В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КТ740А, КТ740А1 (ПИР-2)

NPN кремниевый мощный высоковольтный транзистор

    Основные области применения:

  • Регуляторы и преобразователи напряжения
  • Импульсные переключающиеся схемы
  • Усилители мощности для высококачественной аудиоаппаратуры

  • В виде кристаллов (чипов) предназначен специально для гибридных схем автомобильных регуляторов напряжения (14 В)

    КТ740А



    КТ43 (TO-218)

     

    КТ740А1



    КТ28 (TO-220)

     
    1. База
    2. Коллектор
    3. Эмиттер
    1. База
    2. Коллектор
    3. Эмиттер

    Максимально-допустимые параметры

    Наименование параметра Обозначение Величина Ед.измерен.
    Напряжение коллектор-база UCBO 200 B
    Напряжение коллектор-эмиттер (IB=0) UCEO 160 B
    Напряжение эмиттер-база UEB 7 B
    Постоянный ток коллектора IC 20 A
    Импульсный ток коллектора ICM 40 A
    Постоянный ток базы IB 5 A
    Постоянная рассеиваемая мощность PD 125* Вт
    Диапазон рабочих температур перехода Tj -60 до +150 °C
    Максимальная температура перехода Tj max +150 °C

        *- в корпусе КТ43. При сборке в корпусе КТ28(ТО-220) PD=60 Вт

    Электрические характеристики

    Наименование параметра,
    режим измерения
    Обозначение Ед.изм. Величина Режим измерения
    мин макс
    Граничное напряжение коллектор-эмиттера UCEO(sus) B 160   IC=0.2A
    Обратный ток коллектор-эмиттер ICEO мА   0,75 UCE=150B
    IB=0
    Обратный ток коллектор - база ICBO мА   0,5 UCB=200B
    Обратный ток эмиттер - база IEBO мА   0,3 UEB=7B
    Статический коэффициент передачи тока hFE   30
    15
      UCE=4B, IC=8A
    UCE=4B, IC=16A
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UСE(sat) B   1,0
    2,5
    IC=8A, IB=0,8A
    IC=16A, IB=1,6A
    Напряжение насыщение база-эмиттер UBE(sat) B   1,7 IK=16A, IB=1,6A
    Граничная частота fT МГц 1,0   IC=1A, UCE=20B
    Емкость перехода коллектор-база СOB пФ   600 UCB=10B, IE=0

        Близким зарубежным аналогом транзистора "Пир-2" является прибор MJE4343 фирмы MOTOROLA.





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники