|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
 |
| Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП | |||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КТ8232A,Б ("ПИЛОН-М")
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 |
 КТ43 (TO-218) |
||
|
|||
| Наименование параметра | Обозначение | Величина | Ед.изм. |
| Напряжение коллектор-эмиттер (IБ=0) |
UCEO | 350..гр.А 250..гр.Б |
В |
| Напряжение эмиттер-база | UEBO | 5 | B |
| Постоянный ток коллектора | IC | 20 | A |
| Импульсный ток коллектора | ICM | 30 | A |
| Постоянный ток базы | IB | 3 | A |
| Импульсный ток базы | IBM | 5 | A |
| Постоянная рассеиваемая мощность | PD | 125* | Вт |
| Энергия пробоя на индуктивную нагрузку | E | 350 | мДж |
| Диапазон рабочих температур перехода | Tj | -60 до +150 | °C |
| Максимальная температура перехода | Tjmax | +150 | °C |
* при Тk=+25°C
| Наименование параметра | Обозначение | Ед.изм. | Величина | Режим измерения | |
| Мин. | Макс. | ||||
| Граничное напряжение коллектор-эмиттер (IC=100 мА) | UCEO(sus) | B | 350 250 |
500 350 |
группа А группа Б |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | ICEO | мА | 0,1 0,1 |
UCE=300В, гр.А UCE=200В, гр.Б |
|
| Обратный ток эмиттер-база | IEBO | мА | 20 | UEB=5В | |
| Статический коэффициент передачи тока | hFE** | 400 | IC=5A, UCE=10B | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | UCE(sat)** | B | 1,8 1,8 2,0 |
IC=8A, IB=0,1A IC=10A, IB=0,25A IC=12A, IB=0,3A |
|
| Напряжение насыщения база-эмиттер | UBE(sat)** | B | 2,2 2,5 2,7 |
IC=8A, IB=0,1A IC=10A, IB=0,25A IC=12A, IB=0,3A |
|
| Прямое напряжение на диоде | UF | B | 2,5 | IF=10A | |
** измерение данных параметров проводится в импульсном режиме:
длительность импульсов 300мкс, скважность 1,5%.
Близкими аналогами транзисторов КТ8232 А,Б являются приборы BU941ZP (Thomson), а также КТ898А, Б.
