В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КП731А

Биполярный транзистор с изолированным затвором

    Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) имеет высокую плотность коммутируемого тока, соизмеримую с биполярными транзисторами, в тоже время он имеет очень низкую энергию управления затвором, аналогичную семейству МОП ПТ.
Основные области применения - это высоковольтные цепи с высоков плотностью коммутируемых токов, на частотах 1-10кГЦ.

  • VCES=600B
  • VCE(sat)<3.0B
  • VGE=20B
  • IC=24A

Расположение выводов
  • 1 Затвор
  • 2 Эмиттер
  • 3 Коллектор

Максимально допустимые значения

  Параметр Макс Единицы
измерения
VCES Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
IC@TC=25°C Статический ток коллектора 40 А
IC@TC=100° Cтатический ток коллектора 24
ICM Импульсный ток коллектора (1) 80
ILM Ток на фиксированной индуктивной нагрузке (2) 80
VGE Напряжение затвор-эмиттер +-20 В
ЕARV Энергия пробоя (3) 15 мДж
PD@TC=25°C Максимальная мощность рассеяния 160 Вт
PD@TC=100°C Максимальная мощность рассеяния 65
ТJ
TSTG
Диапазон температур хранения и работы -55 - + 150 °C
  Температура пайки при времени менее 10 сек. 300 °C

Тепловое сопротивление

  Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
RJC Тепловое сопротивление кристалл-корпус -- -- 0.77 °C/Вт
RCS Корпус-теплоотвод -- 0.24 -- °C/Вт
RJA Тепловое сопротивление кристалл-окр.среда -- -- 40 °C/Вт
Wt Вес   6   гр.

Электрические характеристики

TJ=25°C (если не указано другое)
  Параметр Мин. Тип. Макс. Единицы
измерения
Условия измерения
V(BR)CES Напряжение пробоя
коллектор-эмиттер
600 - - В VGE=0B
IC=250мкА
V(BR)ECS Напряжение пробоя
эмиттер-коллектор (4)
20 - - В VGE=0B
IC=1.0A
V(BR)CES/TJ Температурная нестабильность
напряжения пробоя
- 0.7 - В/°C VGE=0B
IC=1.0 мА
VCE(on) Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
- 2.0 3.0 В IC=24A VGE=15B
- 2.6 - IC=40A
- 2.4 - IC=24A
TJ=150°C
VGE(th) Пороговое напряжение на затворе 3.0 - 5.5 VCE=VGE
IC=250мкА
VGE(th)/TJ Температурная нестабильность
порогового напряжения
- -12 - мВ/°C VCE=VGE
IC=250мкА
gfe Крутизна характеристики (5) 9.2 12 - А/В VCE=100B
IC=24A
ICES Ток коллектора при нулевом
напряжении на затворе
- - 250 мкА VGE=0B
VCE=600B
- - 1000 VGE=0B
VCE=600B
TJ=150°C
IGES Ток утечки затвор-эмиттер - - +-100 нА VGE=+-20B

Динамические характеристики @TJ=25°C(если не оговорено другое)

  Параметр Мин. Тип. Макс. Единицы
измерения
Условия измерения
Qg Суммарный заряд затвора (при включ.) - 59 80 нКл VCC=400B
IC=24A
VGE=15В
Qge Заряд затвор-эмиттер (при включ.) - 8.6 10
Qgc Заряд затвор-коллектор при включ.) - 25 42
td(on) Время включения - 26 - нс TJ=25°C
VCC=480B
IC=24A
VGE=15B
RG=10 Ом
tr Время нарастания - 37 -
td(off) Время выключения - 240 410
tf Время спада - 230 420
td(on) Время включения - 28 - нс TJ=150°C
VCC=480B
IC=24A
VGE=15B
RG=10 Ом
tr Время нарастания - 37 -
td(off) Время выключения - 380 -
tf Время спада - 460 -
lE Внутренняя индуктивность эмиттера - 13 - нГн Измер. в 5мм от корпуса
Cies Входная емкость - 1500 - пФ VCC=30B
VGE=0B
f=1.0МГц
Сoes Выходная емкость - 190 -
Cres Проходная емкость - 20 -

Примечания
(1) - Циклический режим;VGE=20B,длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода
(2) - VCC=80%(VCCES)=20B, L=10мкГн, RG=10 Ом
(3) - Циклический режим; длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода
(4) - Длительность импульса <80мкс, коэффициент заполнения <0.1%
(5) - Длительность импульса 5.0 мкс, одиночный

Чертёж корпуса






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники