адреса tAH6 10 нс
Длительность выставки данных tDS6 D0 – D7 80 нс
Длительность удержания данных tDH6 10 нс
Длительность запрета выхода tOH6 CL = 100 пФ 10 90 нс
Длительность доступа tACC6 60 нс
Ширина импульса разрешения: Чтение tEW E   100 нс
Ширина импульса разрешения: Запись 80 нс

  1. tCYC6 обозначает длительность цикла в течение которого CS · E = "H". Он не обозначает длительность цикла сигнала E.
  2. Каждое из значений при VSS = –3.0В составляет около 200% от этих значений при VSS = –5.0В (т.е. приведённых выше).
  3. Длительность фронта или спада входных сигналов должна быть менее 15 нс.


Рисунок 5.6 Чтение/Запись системной шины II (семейство микропроцессоров 68).


5.3.3 Временные характеристики управления изображением

Входные временные характеристики

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Ширина импульса низкого уровня tWLCL CL   35 мкс
Ширина импульса высокого уровня tWHCL 35 мкс
Длительность фронта tr 30 150 нс
Длительность спада tf 30 150 нс
Длительность задержки FR tDFR FR -2.0 0.2 2.0 мкс

Выходные временные характеристики

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Длительность задержки FR tDFR FR CL = 100 pF 0.2 0.4 мкс

  1. Приведённая длительность задержки входного сигнала FR применима к SED1521 или 1520 (ведомое устройство).
  2. Приведённая длительность задержки выходного сигнала FR применима к SED1520 (ведущее устройство).
  3. Каждое из значений при VSS = –3.0В составляет около 200% от этих значений при VSS = –5.0В (т.е. приведённых выше).


Рисунок 5.7 Временная диаграмма управления отображением.






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники