ПИЛОН-3A

NPN КРЕМНИЕВЫЙ МОЩНЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР

    Предназначен для применения в переключающих схемах, преобразователях напряжения и в усилителях тока.
    Имеет встроенный диод в цепи коллектор-эмиттер, R₁=7 Ком, R₂=150 Ом.

Максимально-допустимые параметры

Наименование параметра	Обозначение	Величина	Ед.Изм.
Напряжение коллектор-база	UCB	100	B
Напряжение коллектор-эмиттер (IБ=0)	UCEO	100	B
Напряжение эмиттер-база	UEB	5	B
Постоянный ток коллектора	IC	15	A
Импульсный ток коллектора	ICM	20	A
Постоянный ток базы	IВ	0,5	A
Постоянная рассеиваемая мощность	PD	65 (Tk=25°C) 2 (Tоkр=25°C)	Вт Вт
Энергия пробоя на идуктивную нагрузку (1)	E	50	мДж
Диапазон рабочих температур перехода	Tj	-65 до +150	°C
Максимальная темература перехода	Tj max	+ 150	°C

    (1) I_C=1A, L=100 мГн, f=10Гц, U_C=20 B, R_BE=100 Ом.

Электрические характеристики

Наименование параметра	Обозначение	Величина		Ед.изм.	Режим измерения
		мин.	макс.
Граничное напряжение коллектор-эмиттер	UCEO(sus)	100		B	IС=100мА
Обратный ток коллектор-эмиттер	ICЕO		0,1	мА	UCЕ=100 В, IB=0
Обратный ток коллектор-база	IСBO		0,1	мА	UСВ=100 В
Обратный ток эмиттер-база	IEBO		2	мА	UEB=5B
Статический коэффициент передачи тока	hFE	1000 1000 1000 100			IC=0,5 A, UCE=3 B IC=3 A, UCE=3 B IC=5 A, UCE=5 B IC=15 A, UCE=5 B
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	UCЕ(sat)		1,5 1,7 2,5	В	IC=3A, IB=12мA, IС=5A, IВ=20мА, IС=10A,IВ=20мA
Напряжение насыщения база-эмиттер	UBE(sat)		2 2,3	В	IC=5 A, IB=20мA IC=10 A, IB=20мA
Входное напряжение база-эмиттер	UВЕ(on)		2	B	IC=3 A, UCЕ=3 B

    Близкими аналогоми транзистора "Пилон-3А" являются приборы TIP122 (Motorola) и KT8116A.
    Возможно исполнение транзистора в варианте "Пилон-3Б" с дополнительным ускоряющим диодом.