В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КТ3107А/Л

Предельные параметры (ТA=25°C)

Параметр Обозначение КТ3107
А/Л
Ед. измерения
Напряжение коллектор-база VCBO -50/-25 B
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO -50/-25 B
Напряжение эмиттер-база VEBO -5/-5 B
Ток коллектора IC -100/-100 мА
Максимальная мощность рассеяния PC 250/250 мВт
Температура перехода TJ 125 °C
Температура хранения Tstg -55 до +125 °C

Электрические характеристики

Параметр Обозначение Условия измерения КТ3102А/Е Ед.измерения
Мин. Тип. Макс.
Максимальное дополнительное напряжение
коллектор-база
V(BR)CBO IC=10мкА,
IE=0
50/25 -- -- B
Максимальное дополнительное напряжение
коллектор-эмиттер
V(BR)CEO IC=1mA,
IB=0
50/25 -- -- B
Максимальное дополнительное напряжение
эмиттер-база
V(BR)EBO IE=10мкА,
IC=0
5/5 -- -- B
Обратный ток коллектора ICBO VCB=50/20B
IE=0
-- -- 100/100 нА
Обратный ток эмиттера IEBO VEB=5B
IC=0
-- -- 100/100 нА
Статический коэффициент передачи по току hFE VCE=5B
IC=2мА
70/380 -- 140/800
Напряжение база-эмиттер VBE VCE=5B
IC=2мА
-- -- 0.85/0.85 В
Напряжение насущения коллектор-эмиттер VCE(sat) IC=100мА
IB=5мА
-- -- 0.25/0.25 В
Предельная частота коэффициента передачи тока fT VCE=5B
IC=1мА
200/200 250/250 -- МГц
Шумовой фактор NF VCE=5B
IC=0.2мА
RG=2кОм
f=1.0кГц
-- -- 10/4 дБ
Выходная емкость Cob VCB=10B
IE=0
f=1МГц
-- -- 7/7 пФ





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники