В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



ПИР-1

NPN - МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР

    Предназначен для использования в быстродействующих схемах переключения с индуктивной нагрузкой, в импульсных схемах, а также в усилителях мощности с высокой линейностью.
    Имеет встроенный диод в цепи коллектор-эмиттер.

Максимально-допустимые параметры

Наименование параметра Обозначение Величина Ед.Изм.
Напряжение коллектор-база UCBO 850 B
Напряжение коллектор-эмиттер (IB=0) UCEO 450 B
Напряжение эмиттер-база UEB 7 B
Постоянный ток коллектора IC 20 A
Постоянный ток базы IB 5 A
Импульсный ток базы IBM 15 A
Импульсный ток коллектора ICM 30 A
Постоянная рассеиваемая мощность PD 125* Вт
Диапазон рабочих температур перехода Tj -55 до +150 °C
Максимальная темература перехода Tj max + 150 °C

    * - при Ткорп= +25°C

Электрические характеристики

Наименование параметра,
режим измерения
Обозначение Величина Ед.изм.
мин. макс.
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
(IC=200mA, IБ=0)
UCEO(sus) 450   B
Обратный ток коллектор-база
(UCB=850B)
ICBO   0,5 мА
Обратный ток эмиттер-база
(UEB=6B)
IEBO   0,1 мА
Статический коэффициент передачи тока
(UCE=5B, IC=10A)
hFE 8    
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IC=10A, IБ=2A)
UCE(sat)   1,3 B
Напряжение насыщения база-эмиттер
(IC=10A, IБ=2A)
UВЕ(sat)   1,5 В
Прямое напряжение на диоде коллектор-эмиттер
(Iпр=30A )
Uпр   2 В
Емкость перехода коллектор-база
(UC=10B, IЭ=0, f=1Мгц)
СOB   400 пФ

    Близкими зарубежными аналогами транзистора "Пир-1" являются приборы BUV-48, MJ13333, MJW16010, MJW16110 фирмы MOTOROLA.
    Возможна поставка транзисторов в корпусе КТ-9 (TO-3).




 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники