В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КР1054УН1

Микросхема двухканального усилителя низкой частоты

    Микросхема КР1054УН1 представляет собой двухканальный усилитель низкой частоты, предназначенный для усиления моно- и стерео- звуковых сигналов.
Особенностью усилителя является низкий уровень напряжения питания (1.6-6.0 В). Выходная мощность составляет 150 мВт. Для применения ИМС не требуется внешних дополнительных элементов.
Микросхема предназначена для применения в качестве усилителя мощности низкой частоты в составе переносных радиоприемников, моно- и стереомагнитофонов , другой аппаратуры с питанием от батареи и выходом сигнала на головные телефоны. ИМС может быть использована в составе любой радиоаппаратуры для усиления звуковых сигналов низкой частоты. Функциональным аналогом является ИМС TDA7050 фирмы Philips.

 
  • Конструктивно ИМС КР1054УН1 выполнена в 8-выводном пластмассовом корпусе типа 2101.8-1 ГОСТ 17467-88
  • Рабочая температура (-10 до +70)°C
  • Полоса производимых частот 31.5Гц - 20кГц при неравномерности АЧХ +-2дБ

Основные характеристики

Диапазон напряжения питания VP 1,6 to 6,0 B
Суммарный статический ток потребления (при VP=3B) ITOT тип. 3,2 мА
Параметры ИС при мостовой схеме подключения нагрузки        
Выходная мощность при RP=32 Ом
VP=3B dtot=10%
P0 тип. 140 мВт
Постоянное напряжение смещения между выходами V макс. 70 мВ
Напряжение шума (среднеквадратическое значение)
atf=1кГц; RS=5кОм
Vno(rms) тип. 140 мкВ
Параметры ИС при раздельном подключении нагрузки        
Выходная мощность при RL=32 Ом
dtot=10%; VP=3B dtot=10%; VP=4,5 B
PO
PO
тип.
тип.
35
75
мВт
мВт
Ослабление сигнала между каналами при Rg=0 Ом;f=1кГц а тип. 40 дБ
Напряжение шума (среднеквадратическое значение) atf=1кГц; Rg=5 кОм Vno тип. 140 мкВ

Предельные параметры

Напряжение питания VP Макс. 6 В
Макс.выходной ток IOM Макс. 150 мА
Общая мощность рассеяния        
Диапазон температур хранения Tstg -55 до +150 °
Температура кристалла TSC Макс. 100 °
Время КЗ по выводам 6,7 tSC Макс. 5 с

Электрические параметры (VP=3B, f=1 кГц; RL= 32 Ом; TAMB=25

Параметр Условное
обозначение
Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Питание          
Напряжение питания VP 1.6 - 6.0 B
Суммарный статический ток потребления Itot - 3.2 4 мА
Параметры ИС при мостовой схеме подключения нагрузки          
Выходная мощность
VP=3.0B; dtot=10%
VP; dtot=10% (RL=64 Ом)
 
PO
PO
 
-
-
 
140
150
 
-
-
мВт
Коэффициент усиления по напряжению GV - 32 - дБ
Напряжение шумов (среднеквадратическое значение)
Rg= 5 кОм; f=1 кГц
Vno - 140 - мкВ
Постоянное напряжение смещения между выходами (при Rg=5кОм) V - - 70 мВ
Входной импеданс (при RS=>>) Zi 1 - - МОм
Входной ток смещения Ii - 40 - нА
Параметры ИС при раздельном подключении нагрузки          
Выходная мощность
VP=3.0B; dtot=10%
VP; dtot=10%
 
P0
PO
 
-
-
 
35
75
 
-
-
мВт
Коэффициент усиления по напряжению GV 24.5 26 27.5 дБ
Напряжение шумов (среднеквадратическое значение)
Rg=5 кОм;f=1кГц
Vno - 100 - мкВ
Ослабление сигнала между каналами
RS=0 Ом; f=1кГц
а 30 40 - дБ
Входной импеданс (при RS=>>) Zi 2 - - МОм
Входной ток смещения Ii - 20 - нА

Типовая схема включения








 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники