В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КП812A1

N-канальный МОП ПТ

Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций и различная техника для военных и космических целей.

Основные характеристики
  • Высокие динамические характеристики
  • Рабочая температура кристалла 150°C
  • Низкое сопротивление во включенном состоянии
  • Низкая мощность управления
  • Высокое коммутируемое напряжение

Расположение выводов
  • 1 Затвор
  • 2 Сток
  • 3 Исток

Максимально допустимые значения

  Параметр Макс Единицы
измерения
ID@TС=25°C Постоянный ток стока 50* А
ID@TС=70°C Постоянный ток стока 36 А
I Импульсный ток стока (1) 200 А
РD@TС=25°C Рассеиваемая мощность 125 Вт
  Линейное снижение мощности рассеивания от температуры 1.0 Вт/°C
VGS Напряжение затвор-исток +-20 В
ЕAR Энергия пробоя одиночным импульсом (2) 100 мДж
dv/dt Скорость нарастания напряжения
на закрытом диоде (3)
4.5 В/нс
ТJ
TSTG
Диапазон температур функционирования
и хранения прибора
-55 -+ 150 °C
  Температура пайки при времени менее 10 сек. 300 °C

Тепловое сопротивление

  Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
RJC Тепловое сопротивление кристалл-корпус -- -- 1.0 °C/Вт
RCS Корпус-теплоотвод -- 0.50 -- °C/Вт
RJA Тепловое сопротивление кристалл-окр.среда -- -- 62 °C/Вт

Электрические характеристики

TJ=25°C (если не указано другое)
  Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм. Режим измерения
V(BR)DSS Максимальное напряжение сток-исток 600 -- -- В VGS=0B
ID=250mkA
V(BR)DSS/TJ Температурный коэффициент максимального
напряжения
-- 0.060 -- В/°C T=25°C,
ID=1mA
RDS(ON) Сопротивление сток-исток -- -- 0.028 Ом VGS=10B (4),
ID=31A
VGS(th) Пороговое напряжение на затворе 2.0 -- 4.0 B VDS=VGS
ID=250mkA
gfs Крутизна характеристики 15 -- -- А/В VDS=25B,
ID=31A (4)
IDSS Остаточный ток стока -- -- 25 мкА VDS=60B
VGS=0B
-- -- 250 VDS=48B,
VGS-0B,
TJ=125°C
IGSS Ток утечки затвора (прямой) -- -- 100 нА VGS=20B
Ток утечки затвора (обратный) -- -- -100 VGS=-20B
Qg Суммарный заряд затвора -- -- 67 нКл ID=51A,
VDS=48B
VGS=10B (4)
Qgs Заряд затвор-исток -- -- 18
Qgd Заряд затвор-сток -- -- 25
td(on) Время задержки вкл. -- 14 -- нс VDD=30B
ID=51A
RG=9.1 Ом
RD=0.55 Ом (4)
tr Время нарастания -- 110 --
td(off) Время задержки выкл. -- 45 --
tf Время спада -- 92 --
LD Внутренняя индуктивность стока -- 4.5 -- нГн Между выводами при 6мм от
корпуса до центра к.п.
LS Внутренняя индуктивность истока -- 7.5 --
Ciss Входная емкость -- 1900 -- пФ VGS=0B
VDS=25B
f=1.0 МГц
Сoss Выходная емкость -- 920 --
Crss Проходная емкость -- 170 --

Характеристики исток-стока

  Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм. Режим измерения
IS Постоянный ток истока (через встроенный диод) -- -- 50* А
ISM Импульсный ток истока (через встроенный диод) (1) -- -- 200
VSD Прямое напряжение на диоде -- -- 2.5 В TJ=25°C
IS=51A
VGS=0B (4)
trr Время восстановления -- 120 180 нс TJ=25°C
IF=51A
di/dt=100A/мкс (4)
Qrr Заряд рассасывания -- 0.53 0.80 мкКл

Примечания
(1) - частота следования; длительность импульса ограничена максимальной температурой кристалла.
(2) - VDD=25B, начало TJ=25°C, L=44 мkГн RG=25 Ом, IAS=51A
(3) - ISD<51A, di/dt<250A/мкс, VDD<V(BR)DSS TJ<150°C
(4) - длительность импульса <300мкс, коэффициент заполнения <2% * - ток ограничивается типом корпуса (допустимый ток кристалла = 51А)

Чертёж корпуса






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники