В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КТ3102А/Е

Предельные параметры (ТA=25°C)

Параметр Обозначение КТ3102
А/Е
Ед. измерения
Напряжение коллектор-база VCBO 50/20 B
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 50/20 B
Напряжение эмиттер-база VEBO 5/5 B
Ток коллектора IC 100/100 мА
Ток базы IB 50/50 мА
Максимальная мощность рассеяния PC 250/250 мВт
Температура перехода TJ 125 °C
Температура хранения Tstg -55 до +125 °C

Электрические характеристики

Параметр Обозначение Условия измерения КТ3102А/Е Ед.измерения
Мин. Тип. Макс.
Максимальное дополнительное напряжение
коллектор-база
V(BR)CBO IC=50/15мкА,
IE=0
50/20 -- -- B
Максимальное дополнительное напряжение
коллектор-эмиттер
V(BR)CEO IC=1mA,
IB=0
50/20 -- -- B
Максимальное дополнительное напряжение
эмиттер-база
V(BR)EBO IE=10мкА,
IC=0
5/5 -- -- B
Обратный ток коллектора ICBO VCB=50/20B
IE=0
-- -- 50/15 нА
Обратный ток эмиттера IEBO VEB=5B
IC=0
-- -- 50/15 нА
Статический коэффициент передачи по току hFE VCE=5B
IC=2мА
100/400 -- 200/1000
Напряжение база-эмиттер VBE VCE=5B
IC=2мА
-- -- 0.7/0.7 В
Напряжение насущения коллектор-эмиттер VCE(sat) IC=100мА
IB=5мА
-- -- 0.3/0.3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) IC=100мА
IB=5мА
-- -- 1.0/1.0 В
Предельная частота коэффициента передачи тока fT VCE=5B
IC=1мА
250/250 300/300 -- МГц
Шумовой фактор NF VCE=5B
IC=0.2мА
RG=2кОм
f=1.0кГц
-- -- 10/4 дБ
Выходная емкость Cob VCB=5B
IE=0
f=1МГц
-- -- 6/6 пФ





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники