В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Winbond Electronics > Память

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



W9864G6GB

Высоко-быстродействующее синхронное динамическое ОЗУ (SDRAM) с организацией 1M x 4 банка x 16 бит

Отличительные особенности:

  • Исполнение "-7" поддерживает напряжение питания 2.7В-3.6В.
  • 1048576 слов x 4 банка x 16 бит.
  • Ток саморегенерации: стандартный и пониженный
  • Задержка CAS (строб адреса столбца) на 3 цикла.
  • Длина потока: 1, 2, 4, 8 или вся страница.
  • Тип потока: последовательный и чередующийся.
  • Чтение потока вызывается однобитной операцией записи
  • Байт данных управляется DQM.
  • Экономичный режим работы.
  • Автоматический предварительный заряд и управляемый предварительный заряд.
  • Период регенерации 64мс/4 тыс. циклов
  • Корпус: VFBGA 60 с шагом сферических выводов 0.65мм
  • RoHS-совместимость.

Структурная схема:

Структурная схема W9864G6GB

Расположение выводов:

Расположение выводов W9864G6GB

Общее описание:

W9864G6GB - высокобыстродействующее синхронное динамическое ОЗУ (SDRAM) с организацией 1 млн. слов x 4 банка x 16 бит. Использование конвейеризованной архитектуры и технологии 0.11 мкм позволили добиться у W9864G6GB скорости передачи данных 287 Мбайт в секунду (исполнение "-7"). W9864G2GH разделен на несколько исполнений:-5,-6,-7. Исполнение "-7" может работать с быстродействием до 143МГц/CL3.

Доступ к SDRAM организован в виде потока. Доступ к последовательным ячейкам памяти в одной странице может выполняться в виде потока длиной равной 1, 2, 4, 8 или всей страницы, при этом, банк и строка выбираются командой ACTIVE. В режиме передачи потока адреса столбцов генерируются внутри SDRAM автоматически с помощью счетчика. Возможно также чтение произвольного столбца путем предоставления его адреса каждый период синхронизации. Применение архитектуры с несколькими банками позволит чередовать работу внутренних банков, скрывая время предварительного заряда.

Использование программируемого регистра режима (Mode Register) позволит изменять длину потока, цикл задержки, выбрать чередующийся или последовательный поток для оптимизации рабочих характеристик.

Информация для заказа:

Серийный номер Быстродействие (CL = 3) Макс. ток саморегенерации Рабочий температурный диапазон
W9864G6GB-7 143 МГц 2 мА 0°C..+70°C

Документация:

  1230 Kb Engl Описание микросхемы
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники