ПИР-1

NPN - МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР

    Предназначен для использования в быстродействующих схемах переключения с индуктивной нагрузкой, в импульсных схемах, а также в усилителях мощности с высокой линейностью.
    Имеет встроенный диод в цепи коллектор-эмиттер.

Максимально-допустимые параметры

Наименование параметра	Обозначение	Величина	Ед.Изм.
Напряжение коллектор-база	UCBO	850	B
Напряжение коллектор-эмиттер (IB=0)	UCEO	450	B
Напряжение эмиттер-база	UEB	7	B
Постоянный ток коллектора	IC	20	A
Постоянный ток базы	IB	5	A
Импульсный ток базы	IBM	15	A
Импульсный ток коллектора	ICM	30	A
Постоянная рассеиваемая мощность	PD	125*	Вт
Диапазон рабочих температур перехода	Tj	-55 до +150	°C
Максимальная темература перехода	Tj max	+ 150	°C

    * - при Т_корп= +25°C

Электрические характеристики

Наименование параметра, режим измерения	Обозначение	Величина		Ед.изм.
		мин.	макс.
Граничное напряжение коллектор-эмиттер (IC=200mA, IБ=0)	UCEO(sus)	450		B
Обратный ток коллектор-база (UCB=850B)	ICBO		0,5	мА
Обратный ток эмиттер-база (UEB=6B)	IEBO		0,1	мА
Статический коэффициент передачи тока (UCE=5B, IC=10A)	hFE	8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC=10A, IБ=2A)	UCE(sat)		1,3	B
Напряжение насыщения база-эмиттер (IC=10A, IБ=2A)	UВЕ(sat)		1,5	В
Прямое напряжение на диоде коллектор-эмиттер (Iпр=30A )	Uпр		2	В
Емкость перехода коллектор-база (UC=10B, IЭ=0, f=1Мгц)	СOB		400	пФ

    Близкими зарубежными аналогами транзистора "Пир-1" являются приборы BUV-48, MJ13333, MJW16010, MJW16110 фирмы MOTOROLA.
    Возможна поставка транзисторов в корпусе КТ-9 (TO-3).