КП731А

Биполярный транзистор с изолированным затвором

    Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) имеет высокую плотность коммутируемого тока, соизмеримую с биполярными транзисторами, в тоже время он имеет очень низкую энергию управления затвором, аналогичную семейству МОП ПТ.
Основные области применения - это высоковольтные цепи с высоков плотностью коммутируемых токов, на частотах 1-10кГЦ.

• V_CES=600B
• V_CE(sat)<3.0B
• V_GE=20B
• I_C=24A

Расположение выводов 1 Затвор 2 Эмиттер 3 Коллектор

Максимально допустимые значения

Тепловое сопротивление

Электрические характеристики

T_J=25°C (если не указано другое)

	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия измерения
V(BR)CES	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	600	-	-	В	VGE=0B IC=250мкА
V(BR)ECS	Напряжение пробоя эмиттер-коллектор (4)	20	-	-	В	VGE=0B IC=1.0A
V(BR)CES/TJ	Температурная нестабильность напряжения пробоя	-	0.7	-	В/°C	VGE=0B IC=1.0 мА
VCE(on)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	-	2.0	3.0	В	IC=24A	VGE=15B
		-	2.6	-		IC=40A
		-	2.4	-		IC=24A TJ=150°C
VGE(th)	Пороговое напряжение на затворе	3.0	-	5.5		VCE=VGE IC=250мкА
VGE(th)/TJ	Температурная нестабильность порогового напряжения	-	-12	-	мВ/°C	VCE=VGE IC=250мкА
gfe	Крутизна характеристики (5)	9.2	12	-	А/В	VCE=100B IC=24A
ICES	Ток коллектора при нулевом напряжении на затворе	-	-	250	мкА	VGE=0B VCE=600B
		-	-	1000		VGE=0B VCE=600B TJ=150°C
IGES	Ток утечки затвор-эмиттер	-	-	+-100	нА	VGE=+-20B

Динамические характеристики @T_J=25°C(если не оговорено другое)

Примечания
(1) - Циклический режим;V_GE=20B,длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода
(2) - V_CC=80%(V_CCES)=20B, L=10мкГн, R_G=10 Ом
(3) - Циклический режим; длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода
(4) - Длительность импульса <80мкс, коэффициент заполнения <0.1%
(5) - Длительность импульса 5.0 мкс, одиночный

Чертёж корпуса

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи