Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП




КТ837А/Е

Предельные параметры (ТA=25°C)

Параметр Обозначение КТ837
А/Е		 Ед. измерения
Напряжение коллектор-база VCBO -80/-60 B
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO -70/-55 B
Напряжение эмиттер-база VEBO -15/-15 B
Ток коллектора IC -7.5/-7.5 А
Максимальный ток коллектора IC(peak) -10/-10 А
Ток базы IB 1/1 А
Максимальная мощность рассеяния PC 30/30 Вт
Температура перехода TJ 125 °C
Температура хранения Tstg -40 до +100 °C

Электрические характеристики

Параметр Обозначение Условия измерения КТ3102А/Е Ед.измерения
Мин. Тип. Макс.
Обратный ток коллектора ICBO VCB=80/60B
IE=0		 -- -- 10/10 mА
Обратный ток эмиттера IEBO VEB=15/15B
IC=0		 -- -- 0.3/0.3 mА
Статический коэффициент передачи по току hFE VCE=5B
IC=2А		 10/50 -- 40/150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) IC=3А
IB=370mА		 -- 1.8/0.7 2.5/0.9 В
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) IB=0.5А
IC=2А		 -- 1.1/1.1 1.5/1.5 В
Предельная частота коэффициента передачи тока fT VCE=10B
IC=0/5А
f=1МГц		 4/4 -- -- МГц
Обратный ток коллектора ICES VCE=80/60B
VEB=0		 -- -- 150/150 мкА





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники