В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КТ805АМ/БМ

Предельные параметры (ТA=25°C)

Параметр Обозначение КТ805
АМ/БМ
Ед. измерения
Напряжение коллектор-база VCBO 100/80 B
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 60/60 B
Напряжение эмиттер-база VEBO 5/5 B
Ток коллектора IC 5/5 А
Максимальный ток коллектора IC(peak) 8/8 А
Ток базы IB 2/2 А
Максимальная мощность рассеяния PC 30/30 Вт
Температура перехода TJ 150 °C
Температура хранения Tstg -60 до +100 °C

Электрические характеристики

Параметр Обозначение Условия измерения КТ3102А/Е Ед.измерения
Мин. Тип. Макс.
Обратный ток коллектора ICBO VCB=100/80B
IE=0
-- -- 3/3
Обратный ток эмиттера IEBO VEB=5B
IC=0
-- -- 5/5
Статический коэффициент передачи по току hFE VCE=10B
IC=2А
15/15 -- --
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) IC=5/2А
IB=2/0.2А
-- -- 2.5/5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) IB=0.5А
IC=5А
-- -- 2.5/5 В
Предельная частота коэффициента передачи тока fT VCE=10B
IC=1А
f=10МГц
20/20 250/250 -- МГц
Обратный ток коллектора ICES VCE=100/80B
VEB=0
-- -- 2/2 мкА





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники