В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Winbond Electronics > Память

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



W25Q80, W25Q16, W25Q32

Последовательная флэш-память емкостью 8, 16, 32 Мбит с интерфейсом SPI

Отличительные особенности:

  • Семейство ИС энергонезависимой памяти SpiFlash
    • W25Q80: 8 Мбит/1 Мбайт (1,048,576)
    • W25Q16: 16 Мбит/2 Мбайт (2,097,152)
    • W25Q32: 32 Мбит/4 Мбайт (4,194,304)
    • Постраничное перепрограммирование (размер страницы 256 байт)
  • Интерфейс SPI с тремя режимами ввода-вывода: стандартный, удвоенный или учетверенный
    • Стандартный режим интерфейса SPI: CLK, /CS, DI, DO, /WP, /Hold
    • Удвоенный SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold
    • Учетверенный SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
  • Рекордно-высокая производительность среди прочих ИС флэш-памяти с последовательным интерфейсом
    • Повышение производительности до 6 крат относительно обычной последовательной флэш-памяти
    • Синхронизация частотой 80 МГц
    • Производительность, эквивалентная частоте синхронизации 160 МГц, в удвоенном режиме интерфейса SPI
    • Производительность, эквивалентная частоте синхронизации 320 МГц, в учетверенном режиме интерфейса SPI
    • Непрерывная передача данных с быстродействием 40 Мбайт/сек
    • Произвольная выборка данных с быстродействием 30 Мбайт/сек (выборка 32 байт)
    • Быстродействие сопоставимо с параллельной флэш-памятью с 16 линиями данных
  • Гибкая архитектура с секторами размером 4 кбайт
    • Посекторное стирание (размер каждого сектора 4 кбайт)
    • Блочное стирание (32кбайт и 64 кбайт)
    • Программирование от 1 до 256 байт
    • До 100 тыс. циклов стирания/записи
    • 20-летнее хранение данных
  • Малая потребляемая мощность, широкий рабочий температурный диапазон
    • Одно напряжение питания 2.7…3.6 В
    • Типичный потребляемый ток: 4 мА (активный режим), <1 мкА (в режиме снижения мощности)
    • Рабочий температурный диапазон -40°C…+85°C
  • Расширенные возможности защиты данных
    • Программная и аппаратная защита от записи данных
    • Выбор верхнего или нижнего, сектора или блока
    • Опциональные режимы защиты регистра статуса: Lock-Down (блокируется запись в регистр статуса до следующей повторной подачи питания) и OTP (регистр статуса становится однократно-программируемым и не может быть изменен в дальнейшем)
    • 64-битный единообразный идентификатор для каждой ИС
  • Миниатюрные корпуса
    • 8-выв. SOIC (208 мд)
    • 8-выв. WSON (6x5 мм) (W25Q80 и W25Q16)
    • 16-выв. SOIC (300 мд) (W25Q16 и W25Q32)

Структурная схема:

Структурная схема W25Q80, W25Q16, W25Q32

Расположение выводов:

Расположение выводов W25Q80, W25Q16, W25Q32

Общее описание:

W25Q80 (8 Мбит), W25Q16 (16 Мбит) и W25Q32 (32 Мбит) - ИС последовательной флэш-памяти, ориентированные на применение в составе систем с ограниченным пространством, линиями ввода-вывода и малым потреблением. Серия 25Q обладает уровнем гибкости и рабочих характеристик, который превосходит ИС обычной флэш-памяти. Они идеальны для теневого хранения программного кода, который загружается в ОЗУ при подаче питания, для выборки кода программы (XIP) непосредственно из флэш-памяти (в удвоенном и учетверенных режимах интерфейса SPI), а также для хранения голосовой, текстовой и числовой информации. ИС работают от одного напряжения питания 2.7…3.6 В с потребляемым током не более 5 мА в активном режиме и не более 1 мкА в режиме снижения мощности. Все ИС предлагаются в миниатюрных корпусах.

Массив памяти W25Q80/16/32 разделен на 4096/8192/16384 перепрограммируемых страниц по 256 байт в каждой. До 256 байт могут перепрограммироваться за один подход с помощью инструкций программирования страниц. Поддерживается групповое стирание страниц по 16 страниц (стирание сектора), по 128 страниц (стирание блока размером 32 кбайт), по 256 страниц (стирание блока размером 64 кбайт) или стирание всего массива памяти. W25Q80/16/32 содержат 256/512/1024 стираемых секторов и 16/32/64 стираемых блоков, соответственно. Разделение на сектора небольшого размера (4 кбайт) позволяет повысить гибкость в применениях, где требуется хранение данных и параметров. W25Q80/16/32 содержит последовательный интерфейс SPI, который может работать в трех режимах: стандартный режим и два высокопроизводительных режима (удвоенный/учетверенных), в которых ввод-вывод данных осуществляется через две/четыре линии ввода-вывода данных. Интерфейс SPI состоит из следующих линий: синхронизация, выбор микросхемы, ввод-вывод данных I/O0 (DI), вывод-вывод данных I/O1 (DO), вывод-вывод I/O2 (/WP) и ввод-вывод I/O3 (/HOLD). Интерфейс SPI может тактироваться частотой до 80 МГц, однако в удвоенном и учетверенном режимах достигается быстродействие, эквивалентное тактированию частотой 160 МГц и 320 МГц, соответственно (при использовании инструкций ускоренного удвоенного/учетверенного считывания). Такое быстродействие сопоставимо с 8- и 16-битной параллельной флэш-памятью.

Еще больший уровень гибкости управления достигнут за счет предусмотрения вывода Hold (приостановка), Write Protect (защита от записи) и программируемой защиты от записи с возможностями выбора верхней и нижней части массива памяти. Кроме того, у каждой ИС имеется идентификационный код производителя и продукции по стандарту JEDEC с 64-битным единообразным серийным номером.

Информация для заказа:

Код заказа1,2 Емкость Корпус Напряжение питания Температурный диапазон
W25Q80VSSI
W25Q80VZPI
8 Мбит 8-выв. SOIC (208 мд)
8-выв. WSON 6X5 мм
2.7…3.6 В -40…+85°С
W25Q16VSSI
W25Q16VZPI
W25Q16VSFI
16 Мбит 8-выв. SOIC (208 мд)
8-выв. WSON 6X5 мм
16-выв. SOIC (300 мд)
2.7…3.6 В -40…+85°С
W25Q32VSSI
W25Q32VSFI
32 Мбит 8-выв. SOIC (208 мд)
16-выв. SOIC (300 мд)
2.7…3.6 В -40…+85°С

Прим.:

  1. Для заказа RoHS-совместимого исполнения корпуса в конце кода заказа необходимо добавить "G".
  2. При маркировке корпусов указывается только второй символ кода корпуса SS, SF, ZP, т.е. соответственно S, F и P.
  3. При маркировке код производителя W не указывается.
  4. При заказе необходимо указывать вид упаковки: стандартный, в тубе (код E) или в ленте на бобине (код T)

Документация:

  1460 Kb Engl Описание микросхем W25Q80, W25Q16, W25Q32
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники