В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Интерфейсы > I2C

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



16.3 Рисунок линий шины

Вообще говоря, проведение линий шины должно быть сделано таким образом, чтобы минимизировать перекрестные помехи и интерференцию. Линии шины наиболее подвержены помехам при ВЫСОКОМ уровне, вследствие относительно высокого импеданса подтягивающих устройств.

Если длина линий шины на печатной плате или кабеле превышает 10 см и шина включает в себя линии Vdd и Vss, рисунок проведения линий должен быть таким:

SDA ---------------------------------------------------------
Vdd ---------------------------------------------------------
Vss ---------------------------------------------------------
SCL ---------------------------------------------------------

Если только линия Vss включается, то

SDA ---------------------------------------------------------
Vss ---------------------------------------------------------
SCL ---------------------------------------------------------

Такое расположение линий также ведет к одинаковым емкостным нагрузкам для SDA и SCL. Vdd и Vss могут не проводиться рядом, если в печатной плате для них предусмотрен отдельный слой. Если шина представляет собой витую пару, то каждая линия шины должна быть переплетена с Vss. Или, SCL может переплетаться с Vss, а SDA - с Vdd. В последем случае требуется поставить конденсаторы между Vdd и Vss на обоих концах шины.

Если линии шины экранированы (экран подключен к Vss), интерференция снижается. Однако, экранированный кабель должен иметь низкую емкостную связь между SDA и SCL линиями для снижения перекрестных помех.

<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники